CN114514342B 一种多晶SiC成型体及其制造方法 （东海炭素株式会社）

2022.03.25PCT/JP2020/0364052020.09.25WO2021/060515JA2021.04.01JP2019151543A,2019.09.12WO2017094764A1,2017.06.08LPCVDforMEMSapplica图2.本发明提供一种多晶SiC成型体，其电阻率2率A/B为0.018以下，所述多晶SiC成型体具有300μm至1000μm的厚度和按质量百万分比计200ppm～1000ppm2.一种制造根据权利要求1所述的多晶SiC成型体的方所述多晶SiC成型体具有按质量百万分比计200ppm～1000pp4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述初期工序的时间段％～5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述初％～6.根据权利要求2～5中任一项所述的方法，其中，所SiC膜的成膜期间整体的时间段的1050且所述终期工序的时间段不为0％。3例如，专利文献1(日本特开2001-316821)和专利文献2(日本特开2001-220237)记载了将专利文献3(日本专利第6387375号)公开了一种具有单晶SiC基板和多晶SiC基板的半导体[0012]因此，本发明的课题在于提供低电阻、平坦性优异的多晶SiC成型体及其制造方4％～所述多晶SiC膜的成膜期间整体的时间段的1050且所述终期工序的时间段不为[0048]图5B是表示将圆板外周的多晶SiC膜4去除后将石墨基板2的厚度均等切断所形成5[0049]图6是表示根据实施例的实施例1和实施例7中得到的多晶SiC成型体的X射线衍射基板20。将接合多晶SiC成型体10和单晶SiC基板20的面分别称作多晶SiC成型体10的接合板20的接合面固定深度的区域注入氢离子，使得在距离单晶SiC基板20的接合面固定深度晶SiC成型体10的接合面相对的形式，配置单晶SiC基板20的接合面和多晶SiC成型体10的度只要是能在其上通过外延生长生长成单晶层程度的厚度即可，与多晶SiC成型体10的厚6[0061]电阻率例如可以通过使多晶SiC成型体10中含有规定量的氮来调整。可以通过增[0062]多晶SiC成型体10的氮含量例如为200ppm(质量百万分比)以上，优选为200~[0070]图3是表示本实施方式的多晶SiC成型体10的制造方法所使用的制造系统的一个[0071]需要说明的是，作为SiC供给源的原料气体既可以使用单成分气体(含有Si和C的7[0078]初期工序的时间段(时间段t1)没有特别限制，例如为多晶SiC膜的成膜期间整体％～[0079]中期工序的时间段(时间段t2)也没有特别限制，例如为多晶SiC膜的成膜期间整％～[0080]终期工序的时间段(时间段t3)也没有特别限制，例如为多晶SiC膜的成膜期间整％～[0087]初期工序中的原料气体浓度(第一浓度C1)只要大于终期工序中的原料气体浓度[0091]含氮气体的流量相对于原料气体流量和载气流量的合计流量，例如为5~8接合的情况，而除了上述实施方式所示的情况外，也可同样适用于SIMOX(注氧隔离)法、[0099]例如，本实施方式的多晶SiC成型体在制造半导体时作为等离子体蚀刻装置用部将成膜初期的原料气体浓度(第一浓度)设为9.0vol将成膜后期的原料气体浓度(第二9[0107]即，成膜初期的原料气体浓度相对于成膜后期的原料气体浓度之比率(称为原料[0110](式1)：气体滞留时间(秒)＝(炉内容积/气体流量)×((20+273去，得到了直径150mm、厚度0.6mm的多晶SiC成型体。再通过平面磨削加[0117]利用四点探针法，对实施例1～实施例8中得到的多晶SiC成型体的电阻率进行了[0132]另外，使用光干涉式的翘曲量测定装置(CORNINGTROPEL公司生产的FlatMaster