CN114530560B 一种钙钛矿单晶光电探测器及其制备方法 （哈尔滨师范大学）_第1页
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文档简介

本发明公开了一种钙钛矿单晶光电探测器的钙钛矿单晶光电探测器的制备方法，步骤如供的钙钛矿单晶光电探测器的制备方法操作简2将MAPbCl3钙钛矿前体溶液采用聚四氟乙烯过滤器过滤到干净的瓶子中，分装至1ml的的玻璃基板和MAPbCl3单晶放入干净的玻璃瓶中，玻璃基板分别放置在单晶的底部和顶部利用掩模在MACl异丙醇溶液处理后的异质MAPbCl3-MAPbBr3单晶中心蒸镀大小为1mm×所述的MABr与PbBr2粉末的摩尔比所述的第一次升高热盘温度并维持为升温至45℃并保持5小时。所述的第二次升高热盘温度并维持为升温至60℃并保持6小时。所述的缓慢升温并维持为升温至70℃并保持1小时。3所述的采用MACl异丙醇溶液处理，具体步骤如下：将0.5mg/ml的MACl异丙醇溶液以转速4000rpm下旋涂在异质MAPbCl3-MAPbBr3单晶60℃下退火10分钟。4数基于钙钛矿的光电探测器基本使用一种钙钛矿材料和另一种材料形成异质结器件结构[0007]针对现有技术中的缺陷，本发明提供一种钙钛矿单晶光[0010]称取MACl与PbCl2粉末，加入到二甲基亚砜与二甲基甲酰胺混合溶剂中，配置成[0013]将MAPbCl3钙钛矿前体溶液采用聚四氟乙烯过滤器过滤到干净的瓶子中，分装至5干净的玻璃基板和MAPbCl3单晶放入干净的玻璃瓶中，玻璃基板分别放置在单晶的底部和顶部限制异质MAPbCl3-MAPbBr3单晶向特定方向的生长，将玻璃瓶置于60℃热盘上，将[0017]利用掩模在MACl异丙醇溶液处理后的异质MAPbCl3-MAPbBr3单晶中心蒸镀大小为[0021]优选地，步骤S2中，所述的第一次升高热盘温度并维持为升温至45℃并保持5小[0022]优选地，步骤S2中，所述的第二次升高热盘温度并维持为升温至60℃并保持6小的MACl异丙醇溶液以转速4000rpm下旋涂在异质MAPb质MAPbCl3-MAPbBr3单晶在60℃下退火10分钟。[0029](2)本发明提供的钙钛矿单晶光电探测器具有自驱动的特点、具有较高的光谱响6[0037]图6为采用本实施例制得的异质结单晶光电探测器作为传感像素的成像系统及灰[0045]S2.基础MAPbCl3单晶的生长：将MAPbCl3前体溶液通过0.2μm孔径的聚四氟乙烯MAPbBr3前体溶液倒入玻璃瓶中并密封。温度缓慢升至70℃并保持1小时。然[0047]S4.钙钛矿单晶光电探测器的制备：利用掩模在异质单晶中心蒸镀大小为1mm×7例制得的异质结单晶的光吸收位置分别对应于MAPbCl3单晶与MAPbBr3单晶的光吸收位置，表明通过实施例提供的方法成功的将两种单晶合单晶器件在440nm-570nm范围内仍异质结单晶器件中MAPbBr3单晶部分提供的载流子浓度低于纯MAPbBr3单晶器件提供的载流[0059]三种单晶器件在400nm和570nm波长光照射下在1V偏压下的I-t曲线如图4(c)和图是由于纯MAPbBr3单晶产生的光生载流子浓度大于异质结单晶的MAPbBr3部分产生的光生载8

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