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文档简介
正文目录把握AI高景气周期产突破与扩产带来投机遇 5情现:2026年半年万子业现好 5绩述:SW电业盈能有改,2026Q1业表亮眼 6金仓:AI算力半导体自可方仍机构点注 9望把握AI高周期国突与产来的资遇 10算力建设方兴艾,PCB、存储和MLCC等环节需求旺盛 10AIPCB受于力速建,产好游备及料 12储业望持高景度国厂市份额身列 18AI驱高端MLCC求扩,业气有上行 21关注国产技术破与能扩充带来的投资遇 25为韬定”望国产破关先封与高端片域 25内导产积扩产有提上设及材需求 29投资建议 35风险因素 36图表1:2026年至6月22日申万级业跌表情况(%) 5图表2: 近年申电行估表现倍) 5图表3: 申万子业2023-2025年营情况 6图表4: 申万子业2023-2025归母利情况 6图表5: 申万子业2023-2025年期费率况 6图表6: 申万子业2023-2025年毛率净率 6图表7: 申万子业2023Q1-2026Q1营情况 7图表8: 申万子业2023Q1-2026Q1归净润况 7图表9: 半体2024-2026年Q1收及母利情况 8图表10: 消费子2024-2026年Q1营收归净润况 8图表光学子2024-2026年Q1营及母利情况 8图表12: 元件2024-2026年Q1及归净润况 8图表13: 2026年Q1十重情况按股市排) 9图表14: 2026年Q1十加情况按股值动值排) 10图表15: 2023-2026球大CSP资本出额估单:十美) 图表16: 英伟布Rubin台即全投产 图表17: 英伟发片Spark布局AIPC赛道 12图表18: GPU和ASIC对PCB对比 13图表19: 2026年球PCB产预(单:万元) 13图表20: 2025-2030球PCB复合长预测 13图表21: 申万制路行业情况 14图表22: 国内PCB商期产划 14图表23: PCB本构比况 15图表24: 2025-2026球AI覆板市规预测 16图表25: 覆铜及关游节16图表26: 2020-2029按入球PCB用备场(按区分单:百万元) 17图表27: 主要PCB用产备绍 17图表28: PCB环生设年合增率测 18图表29: 专用具耗环扩情况 18图表30: 近年存芯市规(以DRAM和NANDFlash为) 19图表31: DRAM分品约价走(位美) 19图表32: NANDFlash部分品平均走(位美) 19图表33: DRAM厂市份况 20图表34: NANDFlash各厂市额情况 20图表35: 海外储厂产划 21图表36: 不同用品MLCC用量 22图表37: MLCC市规预测 22图表38: MLCC产链 23图表39: 全球MLCC市份占情况 23图表40: MLCC龙厂近调动作 24图表41: 国内MLCC企布情况 24图表42: 从几尺的微移时间度缩微 25图表43: 麒麟片过辑叠计提性能 25图表44: 海外片商进装线 26图表45: 先进装场模测单位亿元) 27图表46: 先进装术展势 27图表47: 2025年国AI芯片市竞争局 28图表48: 近期产模与力片的配况 29图表49: 近期分导行司IPO进程 30图表50: 我国要圆部产扩建目 31图表51: 300mm晶圆厂设支况 32图表52: 各环半体备产率及商况 32图表53: 我国导设厂布情况 33图表54: 半导设零件局国产情况 34图表55: 半导材各分域况 35AI高景气周期和国产突破与扩产带来的投资机遇行情表现:2026年上半年申万电子行业表现较好2026年初至6月22日,申万电子行业跑赢沪深300指数和创业板指数。2026年初至6月深300指数涨9.28,创板数上36.10,万子业涨69.74,在3130060.46图表1: 2026年至6月22日申万级业跌表情况(%)截至2026年6月222026119.86倍,2019SWPE(TTM2019图表2: 近年申电行估表现倍)业绩综述:SW电子行业盈利能力有所改善,2026Q1业绩表现亮眼2025年实现亿同比长19.91电行2025的毛利率为15.79比涨整期费率为10.68同下滑具体的,SW电子行业2025年的销售费用率/管理费用率/研发费用率/财务费用率分别为1.76/5.25体现行整体20251791.43增长31.28于期收增母利为4.30比升明行业图表3: 申万子业2023-2025年营情况 图表4: 申万子业2023-2025归母利情况图表5: 申万子业2023-2025年期费率况 图表6: 申万子业2023-2025年毛率净率2025年SW电子营收逐季增长,2026Q1利润端有所改善。申万电子行业2025年Q4实现营元比长6.63比长并出三单度高2025年Q4316.79亿元,环比下降49.76,主要受原材料成本压力和汇兑损失等因素影响;SW电子行业2026Q1625.12图表7: 申万子业2023Q1-2026Q1营情况 图表8: 申万子业2023Q1-2026Q1归净润况多个子板块2026Q1营收、归母净利润均实现同比增长。具体来看:2025半导体亿,同增12.53万电行总收的16.22;实亿,同增29.91毛率和利分为27.71/6.60,同比分别+2.45pct/+1.03pct。2026Q1,半导体板块营收为1846.36亿元,同比增长24.75;归母净利润为245.82亿元,同比增长168.32;毛利率和净利率分别为33.23/13.24同分+6.96pct/+7.06pct2026年Q1导板整业延续了2025成电路制造和数字芯片设计子板块实现同比增长,其中数字芯片设计子板块同比大幅增长422.97AI2025年,消2142.127.7占824.75净利分为11.32,比分-0.45pct/+0.06pct,要受材成上涨2026Q1,5393.3833.65;209.1244.40归母净利润同比下滑,但2026年Q1品牌消费电子和消费电子零部件及组装子板块营AIAI算力建设提振上游AI服务器及零部件需AIAIAI光学光电子板块2026Q120257543.15亿元,同比增长5.60,占电子行业总营收的18.09;实现归母净利润59.21亿元,同比下滑15.0;毛利率和净利率148/078,同比分别+0.63c/.8pct061电板营为764.8亿比1.8;27.3018.87,块中,2026年Q1LED元件行业受AI2025亿增长24.15占子总营的现净利347.15亿元,同比增长56.16;毛利率和净利率分别为23.13,同比分2026Q1,969.48100.7046.07/24.37/10.582025三级2026Q1AI算力加速建设,AI服务器出货增长提振电子元件需求,板块业绩进一步提升。2025645.12亿元,同比升11.49占行业营的归母利55.81元比上升利和利率别为29.18/9.21同比别+0.60pct/+0.84pct170.7220.1715.59比增长5.51。图表9: 半体2024-2026年Q1收及母利情况 图表10:消费子2024-2026年Q1营收归净润情况图表11:2024-2026年Q1
图表12:2024-2026Q1 基金持仓:AI算力&半导体自主可控方向仍受机构重点关注202120265月15SW2026Q1从持股市值排序看,前十大重仓股组成稳定,半导体行业标的仍为机构主要配置方向持股市值方面2026Q1行情表现方面2026Q1图表13:2026年Q1)排序代码名称持股总市值(万元)持有基金数(个)季度涨跌幅(%)所属二级行业1688256.SH寒武纪4,730,383.25656-27.51半导体2688041.SH海光信息4,200,496.82620-6.27半导体3688012.SH中微公司3,830,550.4347812.34半导体4688008.SH澜起科技3,096,353.483366.35半导体5688981.SH中芯国际2,963,179.88334-23.43半导体6002371.SZ北方华创2,874,774.02481-2.63半导体7002384.SZ东山精密2,835,153.4541722.03元件8688072.SH拓荆科技2,229,326.3736812.12半导体9002475.SZ立讯精密2,182,481.20682-12.89消费电子10603986.SH兆易创新2,042,037.7235811.13半导体2026年Q110Q1从机构关注方向来看,1)焦AI算力建设AIAIAICMP图表14:2026年Q1)排序代码名称持股市值变动(万元)季度持仓变动(万股)季度涨跌幅(%)所属二级行业1688521.SH芯原股份1,025,017.272694.023947.70半导体2688498.SH源杰科技980,873.98410.264256.67半导体3688525.SH佰维存储729,048.231278.92784.68半导体4688012.SH中微公司585,843.54772.408812.34半导体5688120.SH华海清科555,387.492671.597815.94半导体6300604.SZ长川科技490,444.233204.98619.48半导体7688072.SH拓荆科技453,638.30639.243612.12半导体8300666.SZ江丰电子347,936.462460.277651.33半导体9688195.SH腾景科技259,934.57636.413859.56光学光电子10688048.SH长光华芯256,969.681181.766764.34半导体AI高景气周期和国产突破与扩产带来的投资机遇展望2026年下半年,我们建议把握AI投资机遇。AIAIPCBMLCCPCBPCBHDIPCBAIMLCCAMLCC(τAIIPO算力建设方兴未艾,PCBMLCC等环节需求旺盛TrendForce(CSP2026MetaCSP8300望提至79美CSP者的本出反AI础设为厂长GPUASICCSPMetaTrendForceCSP800-900PCBMLCC图表15:2023-2026全球九大CSP资本支出总额预估(单位:十亿美元)rendForce集邦咨询英伟达VeraRubin平台即将全面投产,大规模部署时的智能体吞吐量较上一代提升10倍。2026年6月1日上午11点,英伟达创始人兼CEO黄仁勋发表COMPUTEX主题演讲,并宣布VeraRubinVeraRubinVeraCPU、RubinGPUNVLink6ConnectX-9SuperNIC、BlueField-4DPU及Spectrum-63nmCoWoS-R和CoWoS-LSKHBM4,VeraRubin6万亿个晶体管和超过1.8万个组件,最终成为一台性能惊人的AI超级计算机,可以大幅缩短AI训练时间并降低推理Token生成成本。与上一代NVIDIAGraceBlackwellRubin10倍。图表16:Rubin伟达微信公众号,芯智讯英伟达携手微软等厂商布局AIPC赛道。英伟达CEows(PC)RTXSpark。RTXSparkDGXSpark上的GB10GraceBlackwellCPU拥有10个Cortex-X92510Blackwell配备6144CUDALPDDR5X300GB/s12条PCIeGen55条PCIeGen4通道,该款CPU由英伟达与MediaTek合作设计。凭借RTXSpark高达1PetaFLOPFP4AI128GBAI1200万Token为个人智能体打造原生owsNVIIApenhelAINVIDIA与AdobeRTXSparkAdobePremierePhotoshopAISurface以及微星将在今年秋季推出搭载RTXSparkTrendForce集邦RTXSparkowsonArm生态系延伸至owsAI提至2029的84.9。图表17:Spark布局AIPC赛道伟达微信公众号,芯智讯AIPCB受益于算力加速建设,扩产利好上游设备及材料算力加速发展推动AIPCABlackwellGPUMetaASICPCBGPUPCB8-12层向16的Blackwell架构GPU20HDIHDI板及刚挠结合板的需求,ASICFC-BGAPCBHDIP图表18:GPU和ASIC对PCB要求对比对比维度ASICGPU典型PCB层数30-36层(如MetaMTIAT-V1)20-30层(如英伟达GB200)HDI阶数5-7阶4-5阶线宽/线距15μm及以下20μm左右散热方案液冷+空冷混合,埋入式导热快标准化液冷/风冷,依赖冷板设计工艺复杂度mSAP+CoWoP键合,定制化生产高阶HDI+常规封装,规模化生产觅数据AIPCBPrsma2025PCB851.5215.82025PCB19.2,(HLC)PCB(HDI)PCBPCBHLC(182025AI,HLC、HDI在2025年PCBPrismarkPCB图表19:2026年全球PCB产值预测(单位:百万美元)产值复合增长率多层板4-6层多层板8-16层多层板18层以上HDI封装基板柔性板总计美洲766.01,382.0552.0494.923.0484.84,029.0欧洲596.0218.082.0245.189.0359.41,993.0日本910.0822.0270.0478.23,543.2934.37,257.0中国12,509.07,735.05,529.012,172.94,371.16,549.655,269.0亚洲2,227.02,562.01,568.04,663.99,920.34,966.827,233.0总计17,008.012,719.08,002.018,055.017,946.613,294.995,780.0电股份公司公告,Prismark注:本表中亚洲指除中国、日本外的其他亚洲国家和地区2030年全球PCB市场规模有望突破千亿美元,2025-2030年复合增速预计达7.7。AI2030PCB市CAGR)约为7.7AI服务器及高速网络系统,汽车电子(电动汽车及高级驾驶辅助系统领域)以及从长期来看具备先进人工智能功能的便携式智能消费电子设备,是其最重要增长驱动力,相应2025-2030年增长最强劲的领域也将是HLC(18+)、封装基板及HDI。图表20:2025-2030全球PCB产值复合增长率预测产值复合增长率多层板4-6层多层板8-16层多层板18层以上HDI封装基板柔性板总计美洲4.4%4.2%7.7%5.4%17.4%3.4%4.7%欧洲4.2%5.5%8.1%6.6%15.3%1.6%4.4%日本2.5%4.6%9.3%11.8%3.1%7.8%中国3.2%6.2%21.6%9.1%9.7%3.9%7.0%亚洲3.5%9.1%29.1%10.3%11.1%3.9%9.8%总计 总计 3.3% 6.5% 21.7% 9.2% 10.9% 3.8% 7.7%电股份公司公告,Prismark注:本表中亚洲指除中国、日本外的其他亚洲国家和地区2025年及2026Q1申万印制电路板行业营收及归母净利润均实现同比增长。申万印制电路板行业整体呈现高景气上行态势,2025年行业营收达3066.96亿元,同比增长25.5626.36.9922营收达838.27亿元,同比增速提升至29.72,归母净利润达81.54亿元,同比增长202420252025Q12026Q1营业收入(亿元)2,442.533,066.96202420252025Q12026Q1营业收入(亿元)2,442.533,066.96646.23838.27营业收入同比增长率()-25.56%-29.72%归母净利润(亿元)169.46286.3755.8881.54归母利同增率()-68.99%-45.93%国内PCBHDIPCBPCBHDIPCB图表22:国内PCB厂商近期扩产计划序号公司称 公告期投资/募资总额亿元)核心投向1胜宏技 2026/3/13≤200年度规划投资额,用于AI服务器、高性能计算用高阶PCB产能扩建与产线升级2沪电份 2026/4/1≈68高速运算服务器、下一代高速网络交换机用PCB3沪电份 2026/3/6≈55超高多层、高频高速PCB,分三期建设,达产后年新增产值约65亿4沪电份 2026/2/12≈33高层数、高频高速、高密度互联、高通流PCB,年新增14万㎡产能5鹏鼎股 2026/3/17110BD(含P、HC务AI全产业链6鹏鼎股 2026/5/251.43竞得深圳宝安地块,为未来PCB产业投资储备发展空间7深南路 2026/4/23≤46无锡高速高密、高多层电子电路项目,建设周期约12个月8景旺子 2025/8/2450珠海金湾基地:高多层技改+新建HDI工厂(32亿,年产80万㎡)+关键工序强化9景旺子 2026/3/28≤7追加泰国生产基地投资额度10奥士康 2026/2/118.2(拟募≤10)年产84万㎡高多层板及HDI板11四会仕 2026/4/8≤9.5万㎡高多层、HDI电路板(一期)12中富路 2026/5/29≤8.5鹤山AI用PCB产线改扩建(6亿)+数字化升级(0.8亿)+补流(1.7亿)13满坤技 2025/10/15≤7.6泰国高端PCB生产基地(4.7亿)+智能化与数字化升级(2.9亿)14强达路 2026/3/25≤5.5南通年产96万㎡多层板、HDI板项目15科翔份 2026/2/52.87PCB(2.4亿(0.47亿)创板日报覆铜板在PCBPCB(CopperCladLaminateCCL)PCBPCBPCB27.30、1.41.391.37价格趋势方面,覆8CEM-1FR-4CCL年121CEM5FR-4与PP(202512263月PP4月日宣上FR-4覆板及PP价,整度为10建滔积CCLPCBCCL企图表23:PCB成本结构占比情况商产业研究院覆铜板有望受益于PCB以AIPCBAIAIPCB价值3-5PCBPrismark22I21020步增至34亿美元。图表24:2025-2026年全球AI覆铜板市场规模预测商产业研究院下游PCBPCBAIPCB图表25:覆铜板及相关上游环节扩产情况序号所属环节公司名称公告日期投资/募资总额(亿元)核心投向1覆铜板生益科技2026/4/25≈524800万㎡年1年30亿2覆铜板生益科技2026/1/4≈45(意向)松山湖第二工厂高性能覆铜板项目3铜箔德福科技2026/5/27≈31年产5万吨高端AI电子电路铜箔(分两期各2.5万吨)4电子布中国巨石2026/5/13≈44.31年产5万吨电子纱暨3.2亿米电子布生产线5电子布聚杰微纤2026/5/8≤11高端电子布建设项目(总投资12.3亿A6铜箔铜冠铜箔2026/2/2持续扩产HVLP极低轮廓铜箔全流程产线已建成,持续推进产能扩充创板日报全球PCBPCB根据Prismark询数据统计,全球PCB专用设备市场规模由2020年的约58.4亿美元增至2024年的约4.920298.7PCB202033.06亿美元增至202441.11202420298.4Prismark2024PCB84.6、0.9、2.16.2球PCB图表26:2020-2029年按收入计全球PCB专用设备市场规模(按地区划分,单位:百万美元)族数控港股招股说明书,Prismark,灼识咨询注:其他主要指东南亚及其他新兴市场PCBPCBPCBPCBPCBPCB图表27:主要PCB专用生产设备介绍类别 描述类别 描述曝光备 曝光备要含设备,可覆光层精定电图,决PCB生产高解析度对精的战。压合备 PCB产的合序及将个面HDI芯板与固片预材)和箔压合,成层PCB构该工确机完性电气致。电镀设备指通过电解工艺于PCB上沉积金属层的专用机械及系统。该设备藉由精确控制金属镀层之厚度、均匀性及附着力,确保导电通路、层间互连及表面防护功能。电镀设备钻孔备 钻孔备用进光蚀及械孔术可工通、孔微,决了PCB生产关互电镀设备指通过电解工艺于PCB上沉积金属层的专用机械及系统。该设备藉由精确控制金属镀层之厚度、均匀性及附着力,确保导电通路、层间互连及表面防护功能。电镀设备步骤确保尺寸精度及与下游组装工序的兼容性。成型设备检测备 检测备盖用同检测统验证PCB生的层对精步骤确保尺寸精度及与下游组装工序的兼容性。成型设备贴附备 贴附备专工自化系,在曝前精确均的膜阻涂布覆铜板表面,或将加强筋及聚酰亚胺薄膜粘结于柔性印制电路板。该等系统透过确保材料涂布的一致性,于电子制造中发挥重要作用。族数控港股招股说明书PrismarkPCB21和172024备及曝光设备市场规模分别为14.70亿美元和12.04亿美元,2025年有望分别增长至亿元同增分为11.4和11.2据Prismark灼识,2024-2029率别为10.3和10.0。图表28:PCB各环节生产设备年复合增长率预测2020-2024年复合增长率2024-2029年(预计)复合增长率钻孔设备5.8%10.3%曝光设备5.7%10.0%检测设备6.8%9.5%电镀设备8.2%9.8%压合设备6.1%9.3%成型设备7.6%9.2%贴附设备3.6%6.8%其他0.9%5.1%总计4.9%8.7%族数控港股招股说明书,Prismark,灼识咨询PCB设备公司积极扩充产能,以应对PCB制造的旺盛需求。以专用刀具及耗材环节为PCBAIPCB图表29:专用刀具及耗材环节扩产情况序号所属环节公司名称公告日期投资/亿元)募资总额核心投向1专用刀具及耗材鼎泰高科2026/3/2550东莞厚街智能制造总部基地,聚焦微型钻针、高端工业刀具等2专用刀具及耗材欧科亿2026/2/11≤7收购慧联电子70%股权,切入PCB刀具(年产2亿支PCB工具)3专用刀具及耗材欧科亿2026/5/19≤4.25收购永鑫精工51%股权,获取年产3.5亿支PCB微钻+1亿支铣刀产能4专用刀具及耗材中钨高新2026/5/161.825新增高端微型精密刀具1.5亿支/年产能5专用刀具及耗材中钨高新2026/2/101.45新增PCB钻针棒3000万支/年产能创板日报2026Q1AI2025PCDRAM、NANDFlashCFMDRAM与NANDFlash20002215.91Flash规模1371.4亿元环上涨81.6、比涨245,创下图表30:(以DRAM和NANDFlash)FM闪存市场DRAM和NANDFlashAIHBMSSDAIDRAMNAND图表31:DRAM部分产品合约平均价走势(单位:美元)全球半导体观察
图表32:NANDFlash(DRAM从DRAMResearch202638DRAMDRAM8IPODRAMAI图表33:DRAM各厂商市场份额情况ounterpointResearchNANDFlash2026Q1NANDFlashCounterpointResearch29SK2025Q18季度的13。图表34:NANDFlash各厂商市场份额情况ounterpointResearchAIDRAMSSD(LTA)AI领域2030年至2031DRAM55万100SKAI图表35:厂商核心扩产项目/地点预计投产/量产时间产出产品关键产能目标三星电子韩国平泽P4工厂2026年底(原计划2027Q1,已提前)DRAM、NANDFlash预计满产后,DRAM月产能10-12万片,NANDFlash月产能5-6万片韩国平泽P5工厂20282030年满产DRAM、NANDFlash目前处于早期建设阶段,具体产能规模尚未最终确定韩国华城17号线制程升级扩建,2026年底满产DRAM新增3-4万片/月,该产线总产能:8-10万片/月SK海力士韩国龙仁半导体集群一期2027年2月起陆续投产DRAM规划在3年间新增DRAM月产能至36万片韩国清州M15X2026-2027年DRAM/HBM2027年产能增长至8万片/月美国印第安纳州2028年下半年HBM负责HBM与先进封装,强化北美供应链美光美国爱达荷州2027-2030年DRAM/HBM满产后月产能可达10万片最先进DRAM晶圆美国纽约州2028年下半年投产,2030年后满产DRAM规划最多4座晶圆厂,建设期20年以上,满产后美光40%DRAM在美国本土生产日本广岛2028年6-8月开始出货,2030年3-5月达到DRAM/HBM月产能4万片最大产能新加坡HBM封装2027年投入运营,新增NANDFlash2028年下半年投产,2030年前后满产HBM、NANDFlashHBM封装预计2027年大规模量产,NANDFlash投产后产能增加50%中国台湾铜锣晶圆厂2028财年开始出货DRAM/HBM202657铠侠/闪迪日本北上Fab2(K2)2026年上半年产能爬坡NANDFlashK2满载后,北上工厂整体产能翻倍北上新工厂评估新建NANDFlash-FM闪存市场AIMLCC需求扩张,产业景气度有望上行MLCCAIMLCCMC(Multi-layerCeramicCapacitorGPUMLCCAI/PC等AI图表36:MLCC用量产品 产品 MLCC用量智能机 万颗/台PC 万颗/台AIPC 万颗/台智能车 颗/台AI服器 颗/系统GB200服器 颗/GB300服器 颗/八哥AIMLCCMLCC234.4AIMLCC20262030年间将保持强劲增长,从257.3亿美元扩大至478.8亿美元,年复合增长速度较快。图表37:MLCC市场规模预测商产业研究院MLCCAI服服务器和汽车电子是驱动本轮MLCC量价齐升的核心引擎;消费电子提供稳定的存量市场;军工航天和工业领域则贡献高壁垒、高毛利的特种需求。图表38:MLCC产业链瞻经济学人全球MLCC市场格局由日韩企业主导。全球MLCC市场份额前五的企业分别为村田(22.9)太诱(11.2瓷(5.5计占达77.3表全球MLCC场格主由韩业导,其高MLCC领,仍有图表39:MLCC国电子元件行业协会,中商产业研究院全球龙头厂商已开始调涨MLCC产品价格。AI算力旺盛需求拉动了高端元器件的采购MLCC产品价格,其中村田调涨部分高容产品15-35MLCCMLCC图表40:MLCC龙头厂商近期调价动作厂商 事件厂商 事件太阳电 5月1起部多陶电容、感、氧磁珠感陶瓷器件、器以铝解电器调价格村田 务与端MLCC进行幅价分高产涨在15%-35%之间。田端稼率达90%-95%,订达能倍,期长至20以上三星机 4月开全涨(约—20,月认续价策。星机C未来三年能被户先占强电子网AI图表41:MLCC企业企业称 布局况2026年计划深耕MLCC技术,突破并量产超高容大尺寸产品,深化与服务器、汽车电子等领域客户合作。产品线已实现01005至2220全规格量产,并推出M3L系列、S系列等特色产品,同时加快海外市场布局。三环集团风华科 聚AI算力汽电光伏能新赛,和工园端容地目(焦端MLCC)预2026底满。键料主取得破并2026年计划深耕MLCC技术,突破并量产超高容大尺寸产品,深化与服务器、汽车电子等领域客户合作。产品线已实现01005至2220全规格量产,并推出M3L系列、S系列等特色产品,同时加快海外市场布局。三环集团在高可靠MLCC领域持续突破,产品通过相关宇航标准认证。积极推出硅电容、超小尺寸MLCC等新品,并拓展车规级等民用市场。同时,深度参与商业航天产业联盟,配套火箭、卫星等多项工程。鸿远电子火炬子 作为内种MLCC供应,加军技向民转。都规MLCC基地计划2026年产并极拓商航、空济AI服务等兴,已入相关在高可靠MLCC领域持续突破,产品通过相关宇航标准认证。积极推出硅电容、超小尺寸MLCC等新品,并拓展车规级等民用市场。同时,深度参与商业航天产业联盟,配套火箭、卫星等多项工程。鸿远电子宏达子 推进高靠务民业务双驱战。品业中光块单陶瓷容(CA宏明电子作为高可靠MLCCIPOMLCCA微容技 专注高端MLCC制二期慧厂计2026第二度产将幅升高量、车规MLCC产。已递创板IPO请资用高产扩。超微型MLCC市场居内,车级品系通AEC-Q200认。商产业研究院关注国产技术突破与产能扩充带来的投资机遇2026年25日,2026IEEEτ(L(L,“τScaling”τ3D集成以及软硬”旨在图表42:从几何尺度的缩微转移到时间尺度的缩微子工程专辑图表43:麒麟芯片通过逻辑折叠设计提升性能ounterpointResearch先进封装是实践“韬定律”的重要技术环节之一。集成电路先进封装是指采用倒装、I/O2.5/3(iChileFabiSysemonIntegatedChis,oI、晶圆上芯片再置于基板(Chip-on-Wafer-on-SubstrateCoWoS、集成扇出封装(Integrated片集成;2)英特尔,长期布局嵌入式多裸片互连桥(EmbeddedMulti-dieInterconnect和Foveros(2.5-DimensionalIntegration,2.5D)FoverosDirect3D3)三星,I-CUBEH-CUBE和AI(HighBandwidth系统中;4)AMD,采用Chiplet技术,优势在于小芯粒有利于提高良率、降低成本,也能把不同功能模块放在更合适的工艺节点上制造。图表44:海外芯片厂商先进封装路线纳米工坊微信公众号AIYole5312030794亿美元年合长约8.4,中进封(2.5D/3D)能续紧,管给侧图表45:先进封装市场规模预测(单位:亿美元)投未来产业研究中心,YoleGroup1B)玻璃基3)CPU/GPU扩展EDA2.5D/3D标准化稳步推进,UCIeCCITA行业同时向可持续(510×515mm图表46:先进封装技术发展趋势发展发展向 核心容从存储堆叠(HBM)走向逻辑-逻辑堆叠,混合键合将成为高端芯片标配。玻璃基板替代有机基板、新型介电材料、高导热界面材料加速产业化。由于传统有机基板CTE高于硅芯片,容易产生翘曲问题,且面积越大越明显,玻璃基板主要材料为硅,有助于减少热循环过程中的应力和变形,避免翘曲问题。同时,玻璃基板具有优异的电气绝缘性能,能有效减少信号损耗和串扰,适合高频应用环境。玻璃基板还具备高机械强度和高平整度,能够实现高密度互连和精确的层间对准。光互封装 CPO概走小量首先用数中交芯片再向CPU/GPU设计封协同 EDA工需持装芯片联合真系级化为设流必。前道道合 晶圆将续导2.5D/3D高端装中模组、板、统封装转型。Chiplet准化 UCIe、国等推动粒换,装平台发。可持与成本 面板封(510×515mm或更)降单成,适消电和车子。华有策AIIDC2025年中AI4AI伟达货220万颗AI据55.22的场低于AMD占据4AI厂商中,华为以20.41的市场份额位列本土第一、阿里巴巴旗下平头哥市场份额为6.45,寒武纪份额为3,百度旗下昆仑芯市场份额为2.76,海光信息市场份额为1.94,曦份市份为1.66天智芯场额1.45清智能场额为0.72。图表47:2025年我国AI芯片市场竞争格局东西,IDCAIAIDeepSeekDeepSeek密协同,实现昇腾超节点全系列产品支持DeepSeekV4系列模型。昇腾950通过融合kernelAttentionDeepSeekV4昇A3昇腾A3DeepSeekV4NeuWarevLLM0GitHubDeepSeekTorch-MLU-Ops和BangCDeepSeek-V4的Day0级适配,以天垓系列训练芯片与智铠系列推理芯片为核心承接DeepSeek-V4DeepSeekV4-Flash线程FP8AIMiniMaxM2.7,腾AIvllm-Ascend推理Atlas800IA2MUSA架构针对M2.7的模型特点完成深度调优并在MTTS5000上实现模型高性能推理;沐曦曦云C系列GPU凭借全栈自研的MXMACA软件栈首日完成深度适y7腾讯混元Hy3previewvLLMDay0GPU产品已适配国内多家大模型,包括月之暗面KimiK2.6模型、阿里Qwen3.6-35B-A3B大模型等。图表48:近期国产大模型与算力芯片的适配情况大模型名称适配厂商/技术适配说明DeepSeekV4华为昇腾华为昇腾950超节点kernelDeepSeekV4昇腾950的8KDecode4700TPS(V4-Pro)和1600TPS(4a腾9FP8、MXFP850%MoE与CubeMemory设计消除数据搬运开销。DeepSeekV4寒武纪NeuWare软件生态、vLLM框架,Torch-MLU-Ops高性能融合算子库、BangC编程语言完成“Day0”适配,适配代码开源至GitHub;为连续第二次实现DeepSeek新模型发布首日适配,可充分释放硬件底层潜力DeepSeekV4天数智芯天垓系列训练芯片、智铠系列推理芯片完成Day0级适配,可承接DeepSeekV4全场景应用DeepSeekV4-Flash海光信息、沐曦、摩尔线各厂商对应国产AI芯片平台已实现模型适配程、昆仑芯、平头哥真武MiniMaxM2.7华为昇腾Atlas800A3、Atlas800IA2系列产品,vllm-Ascend推理引擎开源首日完成适配,可为模型推理部署提供全流程支持MiniMaxM2.7摩尔线程MTTS5000,MUSA架构针对模型特点完成深度调优,实现高性能推理MiniMaxM2.7沐曦曦云C系列GPU,MXMACA全栈自研软件栈首日完成深度适配,实现“模型发布即算力就绪”的Day0体验MiniMaxM2.7昆仑芯自研芯片架构,底层算子保障模型在平台上稳定、高效运行优化与软硬件协同加速技术腾讯混元Hy3preview壁仞科技旗舰GPU产品,vLLM主流开源框架实现Day0适配及推理验证;同月内壁仞科技还完成月之暗面KimiK2.6、阿里Qwen3.6-35B-A3B等多款国内大模型适配为微信公众号,电子发烧友网微信公众号3.2国内半导体产业积极扩产,有望提振上游设备及材料需求半导体各行业优质公司积极筹备上市,存储芯片龙业头绩公亮司眼。近期多家半导体,2026Q1508247.62IPO公司IPO进程主营业务长鑫科技集IPO注册申请长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM公司IPO进程主营业务长鑫科技集IPO注册申请长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一团股份有限公司正式获批。DRAM到第四代工艺技术平台的量产,以及DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和迭代,目前公司核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。根据Omdia的数据,按照产能、出货量和销售额统计,公司已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。2026Q1,公司实现营收508亿元,同比增长719.13%;实现归母净利润247.62亿元,同比扭亏为盈。长江存储控启动IPO辅导长江存储成立于2016年7月,是一家集芯片设计、生产制造、封装测试及系统股股份有限公司备案。解决方案于一体的存储器IDM企业。公司主要提供3DNAND闪存晶圆及颗粒、嵌入式存储芯片,以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案,产品广泛应用于移动通信、消费电子、计算机、服务器及数据中心等领域。西安紫光国已向陕西证紫光国芯是一家以DRAM存储技术为核心的产品和服务提供商。作为新紫光芯半导体股监局提交辅集团存储板块战略支柱企业,紫光国芯拥有掌握存储器和集成电路核心设计份有限公司导工作完成与测试技术的国际化团队,布局形成涵盖晶圆产品、存储芯片产品、模组及报告。系统产品研发制造,以及集成电路设计服务在内的核心业务体系。在技术先进性方面,紫光国芯三维堆叠DRAM(SeDRAM)技术产品在业内率先实现全球量产。据紫光国芯公布的2025年度财报,公司实现营业收入18.30亿元,同比增长54.79%;归属于挂牌公司股东的净利润扭亏,为1.11亿元。粤芯半导体已问询,粤芯半导体是一家致力于为境内外芯片设计企业提供12英寸晶圆代工服务和技术股份有2026年6月8特色工艺解决方案的集成电路制造企业,也是广东省自主培养且首家进入量限公司日更新信息。120到有重要的意义。上市目的包括稳步扩充产能,助力实现中国集成电路产业链的自主可控,以及做精做细成熟制程,加速特色工艺技术平台的研发。2025年公司实现营收25.11亿元,同比增长53.86%。国证监会,上海证券交易所官网,深圳证券交易所官网,央视财经,科创板日报AI2026年122026年48图表50:我国主要晶圆厂部分产能扩建项目公司晶圆厂/项目规划月产能(万片)晶圆尺寸(英寸)更新状态中芯国际28nm全制程扩产100(总产能目标)12在建华虹集团FAB9(华虹九厂,无锡)8.38、12产能爬坡中华虹集团FAB10-12计划中合肥长鑫合肥基地12.512计划中长江存储武汉晶圆厂(三期)30(总产能目标)12在建晶合集成四期项目(合肥)5.5122026年启动士兰微厦门碳化硅项目-8计划中粤芯半导体第一工厂(粤芯一、二期)+第二工厂(粤芯三期)8(合计规划产能)12在建(2025年底已实现5.2万片)华润微电子重庆12英寸功率半导体晶圆生产线3(已达成月产出目标)12在建芯业时代西安8英寸特色工艺生产线(西北首条)58英寸2025年底投产长飞先进武汉碳化硅基地3万片(年产36万片6英寸)6英寸(碳化硅)2025年5月底投产矽芯微成都基地66月12日2026年4月底投产三安光电湖南碳化硅产线1.6(6英寸SiC月产能已达1.6万片)6、8英寸(碳化硅)2025年扩产华海清科昆山晶圆再生项目20-2026年计划扩产研天下SEMI300mm18至1330311至15501720分地区来看,20204902030年的11球场比20升2在2-40n主工节优出,2026该域球能比将到37根SEMI测到2028全有建10884472029年,逻辑与微器件领域有望以2280亿美元总投资领跑晶圆设备扩张;存储领域预计成为设备支出第二大领域,2027年至2029年总计将达1750亿美元,其中DRAM设备支出预计在2027年至2029年累计将达1110亿美元,而3DNAND设备支出同期预计为620亿美元。图表51:300mm晶圆厂设备支出情况EMISEM2025202117亿美元增长15达到1351美,创历新。2026第一度全半体备出货365.5分地(493(25874他前设增长13后设备现为强,AI件与HBM性552135图表52:各环节半导体设备国产化率及厂商情况设备种类国产化率中国大陆厂商国外厂商去胶>80%屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以HitachiHigh-Technologies(日、Lam等Research(美)等清洗50%-60%北方华创、中国电科、盛美上海、SCREEN(日、Electron至纯科技、芯源微等Limited(日、LamResearch()等刻蚀55%-65%中微公司、北方华创、嘉芯半导AppliedMaterials(美、LamResearch体、屹唐半导体、中国电科、嘉芯(美、ElectronLimited(日等闵扬等热处理30%-40%北方华创、盛美上海、嘉芯半导ASMInternational(、Applied体、嘉芯闵扬等Materials(美、LamResearch(ElectronLimited(日)等PVD10%-20%北方华创、嘉芯半导体等ASMInternational(、AppliedMaterials(美、LamResearch(ElectronLimited(日)等CVD/ALD5%-10
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