CN114361203B X射线直接探测器及其制备方法 （中国科学院深圳先进技术研究院）

本申请属于光电技术领域，尤其涉及一种X对X射线具有强吸收的量子阵列膜层，探测灵敏2将所述前驱体溶胶在衬底表面成膜处理后，退火处理，在所述衬2.如权利要求1所述的X射线直接探测器的制备3.如权利要求2所述的X射线直接探测器的制备方法，其特征在于，所述有机脲包括：4.如权利要求3所述的X射线直接探测器的制备方法，)223)223)2I中的至少一种；3)2+中的至少一种；4二维杂化钙钛矿对X射线具有较高吸收系数，同时在八面体片层的生长方向能够产生强烈[0004]本申请的目的在于提供一种X射线直接探测器及其制备方法，旨在一定程度上解5)223)223)2I中的至少一种；)2+中的至少一种。[0034]本申请第一方面提供的X射线直接探测器的制备方法，配置前驱体溶胶时添加了6[0039]图3是本申请实施例1～3和对比例1提供的X射线直接探测器光电流密度(纵坐标)[0045]本申请实施例说明书中所提到的相关成分的重量不仅仅可以指代各组分的具体7[0051]本申请实施例第一方面提供的X射线直接探测器的制备方法，配置前驱体溶胶时量子阵列膜层厚度的同时保持量子阱在电极上的原位[0052]本申请实施例制备的量子阵列膜层中二维杂化钙钛矿的结构通式为A’A和/或A'2An-1BnX3n+1，B位的碳族[0053]本申请实施例制备的直接型X射线影像探测器中，二维杂化钙钛矿的量子阵列膜8加量便可有效优化二维杂化钙钛矿中[BX6]八面体的聚集团聚速率，形成稳定的前驱体溶团与钙钛矿八面体中心阳离子形成中间体，过度抑制了二维杂化钙钛矿中[BX6]八面体的910，优选为4～10。在一些实施例中，卤化碳族金属在溶剂中的初始浓度优选为0.5~[0062]在一些实施例中，上述步骤S20中，将前驱体溶胶在衬底表面成膜的处理步骤包[0063]在一些实施例中，退火处理的步骤包括：在温度为80～150℃,真空度不高于-~120℃,保温8～15min，使二维杂化钙丙基胺氢碘酸盐中的一种或两种；这些有机配体通过静电引力与八面体边缘的阴离子键)22+等碱金属离子可有效提高钙钛矿材料的热稳定性能。胺是钙钛矿前驱体的良溶剂，其作用与二甲基亚砜相似，但其中C＝O与B位阳离子的作用的方法将碳浆涂敷于量子阵列膜层表面，接着在80～120℃下固化5～45min，优选为90~[0070]如附图2所示，本申请实施例第二方面提供一种上述方法制备的X射线直接探测膜层表面的电极层；其中，量子阵列膜层中包含有结构通式为A’An-1BnX3n+1和/或A'2An-式与碳族金属元素形成[BX6]正八面体，八个[BX6]正八面体以共顶点连接的形式组成一个[0077]在一些实施例中，衬底的材料包括：I氧化铟锡(ITO)、掺杂氟的SnO2导电玻璃施例X射线直接探测器及其制备方法的进步性能显著的体现，以下通过多个实施例来举例碘酸盐、碘化铅的摩尔比为2:3:4，碘化铅在溶剂中的初始浓度为3mol/L，溶剂总体积为接着预热涂膜机工作台至120℃,将前驱体溶胶滴加到热的氧化铟锡玻璃上，设置程序升能够通过改进膜层的均匀性提高膜层X