CN114628543B 异质结太阳能电池及其制作方法 （嘉兴阿特斯技术研究院有限公司）

A,2012.05.09A,2017.09.15A,2018.03.09A,2020.01.17A,2014.04.30本发明提供了一种异质结太阳能电池及其别设置于硅衬底受光面第一掺杂层与背光面第掺杂层或/和第二掺杂层中靠近硅衬底的掺杂膜本征非晶层的缺陷密度；第一掺杂层或/和第二掺杂层中远离硅衬底的掺杂膜由于具有较高掺22.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述掺杂膜为掺杂非晶硅4.根据权利要求1-3任意一项所述的异质结太阳能电池，其特膜、第二磷掺杂膜及第三磷掺杂膜中的磷掺杂浓度分别为50-150ppm、100-300ppm、200-6.根据权利要求1-3任意一项所述的异质结太阳能电9.根据权利要求8所述的异质结太阳能电池，其特征在所述第二本征非晶层中离所述硅衬底最远的一层本征膜为本征非晶所述硅衬底的本征膜的氢含量大于远离所述硅衬底的本征向上，所述第一本征非晶层与所述第二本征非晶层中三层本征膜的氢含量范围均依次为3在所述硅衬底受光面依次形成第一本征非晶在所述硅衬底背光面依次形成第二本征非晶层与第二掺杂其特征在于，所述第一掺杂层形成步骤与所述第二掺杂层述第一掺杂层的厚度小于或等于所述第二掺杂层所述异质结太阳能电池的制作方法还包括：在第一掺杂层、第二掺杂层的17.根据权利要求14-16任意一项所述的异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第一本征非晶层形成步骤与所述第二本征非晶层形成步骤中的至少一个包括依次形4膜的掺杂浓度大于靠近所述硅衬底的掺杂膜的掺杂[0009]进一步，所述第二掺杂层中掺杂膜的层数不大于所述第一掺杂层中掺杂膜的层5[0014]进一步，所述第一硼掺杂膜、第二硼掺杂膜及第三硼掺杂膜中的厚度分别为2-[0016]进一步，所述第一本征非晶层和/或所述第二本征非晶层中离所述硅衬底最远的[0025]所述第一掺杂层形成步骤与所述第二掺杂层形成步骤中的至少一个包括依次形6层或/和第二掺杂层中靠近硅衬底的掺杂膜由于具有较低掺杂浓度，能够最大程度降低掺第二掺杂层32外的第二透明导电膜层42与第二7[0042]基于本发明所涉及异质结太阳能电池的具体结构，第一掺杂层31或/和第二掺杂应本征非晶层(即第一本征非晶层21与第二本征非晶层22)中，进而可以降低相应本征非晶层的缺陷密度。第一掺杂层31或/和第二掺杂层32中远离硅衬底10的掺杂膜由于具有较都为掺杂非晶氧化硅膜；构成第一掺杂层31的多层掺杂膜与构成第二掺杂层32的多层掺降低受光面的太阳光在经过第一掺杂层31时的损耗，可提高异质结太阳能电池的短路电[0048]本发明中所涉及的硅衬底10具体可以选择p型单晶硅衬底，也可以选择n型单晶8322及第三硼掺杂膜323中的硼掺杂浓度依次大于第一磷掺杂膜311、第二磷掺杂膜312及第三磷掺杂膜312中的磷掺杂浓度，可以使得第一掺杂层31的平均掺杂浓度小于第二掺杂[0053]作为本发明的有一优选实施方式，第一本征非晶层31与第二本征非晶层32分别[0054]由于第一本征非晶层21与第二本征非晶层22均包括至少第二本征非晶层22中离单晶硅衬底10最远的一层本征膜也可以设置为本征非晶氧化硅膜，即可将图3所示实施例中离硅衬底10最远的第六本征膜223也设置为中，第一本征非晶层21与第二本征非晶层22中离硅衬底10最远的一层本征膜由于距离原9[0060]较为容易理解，第一本征非晶层21与第二本征非晶层22中距离硅衬底10越近的具有最高的氢含量可以使得第一本征非晶层21与第二本征非晶层22对硅衬底10具有最优征膜201与第四本征膜204的氢含量范围为20％-40第二本征膜212与第五本征膜222的为24％-30第二本征膜212与第五本征膜222的氢含量范围为12％-18第三本征膜[0063]作为本发明图3所示实施例的进一步优选，由内层本征膜指向外层本征膜的方向晶层22中第四本征膜221、第五本征膜222及第六本征膜223的厚度范围依次为1-5nm、3-比的KOH水溶液去损伤层，继而采用KOH和各向异性制绒添加剂溶液在n型单晶硅片表面形掺杂层32形成步骤包括在第二本征非晶层22表面依次形成三层硼掺杂膜，在远离硅衬底的方向上，形成三层硼掺杂膜时的B2H6/SiH4流量比例值范围依次为50-150ppm、100-膜时，第一掺杂层31的一种具体形成步骤为：将PECVD镀膜腔体升温到180℃,压力控制在50-150ppm，CO2/SiH4的流量比例值为0.5-2，SiH4流量比例值至100-300ppm，CO2/SiH4的流量例值为50-150ppm，沉积形成第一硼掺杂膜321；然后调整B2H6/SiH4流量比例值至100-[0077]对于图3所示的异质结太阳能电池而言，第一本征非晶层21形成步骤与第二本征本征膜的方向上，形成第一本征非晶层21与第二本征非晶层22中三层本征膜时的H2/SiH4即相当于H2/SiH4流量比值为0；然后，通入[0080]第一本征非晶层21采用通入纯SiH4方式沉积形成，能够形成高氢含量的本征层[0081]在图3所示实施例中，当构成第二本征非晶层22的全部本征模均为本征非晶硅膜[0083]进一步，在第一本征非晶层21的形成步骤中与第二本征非膜213形成之后增加一次纯H2或H2稀释的SiH4进行等离子[0088]透明导电膜制作步骤：在第一掺杂层31与第二掺杂层32的表面分别采用PVD沉靶进行镀膜以沉积形成70-100nm的第二透明导电膜3