CN113972302B TOPCon电池及其制备方法和电器设备 （通威太阳能(眉山)有限公司）

本发明涉及一种TOPCon电池及其制备方法及氧化硅掩膜层；隧穿氧化层的沉积方式为的沉积方式为PECVD，所述氧化硅掩膜层的厚度2在所述硅片的背面依次形成隧穿氧化层、本征多晶硅层去除所述硅片正面绕镀的氧化硅掩膜层材料分别在所述PN结上形成正面电极和在所述所述本征多晶硅层及所述氧化硅掩膜层的沉积方所述隧穿氧化层、所述本征多晶硅层、所述在所述隧穿氧化层上采用PECVD的方式依次沉积本征非晶硅薄膜及掺杂非晶硅薄膜，述掺杂非晶硅薄膜的内层和表层分别转化为所述掺杂多晶硅层和所述退火处理的条件为：于600℃~1000℃处理10350℃~500℃。9.如权利要求1至6任一项所述的制备方法，其特征10.如权利要求1至6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为3％～材料的步骤是在去除所述硅片正面绕镀的氧化去除所述硅片的正面绕镀的多晶硅层材料的方4[0001]本发明涉及电池技术领域，特别是涉及一种TOPCon电池及其制备方法和电器设采用N型硅片，无B-O复合硅片体寿命高；硅片中金属杂质含量低，LID和LeTID衰减率低；poly-Si钝化金属接触，Voc>705mV；电池背面小绒面结构，双面率约90％。根据德国TUV(LPCVD)沉积隧穿氧化层和非晶硅薄膜，然后采用离子注入或磷扩散的方式对非晶硅薄膜入的金属杂质，后再经过退火激活poly-Si薄膜中的磷原子，同时修复离子注入引起的损路电压的基础上提高良率的TOPCon电5[0019]在所述隧穿氧化层上采用PECVD的方式依次沉积本征非晶硅薄膜及掺杂非晶硅薄所述掺杂非晶硅薄膜的内层和表层分别转化为所述掺杂多晶硅层和所[0021]在其中一个实施例中，沉积所述本征非晶硅薄膜的条件包括：通入载气及SiH4，SiH4与载气的流量比为1:(6～8)，沉积温度43与载气的流量比为1:(2～3):(4～6)，沉积温度为350℃~500℃。采用的酸液为体积百分比在815％的氢氟酸。[0031]在其中一个实施例中，去除所述硅片正面绕镀的氧化硅掩膜层材料的方式为酸6成隧穿氧化层并在特定沉积温度进行，采用PECVD的沉积方式形成掺杂多晶硅层，相比于7硅掩膜层；隧穿氧化层的沉积方式为PEALD(等离子体增强原子层沉积技术)，沉积温度为膜层又容易去除，以便在PN结和掺杂多晶硅层上分别形成正面电极和背面电极，制得多晶硅层和掺杂多晶硅层可在同一管式沉积设备的同一沉积腔室内依次沉积隧穿氧化层、8[0073]在隧穿氧化层上采用PECVD的方式依次沉积本征非晶硅薄膜及掺杂非晶硅薄膜，600℃~1000℃处理10min～60min。9掺杂非晶硅薄膜和氧化硅掩膜层的沉积温度各自独立地优选为350℃~400℃。有机硅源和氧气作为反应源，有机硅源与氧气的流量比为1：(2～3)，沉积压强为100Pa~酸洗所采用的酸液为体积百分比在1040％的氢氟酸；进一步优选为体积百分比在20%洗所采用的碱液为包含氢氧化钠和氢氧化钾中至少一种的溶液，碱液的质量浓度为3%~硅层的表面由于在高温扩散的条件下氧化形成硼硅玻璃层。其中，硼掺杂硅层为P型掺杂[0099](1)正面制绒：先采用体积分数为2％的双氧水和质量浓度为0.3％的碱液进行清[0102](4)背面形成隧穿氧化层和多晶硅钝化膜：采用管式PEALD沉积隧穿氧化层131和在射频电场的电作用下在硅片表面沉积一薄层氧化硅层作为隧穿氧化层；隧穿氧化层131[0109](7)正面氧化铝膜和氮化硅膜沉积：采用PEALD方式以氧气和TMA(三甲基铝)作为[0114]与实施例1基板相同，区别在于：步骤(7)的Al2O3沉积方式采用[0116]与实施例1基板相同，区别在于：步骤(4)的膜层二和膜层三的沉积厚度分别是[0138]从上表可知，本发明实施例采用PEALD方式沉积隧穿氧化层(SiO2)薄膜，采用PECVD方式沉积本征多晶硅层(i-poly-Si)、磷掺杂的多晶硅层(n+-poly-Si)及背面掩膜[0139]对比例1在步骤(4)