CN114481085B 气相沉积掩模和使用气相沉积掩模制造装置的方法 （佳能株式会社）

号JP2019074546A,201气相沉积掩模和使用气相沉积掩模制造装气相沉积掩模和使用气相沉积掩模制造装基板具有构成位于第一区域与第二区域之间的2硅基板，其包括第一区域和第二区域，所述第一区域具有第一厚度并包构成所述第二台阶的第二内壁与所述第一区域中的所述硅基板的上表面之间的角度硅基板，其包括第一区域和第二区域，所述第一区域具有第一厚度并包所述硅基板具有构成位于所述第一区域与所述第二区域之间的台所述第二区域中的所述硅基板的上表面的一部分比所述第一区域中的所述硅基板的构成所述第二台阶的第二内壁与所述第一区域中的所述硅基板的上表面之间的角度3保持机构，其被构造成将所述气相沉积掩模保持在气相沉积材料与气相沉积基板之使用所述气相沉积掩模将气相沉积材料气相沉积到所4[0001]本公开涉及使用半导体基板的气相沉积掩模和使用气相沉积掩模制造装置的方料的方法以及通过使用金属掩模进行气相沉积来单独施加有机材料的方法。在这些方法[0004]日本特开2002_313564号公报讨论了使用重量轻且具有高拉伸强度的硅基板的气[0006]图15A和图15B均示出了根据日本特开2002_313564号公报的由单晶硅形成的气相的平面图，图15B是气相沉积掩模101的沿着图15A中的A_A'线的截面图。在气相沉积掩模5是根据第四示例性实施方式的第一变形例的气相沉是根据第四示例性实施方式的第二变形例的气相沉是根据第四示例性实施方式的第三变形例的气相沉是根据第四示例性实施方式的第四变形例的气相沉是根据第四示例性实施方式的第五变形例的气相沉6[0026]图1A是根据本公开的示例性实施方式的气相沉积掩模1的平面图。图1B是气相沉积掩模1的沿着图1A中的A_A'线的截面图。平面图还称作平面视图，截面图还称作截面视位于第一区域100与第二区域200之间域200。与内壁4的外缘类似，第二区域200的位于最外周的外缘在平面视图中也具有曲线于第一区域100中的基板厚度的第二区域200能够提高气相沉积掩模1的机械强度。由于第二区域200中的最外周的外缘具有曲线部，所以本示例性实施方式能够防止应力集中的发[0031]虽然图1A和图1B均示出了在平面视图中内壁4的整个外缘具有曲线部，并且第二区域200的最外周的整个外缘具有曲线部的示例，但是对于为了呈现出本公开的有益效果个长度的至少一半或最外周的外缘的整个长度的至少一半对应的范围中没有角部的构造。在许多情况下，半导体基板配置有指示晶轴方向的线性切口(定向平坦部(orientation[0032]图2A是根据第一示例性实施方式的气相沉积掩模1的平面图。图2B是气相沉积掩[0033]直径为200mm(具有±0.5mm的允许误差)的基板可以用于根据第一示例性实施方7厚度是200μm以上且750μm以下。直径为300mm的硅基板在第二区域200中的厚度是300μm以100中的下表面将基板减薄至几十微米，然后通过RIE从上表面形成通孔5。在对第一区域气相沉积掩模，或者使保持基板保持气相沉积掩模并将气相沉积掩模固定到保持基板时，[0040]图3示出了与气相沉积掩模1的沿着图2A中的A_A'线的截面图的位置相同的位置沉积掩模1的位于下表面侧的内壁4a与气相沉积掩模1的上表面6之间的角度是θa。假定气相沉积掩模1的位于上表面侧的内壁4b与气相沉积掩模1的上表面6之间的角度是角度θb。于上表面侧的内壁4b之间的角度是比第一区域100中的下表面侧与气相沉积掩模1的位于8具有数量增加的台阶的构造能够使靠近通孔5的台阶具有较钝的角度。这能够进一步降低[0043]图4示出了与气相沉积掩模1的沿着图2A中的A_A'线的截面图的位置相同的位置面的一部分从气相沉积掩模1的上表面6降低高度h。埋头孔部7是对用于将气相沉积掩模1固定到将稍后描述的掩模保持件的夹具加压所在的位置。埋头孔部7还是在使气相沉积基板11靠近气相沉积掩模1时防止用于输送气相沉积基板11的夹具与气相沉积掩模1接触所[0045]虽然图4示出了在两个位置配置埋头孔部7的示例，但是埋头孔部7可以配置在气处理由半导体基板形成的气相沉积掩模或者使保持基板保持气相沉积掩模并将气相沉积500设置有保持气相沉积掩模1的掩模基座600(保持机构)以及使气相沉积基板11和气相沉积掩模1定位的固定板510。气相沉积掩模1配置在气相沉积基板11与气相沉积材料源10之[0049]通过驱动基板保持件520和掩模基座600来调整气相沉积掩模1和气相沉积基板11[0050]作为从气相沉积材料源10放出的气相沉积材料的发光材料穿过通孔5，并且发光如通过在与30mm的通孔宽度对应的发光区域中使发光[0052]利用如本示例性实施方式所述的在内壁4和外周的外缘中均具有曲线部的气相沉9[0054]第二示例性实施方式的变形例涉及以像素为单位在气相沉积基板11的期望位置[0055]如图6所示，在气相沉积掩模1的第一区域100中的期望位置处配置有针对OLED的[0056]利用如本变形例所述的在内壁4和外周的外缘均具有曲线部的气相沉积掩模制备[0057]图7A是根据第三示例性实施方式的气相沉积掩模1的平面图，图7B是气相沉积掩积掩模1的下表面侧放出的气相沉积材料穿过掩模保持件21的开口60和气相沉积掩模1的[0059]如上述示例性实施方式所述，气相沉积掩模1具有形成有多个通孔5的第一区域下落部22具有与气相沉积掩模1的第二区域200的形状对应的凹部。由于气相沉积掩模1被配置成与掩模保持件21的下落部22配合，所以气相沉积掩模1能够容易地与掩模保持件21件21可以通过对下落部22涂布粘接剂(未示出[0063]图8A是根据第三示例性实施方式的变形例的气相沉积掩模1的平面图，图8B是气[0065]由于本变形例也利用上述气相沉积掩模1，所以内壁4和外周的外缘均具有曲线[0066]图9A是根据第四示例性实施方式的气相沉积掩模1的平面图。图9B是气相沉积掩[0067]掩模保持件21的上表面侧配置有用于使气相沉积掩模1定位的两个定位销23以及用于将气相沉积掩模1固定到掩模保持件21的可动固定销24。通过两个定位销23将气相沉钉(未示出)固定可动固定销24。这允许以高的[0070]图10A是根据第四示例性实施方式的第一变形例的气相沉积掩模1的平面图。图后使用固定螺钉26使气相沉积掩模1和掩模保持件21模保持件21的多个位置，所以本变形例能够将气相沉积掩模1较可靠地固定到掩模保持件[0073]由于本变形例也利用上述气相沉积掩模1，所以内壁4和外周的外缘均具有曲线[0075]图11A是根据第四示例性实施方式的第二变形例的气相沉积掩模1的平面图。图[0076]在本变形例中，将描述使用固定板27将气相沉积掩模1固定到掩模保持件21的方法。使具有直径比气相沉积掩模1的内壁4大的通孔的固定板27从上方覆盖气相沉积掩模1积掩模1的第二区域200的大致整周的方式固定气相沉积掩模1，所以本变形例能够较可靠[0077]由于本变形例也利用上述气相沉积掩模1，所以内壁4和外周的外缘均具有曲线[0079]图12A是根据第四示例性实施方式的第三变形例的气相沉积掩模1的平面图。图[0080]在本变形例中，将描述使用固定销29将气相沉积掩模1固定到掩模保持件21的方保持件21中的孔，所以能够仅通过固定销29容易且同时地使气相沉积掩模1和掩模保持件[0081]由于本变形例也利用上述气相沉积掩模1，所以内壁4和外周的外缘均具有曲线沉积掩模固定到掩模保持件21时，本变形例能够减少气相沉积掩模上的应力集中的发生，[0083]图13A是根据第四示例性实施方式的第四变形例的气相沉积掩模1的平面图。图[0085]由于本变形例也利用上述气相沉积掩模1，所以内壁4和外周的外缘均具有曲线沉积掩模固定到掩模保持件21时，本变形例能够减少气相沉积掩模上的应力集中的发生，[0087]图14A是根据第四示例性实施方式的第五变形例的气相沉积掩模1的平面图。图[0088]在本变形例中，将描述将上述气相沉积掩模1固定到设置有凸部31的掩模保持件的埋头孔部7嵌合。凸部31可以通过对掩模保持件21进行机械加工或将其它材料粘合到掩[0090]由于本变形例也利用上述气相沉积掩模1，所以内壁4和外周的外缘均具有曲线