CN113948534B 显示基板及其制备方法、显示装置 （京东方科技集团股份有限公司）

US2019096920A1,2019.0所述第一层间绝缘层的氢元素含量大于所述第的硅元素和氧元素的原子比大于所述第二缓冲晶硅晶体管层中的氢元素对氧化物晶体管层的2所述多晶硅晶体管层包括多个多晶硅晶体管的有源层和栅电极，所述所述第一层间绝缘层的氢元素含量大于所述第一阻氢层的氢一阻氢层的硅元素和氧元素的原子比大于所述第二缓冲层的硅元素所述第一阻氢层包括第二层间绝缘层，其中，所述第一层间的原子比大于所述第二层间绝缘层的硅元素和氮元素的原子比，且小于2倍的所述第二层量是所述第一层间绝缘层的硅氢Si-H键含％～％～所述第一缓冲层的硅元素和氧元素的原子比大于所述第二缓冲层的硅元素和氧元素所述第一半导体层包括多个多晶硅晶体管的有源层，所述第一导电所述第一半导体层包括多个多晶硅晶体管的有源层，所述第一导电3在基底上形成多晶硅晶体管层，所述多晶硅晶体管层包括多在所述多晶硅晶体管层上依次形成第一层间绝缘层、第述第二层间绝缘层的硅元素和氮元素的原子比，且小于2倍的所述第二层间绝缘层的硅元在所述第二缓冲层形成氧化物晶体管层，所述氧化物晶体管层包所述多晶硅晶体管层包括多个多晶硅晶体管的有源层和栅电极，所述所述第一层间绝缘层的氢元素含量大于所述第一阻氢层的氢一阻氢层的硅元素和氧元素的原子比大于所述第二缓冲层的硅元素所述显示基板还包括设置在所述氧化物晶体管层上的第四导电层和覆盖所述第四导所述第四导电层包括多个多晶硅晶体管的第一极和第二极以及多个氧化物晶体管的所述第二阻氢层包括第一钝化层和设置在所述第一钝化层上的第二钝化素的原子比大于所述第二钝化层的硅元素和氧元素的在基底上形成多晶硅晶体管层，所述多晶硅晶体管层包括多在所述多晶硅晶体管层上依次形成第一层间绝缘层、第的硅元素和氧元素的原子比大于所述第二缓冲层的硅元在所述第二缓冲层形成氧化物晶体管层，所述氧化物晶体管层包4在所述氧化物晶体管层上依次形成第四导电层和覆盖所述第四导电层的第二阻氢层，所述第四导电层包括多个多晶硅晶体管的第一极和第二极以及多个氧化物晶体管的第一极和第二极；所述第二阻氢层包括第一钝化层和设置在所述第一钝化层上的第二钝化层，素和氧元素的原子比大于所述第二钝化层的硅元素和氧元5[0001]本公开实施例涉及但不限于显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方[0002]有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED的不同，OLED可分为无源矩阵驱动(PassiveMatrix，PM)型和有源矩阵驱动(ActiveMatrix，AM)型两种，其中AMOLED是电流驱动器件，采用独立的薄膜晶体管(ThinFilm原子比大于所述第二缓冲层的硅元素和氧元绝缘层的硅元素和氮元素的原子比大于所述第二层间绝缘层的硅元素和氮元素的原子比，且小于2倍的所述第二层间绝缘层的硅元素和氮[0006]在示例性实施方式中，所述第二层间绝缘层的[0008]在示例性实施方式中，所述第二层间绝缘层的硅氢Si-H键含量为13折射％～硅元素和氧元素的原子比小于2倍的所述第二缓冲层的硅元素和氧元素的6述第二层间绝缘层的硅元素和氮元素的原子比，且小于2倍的所述第二层间绝缘层的硅元素和氮元素的原子比；所述第一缓冲层的硅元素和氧元素的原子比小于2倍的所述第二缓层和第一导电层，所述氧化物晶体管层包括在所述第一阻氢层上依次设置的第二半导体于所述第二缓冲层的硅元素和氧元素的原子比；在所述第二缓冲层形成氧化物晶体管层，所述氧化物晶体管层包括多个氧化物晶体管的有源789驱动器可以利用从时序控制器接收的灰度值和控制信号来产生将提供到数据信号线D1、可以以在时钟信号的控制下顺序地将以导通电平脉冲形式提供的扫描起始信号传输到下将以截止电平脉冲形式提供的发射停止信号传输到下一级电路的方式产生发射信号，o可中晶体管连接到第i扫描信号线且连接到第j数据信第一发光单元P1、第二发光单元P2和第三发光单元P3中的像素驱动电路分别与扫描信号连接，发光器件被配置为响应所在发光单元的像素驱动电路输出的电流发出相应亮度的7个晶体管(第一晶体管T1到第七晶体管T7)、1个存储电容C和多个信号线(数据信号线Da、一晶体管T1的第一极与第二初始信号线INIT2连接，第一晶体管的第二极与第一节点N1连线VSS的信号为低电平信号，第一电源线VDD的信号为持续提供高电平信号。对于第n显示线Re1的信号与上一显示行像素驱动电路中的第一扫描信号线G1的信号可以为同一信号；行的第二复位信号线Re2的信号与上一显示行像素驱动电路中的第二扫描信号线G2的信号过程说明本公开示例性实施例，图3中的像素驱动电路包括7个晶体管(第一晶体管T1到第一晶体管T1和第二晶体管T2为N型晶体管为[0077]I＝K*(Vgs-Vth)2＝[0081]本公开实施例的像素驱动电路，通过将第四节点N4初始化为第一初始信号线[0082]LTPS和氧化物(Oxide)两种半导体在显示行业备受关注，各具优势，不分伯仲。[0083]为了给LTPS多晶硅(p-Si)沟道补充氢元素，LTPS相关膜层中的氢元素含量都较化二氮(N2O)或较低的四氢化硅(SiH4)气体流量去增加薄膜的致密性，使得该缓冲层薄膜[0085]正是由于LTPO产品中LTPS晶体管补氢工艺和Oxide晶体管低氢工艺之间的兼容性[0086]图5a为本公开实施例一种显示基板的平面结构示意图，图5b为图5a中B-B方向的层的硅元素和氧元素的原子比大于第二缓冲层944的硅元素绝缘层941的硅元素和氮元素的原子比大于第二层间绝缘层942的硅元素和氮元素的原子[0092]在一些示例性实施方式中，第二层间绝缘层942的硅氢Si-H键含量是第一层间绝％～％～％～％～致密性好，高致密性的第二层间绝缘层942可以阻挡第一层间绝缘层中的氢元素往上扩散致密性较高的氧化硅(SiO)薄膜，第一缓冲层943起到阻挡下层第一层间绝缘层941和第二层间绝缘层942中的氢元素扩散的作用，第一缓冲层成膜时，需要通过较高一氧化二氮(N2O)或较低的四氢化硅(SiH4)气体流量去量。傅里叶变换红外(FourierTransformInfrared，FTIR)测试Si-O键位置在1065~1070cm-1，其中，cm-1为1厘米中包含的波数，如图5e所示，图5e的横坐标为波数(Wave致密性较低的氧化硅(SiO)薄膜，第二缓冲层944的薄膜致密性比第一缓冲层943的薄膜致[0108]在一些示例性实施方式中，第一阻氢层包括第二层间绝缘层942和设置在第二层[0110]第四导电层包括多个多晶硅晶体管的第一极和第二极以及多个氧化物晶体管的元素和氧元素的原子比高于第一钝化层971的硅元素这是由于氧化硅薄膜中的氢元素含量比氮化硅薄膜中的氢元素含量少，不会影响Oxide晶体管的特性；但是，氧化硅的薄膜致密性相对较差，后段蒸镀和封装(Evaportion&方面可以阻挡上层氮化硅薄膜中的氢元素往下扩散进而影响到Oxide晶体管的特性；第二钝化层972使用氢元素含量较低的氮化硅薄膜，一方面避免过多的氢元素往下扩散影响[0117]在一些示例性实施方式中，该显示基板还包括设置在第二阻氢层上的第五导电23连接，第六晶体管的第二极通过第七连接电极和阳极连接电极63与发光器件的阳极连至第七晶体管T7的第七有源层17，且第三有源层13至第七有源层17为相互连接的一体结极板24在基底上的正投影与第三晶体管T3的第三有源层在基底上的正投影存在重叠区域，以设置倒角，第二极板32在基底上的正投影与第一极板24在基底上的正投影存在重叠区[0137]在示例性实施例中，极板连接线35设置在第一方向X上相邻子像素的第二极板32投影位于第一扫描信号线21在基底上的正投影绝缘层941起到给多晶硅(p-Si)补充氢元素的作用；第五绝缘薄膜为厚度约为50nm~致密性的第二层间绝缘层942可以阻挡第一层间绝缘层941中的氢元素往上扩散至IGZO沟[0142]在一些示例性实施方式中，第一层间绝缘层941的硅元素和氮元素的原子比大于第二层间绝缘层942的硅元素和氮元素的原子比，且小于2倍的第二层间绝缘层942的硅元[0144]在一些示例性实施方式中，第二层间绝缘层942的硅氢Si-H键含量是第一层间绝[0145]在一些示例性实施方式中，第一层间绝缘层941的硅氢Si-H键含量为515%,％～[0148]在一些示例性实施方式中，第二层间绝缘层942的硅氢Si-H键％～通过图案化工艺对第二半导体薄膜进行图案化，形成覆盖基底的第一缓冲层(Buffer-1)943起到阻挡下层第一层间绝缘层941和第二层间绝缘层942中的氢元素扩散的作用，第一冲层944中的氧缺陷，进而减少后续形成的IGZO沟道和第二缓冲层944的交界面处的氧缺[0153]在一些示例性实施方式中，第一缓冲层943的硅元素和氧元素的原子比大于第二缓冲层944的硅元素和氧元素的原子比，且小于2倍的第二缓冲层944的硅元素和氧元素的[0154]在一些示例性实施方式中，第一缓冲层943的硅元素和氧元素的原子比在1.1到较低的四氢化硅(SiH4)气体流量去增FTIR测试Si-O键位置在1065～1致密性较低的氧化硅(SiO)薄膜，第二缓冲层944的薄膜致密性比第一缓冲层943的薄膜致扫描信号线21具有相同的信号，第二辅助信号线49与第二方向Y一侧的第二扫描信号线22的正投影位于第二极板32在基底上的正投影的范围之内，第二过孔V2内的第六绝缘层96、和第二绝缘层92被刻蚀掉，暴露出第六有源层的第二区(也是第七有源层的第二区)的表面。第四过孔V4配置为使后续形成的第六晶体管T6的第二极通过该过孔与第六有源层连和第二绝缘层92被刻蚀掉，暴露出第六有源层的第一区(也是第三有源层的第二区)的表面。第六过孔V6配置为使后续形成的第六晶体管T6的第一极(也是第一晶体管T1的第二极和第二晶体管T2的第一极)通过该过孔与第形成的第七晶体管T7的第一极通过该过孔与第七有和第二晶体管T2的第一极通过该过孔与节点电过孔V14和第十五过孔V15内的第六绝缘层94被刻蚀掉，分别暴露出第二有源层两端的表V16与第一有源层的第一区连接，使第七晶体管T7的第一极和第一晶体管T1的第一极具有[0183]在示例性实施例中，第五连接电极53在基底上的正投影完全覆盖第十四过孔V14第五连接电极53完全覆盖第十四过孔V14，可以防止氢元素从第十四过孔V14的位置进入[0184]在示例性实施例中，第五连接电极53在基底上的正投影的边缘与第十四过孔V14在基底上的正投影的边缘之间的最短距离大于第一层间绝缘层941和/或第二层间绝缘层[0186]在示例性实施例中，第六连接电极54在基底上的正投影完全覆盖第十五过孔V15[0187]在示例性实施例中，第六连接电极54在基底上的正投影的边缘与第十五过孔V15在基底上的正投影的边缘之间的最短距离大于第一层间绝缘层941和/或第二层间绝缘层[0189]在示例性实施例中，第八连接电极56通过第五过孔V5与第四有源层的第一区连通过第六过孔V6与第六有源层的另一端连接，另一方面通过第十五过孔V15与第二有源层二十过孔V20配置为使后续形成的阳极连接电极通过该过孔与第七连接电极55连接。第二使后续形成的数据信号线通过该过孔与第八连接电极56连接。第二十二过孔V22位于电源这是由于氧化硅薄膜中的氢元素含量比氮化硅薄膜中的氢元素含量少，不会影响Oxide晶面不会影响Oxide晶体管的特性，另一方面可以阻挡上层氮化硅薄膜中的氢元素往下扩散V21与第八连接电极56连接。由于第八连接电极56通过第五过孔与第四有源层的第一区连[0205]本公开前述所示结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明，在示例性实施方式[0206]从以上描述的显示基板的结构以及制备过程可以看出，[0210]在所述多晶硅晶体管层上依次形成第一层间绝缘层、第氢层的硅元素和氧元素的原子比大于所述第二缓冲层的硅元素和氧元小于2倍的所述第二层间绝缘层的硅元素和氮元素和氧元素的原子比大于所述第二缓冲层的硅元素和氧元素的原子比，且小于2倍的所