CN114005748B 一种半导体器件的表面平坦化方法 （株洲中车时代半导体有限公司）_第1页
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JP2006049684A,200本发明涉及一种半导体器件的表面平坦化氮化硅；对打开区域进行氧化形成终端区氧化将元胞区域沟槽内高于硅平面的多晶硅和氧化26.如权利要求5所述的半导体器件的表面平坦化方法，其特征是，硬掩膜层的厚度为化硅和氧化层的方法为，选择对氮化硅和氧化层刻蚀速度相近的物质刻蚀氮化硅和氧化34[0020]10)将元胞区域沟槽内高于硅平面的多晶硅和氧化层进行刻蚀，停留在与硅衬底特别涉及功率半导体器件中，可以达到稳定量产方案的同时，实现表面平坦化CMP5[0052]本申请中一个或多个实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有6789

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