CN114720499B 型材缺陷检测方法、装置、电子设备和存储介质 （上海交通大学）_第1页
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25.根据权利要求1至4任一项所述的型材34[0019]利用所述第二预设模型，对所述缺陷检测结果进行缺陷与待测项目的相关性分5[0029]若所述初始项目的缺陷成因消除，则判断所有待测项目的缺陷成因是否完全消6以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。7[0081]当各个环节出错的可能性差不多时，可以根据检测的方便性来调整项目检测顺[0082]于一实施例中，当步骤S120的缺陷检测结果记录步骤S110的型材属于最终产物[0083]于一实施例中，当步骤S120的缺陷检测结果记录步骤S110的型材属于中间产物8艺环节有关，也可以生成对应的缺陷成因分析报告以及修正后的型材制造工艺参数报表，[0091]故本实施例通过将对具有缺陷的型材微观组织图进行分[0092]本实施例中各个步骤可以是人工实施的，也可以是计算机根据预先设定的模型、9[0113]在上述步骤S141和步骤S142中，每个检测项目可以针对同一批次的两块型材样[0124]图6中示出了当型材为铝合金时的检测项目，检测项目为根据型材制造工艺确定[0130]此时可以通过调整氧化电解液、电流密度和/或夹具结构来改善阳极氧化工艺的[0132]若步骤(1)中外观无差异，此时对阳极氧化工艺中氧化料进行高通量SEM分析[0139]此时可以通过调整固溶温度或时间、减少杂质元素含量和/或增加均匀化温度或[0149]若步骤(5)无差异，取时效后型材进行TEM分析(TEM，TransmissionElectron是否聚集。[0151]此时可以通过调整铸造细化剂及微合金化元素的加入量、增加均匀化温度或时102通过总线101连接，存储器102存储有可被处理器103执行的指令，指令被处理器103执[0153]于一实施例中，处理器103可以是通用处理器103，包括但不限于中央处理器103数字信号处理器103(DigitalSignalProcessor，DSP)、专用集成电路(ApplicationSpecificIntegratedCircuit，ASIC)、现成可编程门阵列(FieldProgrammableGate[0154]于一实施例中，存储器102可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它储器102(ReadOnlyMemory，ROM)，静态随机存取存储器102(StaticRandomAccess[0161]上述型材缺陷检测装置200的详细描述，请参见上述实施例中相关方法步骤的描储介质可为磁盘、光盘、只读存储记忆体(Read_OnlyMemory，ROM)、随机存储记忆体程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系[0165]另外，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部

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