CN114242766B 一种复合衬底结构及其形貌改善方法 （上海新硅聚合半导体有限公司）_第1页
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US5780311A,1998.07.1423.根据权利要求1-2任一项所述的复合衬底结构，其特征在于，所述第一应力平衡层34料的异质集成已经成为未来芯片性能和集成程度提升的重加工。[0010]所述第一应力平衡层和所述第二应力平衡层通过相同工艺且同时分别制作在所[0011]所述第一应力平衡层用于根据所述复合衬底结构中的应力分布调整所述第一应5[0018]所述功能薄膜层内部的面内应力与所述第二应力平衡层内部的面内应力方向相[0025]在所述衬底层相对的两个侧面上同时分别沉积第一应力平衡层和第二应力平衡6指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。衡层103材质相同。第一应力平衡层101和第二应力平衡层103通过相同工艺且同时分别制于平衡制作第一应力平衡层101时所产生[0047]本申请实施例所述的复合衬底结构，通过在衬底层102的背面设置第一应力平衡7设置第一应力平衡层101的同时在衬底层102的正面设置第二应力平衡层103能够平衡第一合衬底结构中出现因应力分布不均匀而出现弯曲时，可通过调节第一应力平衡层101的厚力平衡层101所产生的单面应力，从而维持衬底层102在转移薄膜之前具有良好的面型结的第一应力平衡层101和第二应力平衡层103具有相同的厚度，以保证衬底层102正反两面的应力平衡，即第一应力平衡层101和第二应力平衡层103具有相同大小的初始面内应力。[0050]本申请实施例中，如图1所示，介质层104作为功能薄膜层105与第二应力平衡层103之间键合结合的界面，以提升功能薄膜层105与第二应力平衡层103的键合强度。可选8力平衡层101和第二应力平衡层103内部的面内应力为压应力。当功能薄膜层105内部的面内应力为压应力时，第一应力平衡层101和第二应力平衡层103内部的面内应力为拉应力。部的面内应力为100MPa-2000MPa。在对第一应力平衡层101进行减薄后，第一应力平衡层101内部的面内应力小于第二应力平衡层103内部的[0053]本申请实施例中，图2为本申请实施例提供的一种初始复合衬底结构的应力分布定第一应力平衡层101和第二应力平衡层103中具有500MPa的压应力，功能薄膜层105内具[0054]本申请实施例还提供了一种复合衬底结构的形貌改善方法，图4为本申请实施例[0056]本申请实施例中，图5为本申请实施例提供的一种复合衬底结构的形貌改善方法[0061]本申请实施例中，在第二应力平衡层103上沉积介质层104以加强功能薄膜层1059

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