CN113937078B 内埋式组件结构及其制造方法 （欣兴电子股份有限公司）

2所述散热构件包括第一部分、第二部分与位于所述第一部分与7.根据权利要求6所述的内埋式组件结构，其特瓦特/(米*绝对温度)至500瓦特/(形成介电层于所述第一表面与所述第二表面上，以密封所述芯片移除第一部分所述介电层，以形成暴露出所述散热层的所述上形成导热材料层于所述第一开口与所述第二开口内，以构成包围所述芯片的散热构所述散热构件包括第一部分、第二部分与位于所述第一部分与3所述第一开口内的所述导热材料层为所述第一所述第二开口内的所述导热材料层为所述第二移除所述第一部分所述介电层之后，移除第二部分所述介电层，部分所述介电层后未暴露出所述芯片的所述侧形成暴露出所述芯片的有源面上的接垫的多个导通孔，并形成所45[0024]在本发明的一实施例中，上述的多个导电端子还包括朝芯片边缘延伸的延伸部[0025]基于上述，本发明的内埋式组件结构通过散热构件的设计可以有效地将废热排[0027]图1A至图1F是依据本发明一实施例的内埋式组件结构的部分制造方法的部分剖6用来限制本发明。[0038]图1A至图1F是依据本发明一实施例的内埋式组件结构的部分制造方法的部分剖层1111与多个介电材料层1112堆迭而成，且图案化导电材料层1111之间可以用多个埋孔114进行电性连接，其中第一表面110a可以是由最上层的图案化导电材料层1111与介电材[0040]在本实施例中，线路板110包括散热层1113，其中散热层1113具有相对的上表面[0041]另一方面，穿槽110t可以贯穿部分线路板110并暴露出散热层1113的上表面是有源面120a朝上配置于穿槽110t内。换句话说，芯片120的背面120b可以面向散热层7子组件120与线路板110之间的间隙G(如图1B所示)并全面地形成于第二表面烷(tetraethoxysilane,TEOS)、双二甲基胺二甲基硅氮烷(bis(dimethylamino)行激光钻孔(laserdrill)工艺、等离子体(plasma)工艺或喷砂工艺移除第一部分介电层第一开口OP1于散热层1113上的正投影可以是位于第二开口OP2于散热层1113上的正投影120a上的接垫122的多个导通孔130t，以用于后续芯片120与线路板110或其他组件之间的言，散热构件140可以包括第一部分1401、第二部分1402与位于第一部分1401与第二部分8围芯片120且其第一部分1401与芯片120的侧壁直接接触，使芯片120可以直接接触到导热[0056]在一些实施例中，导电材料层可以是于同一工艺中填入第一开口OP1与第二开口可以为柱状结构(未示出)，但本发明不限于此。接着，可以于介电层130上形成增层线路[0060]经过上述工艺后即可大致上完成本实施例的内埋式组件结构100的制作。本实施包括第一部分1401、第二部分1402与位于第一部分1401与第二部分1402之间的第三部分9[0065]接着，如图2B与图2C所示，将两侧的导电材料13上形成多个图案化导电材料层[0066]在本实施例中，图案化导电材料层1111中包括可以用于后续散热构件140中的第[0068]图3是本发明另一实施例的内埋式组件结构的俯视示意图。本实施例的内埋式组[0071]综上所述，本发明的内埋式组件结构通过散热构件的设计可以有效地将废热排