CN114842893B 存储器装置及其操作方法 （旺宏电子股份有限公司）

US2019237142A1,2019.08.012022.08.02号该操作方法包括：在进行一乘积累加运算操作2在进行一乘积累加运算(MAC)操作时，通过多个字线输入多个输入至该存储器装置的根据这些存储器单元的多个权重，这些存储器单元输出多个单元电流于多个区域位通过一转换单元将该整体信号线电流转换成一输出，其中，该输其中，当进行由该多个存储器单元中的至少一个存储器单元组成的权重单元的x阶权在进行该乘积累加运算操作时，至少一第一区域信号线译码器至少一转换单元，耦接至该至少一第一区域信号线译码器与该至少一第一整体信号其中，当进行由该多个存储器单元中的至少一个存储器单元组成的权重单元的x阶权在进行乘积累加运算操作时，该至少一第一区域信号线译码器根据这些存储器单元的这些权重，这些存储器单元输出多个单元电流于这些区域位这些单元电流在各这些区域位线上加总成多个信号线电流并输入至该至少一第一区3至少一第一转换单元将该至少一第一区域信号线译码器所输出的该整体信号线电流4.根据权利要求2所述的存储器装置，其特征在于，该存储4[0004]现已发展出存储器内运算(Computing-in-Memory,CIM)存储器，以求快速完成以及至少一转换单元，耦接至该至少一第一区域信号线译码器与该至少一第一整体信号5本公开一实施例的存储器装置100包括：存储器阵列110，多个区域位线译码器D_LBL(1)~AND型存储器阵列。[0034]当进行乘积累加运算(MultiplyAccumulate,MAC)时，字线WL(1)~WL(N)接收字6则该存储器单元会输出单元电流(cellcurrent)；当该存储器单元被编程为逻辑1时且相不会输出单元电流。该存储器单元MC(i,j,k)所输出的单元电流Icell(i,j,k)可表示位线电流(信号线电流)乃是在该条区域位线LBL上的N个存储器单元[0037]各区域位线译码器D_LBL(1)~D_LBL(M)将这些区域位线LBL上的位线电流(信号[0038]转换单元ADC(1)~ADC(M)接收区域位线译码器D_LBL(1)~D_LBL(M)的个别整体位线电流并转换成输出(数位码)后得到输出OUT(1)~OU出OUT(j)可表示为其中，IN(i)代表输入至存储器阵列110储器单元的存储权重与这些相关字线电压(输入数据)的MAC[0040]现请参照图2，其显示根据本公开一实施例的存储器装置进行MAC操作时的示意[0042]由图2可看出，由该3个位线晶体管BLT(1)~BLT(3)所加总的电流可代表多阶权重74-1=15。一实施例中，如果可以让存储器单元的导通电流(Ion)与关闭电流(Ioff)之间的差异愈大的话(例如，(Ion/Ioff)>104)，则可以背景漏电流(backgroundleakage)。此外，通过步增程式脉衝(ISPP，IncrementStep[0048]图4C显示根据本公开一实施例中，3DAND型存储器装置可免于读取干扰(Read-[0049]图4D显示在本公开一实施例中，存储器装置具有小的随机电报噪声(Random[0052]此外，在本公开一实施例中，如果可以提供更多个字线电压与更多个ADC输出的89