CN114649259B 显示装置的制造方法 （株式会社日本显示器）

201880083528.62018.11.28US2013187151A1,2013.07.25氧化物半导体构成的TFT的显示装置中，减小源极/漏极电阻并实现具有稳定的Vd-Id特性的的薄膜晶体管(TFT)的像素的显示装置，氧化物域之上形成有栅极绝缘膜(106)，在栅极绝缘膜之上形成有氧化铝膜(107)，在沟道的上方且在氧化铝膜之上形成有栅电极(109)，在栅电极的壁间隔件及源极及漏极的方式形成有层间绝缘2在所述氧化物半导体与所述第1绝缘膜上形成栅在所述氧化铝膜之上形成用于形成侧壁间隔件的在形成有所述侧壁间隔件的所述氧化铝膜之上形成作为栅电极在所述栅电极和所述氧化物半导体上形成第在形成所述第2绝缘膜之前将所述氧化铝膜及所述栅电极图案化，从而在所述栅电极所述氧化铝膜通过使用Cl系气体进行干蚀所述贯通孔在所述栅极绝缘膜与所述第2绝缘膜接触的位置处贯通所述栅极绝缘膜而所述贯通孔在所述栅极绝缘膜与所述第2绝缘膜接触的位置处贯通所述栅极绝缘膜而3[0003]有机EL显示装置在各像素内具有由TFT(ThinFilmTransistor：薄膜晶体管)形极和源极的部分供给氢而进行对该部分赋予导电性的处理。在专利文献1中记载了下述构[0011]如专利文献1记载所示，对于通过退火使氢扩散至栅电极的下侧而形成中间电阻部分的方法而言，难以控制氢的扩散区域。特别是，若沟道长度变小，则存在TFT耗尽[0015](1)显示装置，其形成有多个具有由氧化物半导体构成的薄膜晶体管(TFT)的像4侧壁间隔件对应的部分形成有所述氧化物半导体的所述中间隔件和所述氧化铝膜相接触的部分重叠的[0024]上述显示装置中，所述层间绝缘膜中与所述漏极及所述源极接触的部分由SiN形5氧化铝膜接触的一侧设为底部、将所述侧壁间隔件的与所述底部相反的一侧设为上部时，所述底部在所述沟道长度方向上的长度大于所述上部在所述沟道长度方向上的6导体中，光学透明且非结晶性物质被称为TAOS(TransparentAmorphousOxide[0061]图2为作为对比例的有机EL显示装置的显示区域10的剖视图。在TFT基板100之上形成有基底膜101。基底膜101防止在上层形成的氧化物半导体105被来自玻璃或树脂的杂的三层构成。下层的SiO防止杂质侵入并确保与作为TFT基板的玻璃或聚酰亚胺的粘接性。[0063]在图2中，在基底膜101之上形成有底栅电极102。栅电极也形成在氧化物半导体于底栅电极102的影响。底栅电极102还具有避免半导体层105受到来自背侧的光的影响的[0064]在底栅电极102与氧化物半导体105之间形成有由双层构造形成的底栅极绝缘底栅极绝缘膜成为第1底栅极绝缘膜103和第2底栅极绝缘膜104的双层构造。第1底栅极绝缘膜103例如由50nm的氮化硅膜(SiN)形成，第2底栅极绝缘膜104例如由200nm的氧化硅膜[0067]在层间绝缘膜110上形成有贯通孔，以将氧化物半导体105的漏极区域与漏电极7丙烯酸等树脂形成。隔堤115的作用为避免在下部电极114之上形成的有机EL层116在下部电极114的端部处发生台阶式切断以及对像素间进行划分。隔堤115为初始形成在整个面ZincOxide：氧化锑锌)等透明导电膜或银等金属的薄膜形成。金属在薄膜化时也接近透形成的有机膜等层叠膜形成的保护膜118以覆盖上部电极117的方式形成。SiN成为针对水分的阻隔层，有机膜构成机械缓冲层，SiO发挥作为阻隔层的作用并提高与其他膜的粘接[0073]有机EL显示装置具有反射膜而反射外部光。外部光的反射导致视觉辨认性恶由此，图2所示的有机EL显示装置在显示面上借助粘合材料119配置有圆偏振片120以防止[0076]在图3中，在氧化物半导体105之上，在与氧化物半导体105的沟道对应的部分由SiO形成例如厚度100nm的顶栅极绝缘膜106。顶栅极绝缘膜106例如在整个面上形成SiO之[0077]之后在顶栅极绝缘膜106之上形成顶栅电极109。顶栅电极109的厚度为例如绝缘膜104和由SiN形成的50nm的第1栅极绝缘膜103的层叠膜，因此在TFT的Vg-Id特性中，8膜，是为了从SiN膜向氧化物半导体105供给氢以在氧化物半导体105上形成漏极区域和源[0080]本发明能够应对上述问题。图4是本发明的有机EL显示装置的显示区域10的剖视[0082]在AlO膜107之上由金属或合金形成有栅电极109，而本发明的特征为在AlO膜107[0083]栅电极109及栅极绝缘膜106被图案化，氧化物半导体105的漏极及源极未由栅极膜与SiO膜的双层构造。本发明的特征之一为SiN膜直接与氧化物半导体105的漏极或源极化物半导体的TFT的特性变得不稳定。层间绝缘膜110之上的构成与使用图2说明的内容相缘膜106、AlO膜107及栅电极109。在栅电极109的端部与AlO膜107之间形成有侧壁间隔件部分未被覆盖。之后由SiN以覆盖栅电极109、氧化物半导体105等的方式形成层间绝缘膜9[0088]本发明通过在栅电极109的两旁形成侧壁间隔件108来控制的同时实现氧化物半导体105中的漏极及源极的低电阻化和防止氢对沟道1051的影响。本发明还在栅极绝缘膜106与栅电极109及侧壁间隔件108之间形成AlO膜107，从而进一步增强还从AlO膜107供给氧而更加稳定地向氧化物半导体[0090]在AlO膜107之上形成的侧壁间隔件108的形状在截面中为一个侧壁形成倾斜的梯区域1052可靠地形成氧化物半导体105的沟道与漏极及源极(以下以漏极表示)之间的中间通常由SiN和SiO这两层膜形成，但若可以，则较好的是与氧化物半导体105接触的下层由件108的情况下，构成层间绝缘膜110的SiN与构成侧壁间隔件108的SiN也可以是相同的膜成膜侧壁间隔件108时的成膜温度设定为高温(例如300℃至350℃)即可。高温成膜的情况110的SiN与未与栅电极109、侧壁间隔件108重叠的氧化物半导体105接触，氧化物半导体[0102]图8是示出用于形成侧壁间隔件108的中间工序的剖视图。在图8中，通过CVD以成的层间绝缘膜110的CVD相比在高温([0105]之后如图10所示，对成为栅电极109的金属或合金进行成膜，在希望作为栅电极[0106]图11是示出通过图10所示的使用Cl系气体的干蚀刻而使栅电极109及AlO膜107图[0107]图12是示出通过F系的干蚀刻将SiO去除以使栅极绝缘膜106图案化后的状态的剖[0109]之后针对图12的构成形成层间绝缘膜110，则成为图5的构成。层间绝缘膜110由膜110中的SiN的氢的含量比构成侧壁间隔件108的S[0113]图15是示出在离子注入后形成层间绝缘膜110并在该层间绝缘膜110上形成贯通成为止与实施例1的图4相同。需要说明的是，实施例1的图4的TFT为驱动有机EL层的驱动[0120]即，在兼作为遮光膜的底栅电极102之上形成有双层构成的底栅极绝缘膜(103、[0121]以覆盖栅电极109、侧壁间隔件108、氧化物半导体105等的方式形成层间绝缘膜[0122]在图17中，在有机平坦化膜113之后形成的构成与图4所示的有机EL显示装置不平坦化膜113之上形成有由ITO形成的公共电极150。由SiN以覆盖公共电极150的方式形成152之上形成有用于使液晶初始取向的取向[0124]夹着液晶层300而以与TFT基板100相对的方式形成有对置基板200。在对置基板定的使用氧化物半导体的TFT。在实施例2中说明的构成也同样地能够应用于液晶显示装氧化物半导体的TFT构成周边驱动电路例如图1中的扫描线驱动电路80的情况。在这一点的TFT是合理的。将这样的构成称为混合式，本发明也能够应用于这样的混合式的显示装