CN113949250B 一种半导体器件及其控制方法 （广东汇芯半导体有限公司）

仙湖度假区养生路10号之一(住所申号输出电路及下桥臂驱动信号输出电路均与所下桥臂驱动电路及故障逻辑控制电路，所述PWM间较长导致RS触发器无法记录到单脉冲GEN发出2故障逻辑控制电路均与所述上桥臂驱动电路电管MOS3及MOSFET管MOS4，所述MOSFET管MOS1及MOSFET管MOS2均分别与所述脉冲产生电路、出HIN脉冲信号,所述HIN脉冲信号经过信号处理输出上升沿和下降沿分别来驱动MOSFET管MOSFET管MOS2的导通信号和关断信号直接发送到RS触发器暂存并输出脉冲信号分别给到2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述下桥臂驱动电路比较器、6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：当所3[0002]智能功率模块(IntelligentPowerModule，IPM)是一种将电力电子和集成电路的高压DMOS瞬时导通与关断，一般由上桥HIN信号的上升沿和下降沿分别产生脉冲控制其流电流能力，之所以不能用HIN的持续高低信号来控制DMOS的导通，是因为在VS为600V~4器及UV滤波器电性连接，所述锁存器分别与DV/DT滤波器、UV滤波器及或非逻辑门电性连一脉冲发生电路接入HIN输入信号，所述延时电路分别与第一脉冲发生电路及第二脉冲发号和关断信号直接发送到RS触发器暂存并输出脉冲信号分别给到MOSFET管MOS3及MOSFET发器的Q端输出为高电平，此时脉冲发生电路的HINB端为低电平，MOSFET管MOS2为截至状特电路滤波处理，然后电平转换电路输出HIN脉冲信号,所述HIN脉冲信号经过信号处理输5的本发明各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必6故障时候，ITRIP端检测到信号异常时候，把信号反馈到MCU，立即采取动作，切断信号，路分别与脉冲产生电路及滤波整流电路电性连接，该锁存器电路与滤波整流电路电性连电路电性连接；该驱动导通电路包括MOSFET管MOS1、MOSFET管MOS2,该滤波整流电路包括发生电路及第二脉冲发生电路电性连接，该第二脉冲发生电路与该驱动导通电路电性连发器300的输入端为该高压侧驱动电路326的输入端，第一施密特触发器300的输出端与第一滤波电路301的输入端互联；第一滤波电路301的输出端与电位位移电路302的输入端互303输出端与脉冲产生电路304输入端互联；脉冲产生电路304输出端与MOSFET管MOS1、7300用于对外围主控板MCU输出的PWM控制信号进行滤波后稳定输出至后级的第一滤波电路电303输出的高电平信号后输出至MOSFET管MOS1、MOSFET管MOS2的栅极进行驱动导通，或非逻辑门307用于接收锁存器306信号，通过输入发热高低电平进行对比，从而控制一施密特触发器312的输入端为信号LIN输入端，施密特触发器321的输出端与第二滤波电电路314输出端与死区产生互锁电路309的输入端互联；死区产生互锁电路309的输出端与延时电路310互联；延时电路310输出端与比较器315输入端互联；比较器315输出端与围主控板MCU输出的PWM控制信号进行滤波后稳定输出至后级的第二滤波电路313，第二滤互锁电路309输出的控制信号进行延时输出，以避免在下桥臂功率管与高压侧驱动电路的8HIN脉冲信号,脉冲发生电路403的脉冲信号经过信号处理输出上升沿和下降沿分别来驱动生电路检测到HIN下降沿信号时，HINB端脉冲发生电路会输出一个脉冲信号，高压DMOS管冲驱动电路，解决由于VS从负恢复的时间较长导致RS触发器无法记录到单脉冲GEN发