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文档简介
本申请公开了一种电镀用基体及其制备方2;2.根据权利要求1所述的电镀用基体,其特征在于,所述有机保护膜的厚度为1nm_3.权利要求1_2任一项所述的电镀用基体的制备方法,其特征在于,所述制备方法包;将包括有含氮配体和酸液的混合液涂布于所述待镀基体的种子层表6.权利要求1_2任一项所述的电镀用基体的电镀方法,其特征在于,所述电镀方法包将所述电镀用基体倾斜设定角度浸入电镀液中,直对所述电镀用基体作电离处理,以解除含氮配体中的N原子与种子层中的金属原子之3;4[0001]本公开涉及半导体工艺领域,特别涉及一种电镀用基体及其制备方法和电镀方[0002]电化学镀铜是目前集成电路制造过程中获得铜互连线的常用方法,在电镀铜之5[0026]对所述电镀用基体作电离处理,以解除含氮配体中的N原子与种子层中的金属原6度进入电镀液中,这就会使得待镀基体先进入电镀液的区域上的种子层溶解在电镀液中氮配体中的N原子与种子层中的金属原子之间的络合能够通过电离解除,通过对电镀用基78[0062]基体本体的表面具有线路图案,也就是说,提前在基体本体表面刻蚀出线路图9待镀基体的种子层表面,同时,控制旋涂速度为2000rpm_2800rpm,例如,为2050rpm、
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