CN114220470B 一种闪存颗粒筛选方法、终端及计算机可读存储介质 （浙江华忆芯科技有限公司）

2擦除目标闪存块中闪存页的数据，并写入测试数据至所述闪存页，基于所述比特错误率确定所述闪存页的第一判定结果；基于所述根据所述目标闪存块中包含所述闪存页的第一判定结果和第二判如果所述闪存页的擦除时间不大于所述擦除时间阈值，如果所述比特错误率不大于所述比特错误率阈值，则确定如果所述闪存页的擦除时间大于所述擦除时间阈值，或如果所述比特错误率大于所述比特错误率阈值，则确定响应于所述闪存页的第一判定结果为不合格如果所述闪存页的擦除时间小于所述擦除时间阈值，且如果所述闪存页的擦除时间不小于所述擦除时间阈值所述根据所述目标闪存块中包含所述闪存页的第一判定结果和第如果所述目标闪存块包含的所有所述闪存页的所述第一判定结果和所述第二判定结3所述根据所述目标闪存块中包含所述闪存页的第一判定结果和第如果所述目标闪存块包含的所有所述闪存页的所述第一判定结果和所述第二判定结所述根据所述目标闪存块中包含所述闪存页的第一判定结果和第如果所述目标闪存块包含的所述闪存页的所述第一判定结果和所述第二判定结果不所述如果所述目标闪存块包含的所述闪存页的所述第一判定结果和所述第二判定结判断所述目标闪存块包含所述闪存页的所述第一判定结果和所述第二判定结果不一如果所述目标闪存块包含所述第一判定结果和所述第二判定结果不一致的所述闪存所述擦除目标闪存块中闪存页的数据，并写入测试数据至所述闪存对所述目标闪存块中所述闪存页的数据进行S对所述目标闪存块中擦除数据的所述闪存页进行TLC模所述擦除目标闪存块中闪存页的数据，并写入测试数据至所述闪存4所述如果所述未擦除数据的个数不大于所述阈值，则确定所述闪存块所述擦除目标闪存块中闪存页的数据，并写入测试数据至所述闪存如果所述第二个数大于所述第二阈值，则判断所述在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器用于执行程序数据以实现如权利要求1~程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1～16任一项所述的闪存颗粒筛选5[0003]随着闪存技术的不断更新，闪存存储器由三阶储存单元(Triple-LevelCell，67方式对本申请所提供的一种闪存颗粒筛选方8[0042]如果比特错误率大于比特错误率阈值，则确定闪存页的第一判定结果为不合判断闪存页的擦除时间是否大于擦除时间阈值，闪存页的写入时间是否大于写入时间阈[0043]如果比特错误率大于比特错误率阈值，则确定闪存页的第一判定结果为不合判断闪存页的擦除时间是否小于擦除时间阈值，闪存页的写入时间是否小于写入时间阈9[0047]请参阅图2，图2是本申请提供的闪存颗粒筛选方法一具体实施例的流程示意取擦除后闪存块中0的个数为第二个数。通过该步骤可以统计得到闪存块中未被擦除数据导致可靠性远差于其它正常闪存块的目标闪存块暴露出来。将测试数据设置为“棋盘格”[0073]对目标闪存块中擦除数据的闪存页进行TLC模式写入，将测试数据写入擦除数据特错误率大于比特错误率，则表明闪存页的比特错误率大于合格的闪存页的比特错误率，合格的闪存页的比特错误率，则确定闪存页的第一判定结果为不合格。直接跳转至步骤[0084]为了进一步提高检测准确率，在原有的单独依靠错误翻缘效应等特性而造成的误判。判断目标闪存块包含的所有闪存页的第一判定结果和第二判定结果是否均被判定为不合格，如果目标闪存块包含的所有闪存页的第一判定结果和第二判定结果均被判定为不合[0102]具体地，如果目标闪存块包含的闪存页的第一判定结果70包括：处理器71、存储器72以及存储在存储器72中并可-在处理器71上运行的计算机程[0107]其中，计算机可读存储介质90可以是前述实施方式的计算机设备的