CN114188486B 单晶钙钛矿材料及其制备方法和窄带光响应探测器 （长春理工大学）

单晶钙钛矿材料及其制备方法和窄带光响本申请提供一种单晶钙钛矿材料及其制备括钙钛矿单晶和包覆在其表面的金属氧化物膜以金属氧化物膜层对应的金属的化合物为金属2材料包括钙钛矿单晶和包覆在其表面的金属氧4.根据权利要求1所述的窄带光响应探测器，其特征在于，所述钙钛矿单晶为MAPbI3-8.根据权利要求7所述的窄带光响应探测器，其特征在于，所述加热条件的温度为80℃-120℃。10.根据权利要求7所述的窄带光响应探测器，其特征在于，所述静置的时间为24h-3[0003]所谓窄带光响应探测器是利用具有窄带吸收特性的单晶或是具有特定波长吸收[0007]本申请的目的在于提供一种单晶钙钛矿材料及其制备方4[0021]以臭氧为氧的前驱体、以所述金属氧化物膜层对应的金属的化合物为金属前驱[0030]先用臭氧对所述钙钛矿单晶的表面进行活化，然后沉积得到所述金属氧化物膜[0034]本申请提供的单晶钙钛矿材料的制备方法，使用ALD法在钙钛矿单晶的表面沉积得到致密的金属氧化物膜层。该金属氧化物膜层为钙钛矿单晶提供了一个真空的微环境，极大程度上提高了单晶器件的光热稳定性以及器件的[0035]我们提出一种利用界面偶极子调控光响应探测器响应带宽和短波抑制比的方5[0049]图12为实施例1得到的单晶钙钛矿包覆氧化铝材料在15K温度下低温变功率的光[0054]图17为实施例1得到的单晶钙钛矿包覆氧化铝材料在同等测试条件下的光响应特[0055]图18为同等条件下测试未经O3处理仅包覆Al2O3的MAPbBr3单晶的光响应特性测试6的缺陷差异产生的表面复合导致单晶具有特征[0076]通过控制单晶组分不仅拓宽了窄带光响应探测器的响应范围，同时X位元素的改7[0082]以臭氧为氧的前驱体、以所述金属氧化物膜层对应的金属的化合物为金属前驱[0092]先用臭氧对所述钙钛矿单晶的表面进行活化，然后沉积得到所述金属氧化物膜[0097](1)前驱体溶液的配制：分别称量1.101的PbBr2粉末及0.3357的MABr粉末置于10mL容量的烧杯中，用移液枪量取5mL的DMF溶液加入烧杯中，配制成物质的量浓度为82O3中较少的Al-O-H键和Al-Al键是通过O3取代传统的H2O实现的。因为Al-O-H键和待循环完毕可在单晶表面完成100nm的Al2[0107]MAPbBr3单晶和MAPbBr3单晶包覆Al2O3薄膜材料的XRD谱图在相同位置均出现[0108]对实施例1得到的MAPbBr3单晶和MAPbBr3单晶包覆Al2O3薄膜材料分别进行光响应[0109]相比于MAPbBr3单晶的光响应曲线，包覆Al2O3薄膜后单晶的光响应曲线在高能侧[0110]图10为实施例1得到的MAPbBr3单晶和MAPbBr3单晶包覆Al2O3薄膜材料的光致发光[0111]相比于MAPbBr3单晶的PL峰位，包覆Al2O3薄膜后的单晶峰位发生轻微红移并且强92O3中较少的Al-O-H键和Al-Al键是通过O3取代传统的H2O实现的。因为Al-O-H键和待循环完毕可在单晶表面完成200nm的Al2为透明状。将获得的透明前驱体溶液用0.22μm的针头式过滤器2O3中较少的Al-O-H键和Al-Al键是通过O3取代传统的H2O实现的。因为Al-O-H键和待循环完毕可在单晶表面完成250nm的Al2O乙基胺)铪(TEMAHf)为铪源前驱体。沉积的速度约为1A/cycle,TEMAHf前驱体脉冲时间为(TMA)作为铝前驱体。沉积的速度约为12O3中较少的Al-O-H键和Al-Al键是通循环完毕可在单晶表面完成100nm的Al2O2O3中较少的Al-O-H键和Al-Al键是通循环完毕可在单晶表面完成50nm的Al2O[0152]对实施例6得到的MAPbI3单晶和单晶钙钛矿材料分别进行光响应特性测试，结果后获得3mm-8mm大小的CH3NH3PbI3-x获得3mm-8mm大小的CH3NH3PbBr3-x[0161]由图16和图17对比可知，MAPbBr3相比与CsPbBr3相比具有更[0163]首先配置1.1mol/L的CsB[0167]同等条件下测试未经O3处理仅包覆Al2O3的MAPbBr3单晶的光响应特征曲线，结果制效果而图18中未经过O3处理单晶的光响应未有明显的抑制效果，从而可以解释为O3可以[0181]为了说明包覆在钙钛矿单晶表面的金属氧化物膜层的厚度对所得探测器性能的影响，以实施例1提供的方法作为基础，分别制备得到包覆12nm、25nm、50nm后氧化铝的