CN114447586B 可重构天线及其制备方法 （京东方科技集团股份有限公司）

US6133972A,2000.10.17一金属层和所述第二金属层配置为向所述液晶2相对设置的第一基板和第二基板；所述第一基板和所述第二基设置在所述第一基板与所述液晶层之间的第一金属层，所述第一设置在所述第二基板与所述液晶层之间的第二金属层，所述第二所述第一金属层和所述第二金属层配置为向所述液晶层提供电场，以使所述可重构天线还包括支撑结构，所述支撑结构设置在所述第一基置有灌晶口，所述灌晶口与所述支撑结构的内部连通；所述灌晶口的长度和宽度均为所述可重构天线还包括第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层设置板与所述第一金属层之间，所述第二阻挡层设置在所述第二基板与所述第二金属层之间；当所述第一阻挡层和所述第二阻挡层的材料为SiO2时，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层的厚度为2000Å-6000Å；当所述第一阻挡层和所述第二阻挡层的材料为SiO2/a-Si时，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层的厚度为2015Å-604.根据权利要求1至3中任意一项所述的可重构天线，其特5.根据权利要求1至3中任意一项所述的可重电损耗角正切为0.0042至0.0052，所述第一金属层和所述第二金属层的厚度为1.26μm至或180μm至220μm，所述液晶层的垂直态介电常数为2.3至2.5，垂直态介电损耗角正切为8.根据权利要求7所述的可重构天线，其特征在于，所3将形成有所述第一金属层的所述第一基板和形成有所述第二金属层的所述第二基板其中，所述第一金属层位于所述第一基板与所述液晶层之间将形成有所述第一金属层的所述第一基板和形成有所述第二金属层的所述第二基板其中，在将形成有所述第一金属层的所述第一基板和一基板上的正投影均位于所述支撑结构在所述第一基板上的正投影所限其中，所述第一金属层位于所述第一阻挡层远离所述第一基4基板上的正投影均位于所述支撑结构在所述第一基板上的正投影所限定的区5至28.2mm，所述辐射贴片层的宽度为14mm至18mm，所述微带线传输线的线宽为0.39mm至[0021]将形成有所述第一金属层的所述第一基板和形成有所述第二金属层的所述第二述第一基板上的正投影均位于所述支撑结构在所述第一基板上的正投影所限定的区域之金属层位于所述第二阻挡层远离所述第二基6非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。相对位置关系也可能相应地改变。[0037]本发明实施例提供一种可重构天线，图1为本发明实施例提供的可重构天线的示[0039]下面结合图1至图3f对本发明实施例的可重构天线的结构进行详细说明，在一些[0040]图2为本发明实施例提供的可重构天线的结构示意图之二，图3a至图3f为多个实一基板1上的正投影均位于支撑结构6在第一基板1上的正投影所限定的7[0043]在一示例中，支撑结构6在第一基板1上的正投影限定出多个形状相同的矩形区的正投影限定出两个矩形区域，每个矩形区域的长度可以为14.85mm至18.15mm，例如，[0046]在一示例中，支撑结构6在第一基板1上的正投影限定出多个形状相同的矩形区板1所限定出的多个区域的排列方向还可以沿与第一方向/第二方向交叉的二阻挡层72的厚度可以为2000A至6000A,例如，5500A;当当第一阻挡层71和第二阻挡层72的材料为SiO2/a-Si时，第一阻挡层71和第二阻挡层72的厚度可以为2015A至6015A,例如，第一阻挡层71和第二阻挡层72的厚度可以为6015A,其中，SiO2的厚度为6000A,a-Si的厚度为15A;或者，第一阻挡层71和第二阻挡层72的厚度可以为2015A,8以及在第二基板2上设置第二阻挡层72，可以使第一基板1和第二基板2上的应力分布更加一金属层4和第二金属层5具有较小的导体介质损耗和良好层3中的液晶分子的长轴方向垂直于所施加的电场的方向时液晶层3的介电常数；液晶层3的垂直态介电损耗角正切是指当液晶层3中的液晶分子的长轴方向平行于所施加的电场的方向时液晶层3的介电损耗角正切；液晶层3的水平态介电损耗角正切是指当液晶层3中的液晶分子的长轴方向垂直于所施加的电场的方向时液晶层3的介电损耗角正切。在下文的[0059]在本示例中，随着液晶层3的介电常数的变化，可重构天线的谐振频率f0连续可9[0061]在本示例中，随着液晶层3的介电常数的变化，可重构天线的谐振频率f0连续可增益范围-10.87dBi至-15.8[0063]在本示例中，随着液晶层3的介电常数的变化，可重构天线的谐振频率f0连续可[0065]在本示例中，随着液晶层3的介电常数的变化，可重构天线的谐振频率f0连续可[0067]在本示例中，随着液晶层3的介电常数的变化，可重构天线的谐振频率f0连续可[0069]在本示例中，随着液晶层3的介电常数的变化，可重构天线的谐振频率f0连续可[0071]本发明实施利还提供一种可重构天线的制备方法，图4为本发明实施例提供的可[0076]S13、将形成有所述第一金属层的第一基板和形成有第二金属层的第二基板进行[0079]图5为本发明实施例提供的可重构天线的制备过程的示意图，下面结合图4和图5金属层4的第一基板1和形成有第二金属层5的第二基板2进行对盒之后，液晶层3在第一基板1上的正投影、第一金属层4在第一基板1上的正投影均位于支撑结构6在第一基板1上的[0087]S25、将形成有第一金属层4的第一基板1和形成有第二金属层5的第二基板2进行可以通过灌晶口H向支撑结构6内部(即前文所述的灌晶区域)灌晶，以在支撑结构6内部形1和第二基板2上沉积SiO2材料(厚度为5500A)或SiO2/a-Si(厚度为6000/15A)，得到