CN114902142B 光刻设备、量测系统、照射源及其方法 （Asml荷兰有限公司）

2022.06.28PCT/EP2020/0851112020WO2021/136632EN2021.07.08一种系统包括照射系统、光学元件和检测第二谐振器光学地联接到第一源和第二源中的相应的源并且使第一波长带和第二波长带中的2第一源和第二源，所述第一源和第二源被配置为产生相应的不第一谐振器和第二谐振器，所述第一谐振器和第二谐振器光检测器，所述检测器被配置为接收从所述目标结构返回的辐射并谐振器和第二谐振器中的相应的谐振器的谐振波长的调节来调节所述第一波长带和第二3.如权利要求1所述的量测系统，其中，所述第一波长带和第二波长带包括共享的波4.如权利要求1所述的量测系统，其中，所述照射系统进一步被配置为在200nm至所述照射系统进一步被配置为基于对所述第一谐振器和第二谐振器中的相应的谐振器的一个或更多个特性的调制来调节所述第一波长带和第二波长带中的相应的变窄的波所述一个或更多个特性包括谐振波长和Q因子中的第三源，所述第三源被配置为产生所述束的不同于第三谐振器，所述第三谐振器光学地联接到所述第三源装置复用器元件，所述复用器元件被配置为沿着共享的光学轴3至少所述第一源和所述第一谐振器进一步被配置所述照射系统进一步被配置为基于所述反馈回路中被监控到的辐射来稳定所述束的mm2或16mm2的占用面积。所述照射系统进一步包括与所述第二源的光学路径相关联的所述照射系统进一步被配置为选择所述第一源的光学路径和第二源的光学路径中的位于第二基板上的第二照射系统，所述第二照射系统被被配置为产生所述第二辐射束的相应的不同的第一波长带和第二波长带的第一源和光学地联接到所述第二照射系统的所述第一源和第二源中的相应的源并且被配置为使所述第二辐射束的第一波长带和第二波长带中的相应的波长带变窄的第一谐振器和第第二光学元件，所述第二光学元件被配置为将所述第二辐射束向第二目标结构引导；和第二检测器，所述第二检测器被配置为接收来自所述第二目4位于对应的额外的基板上的额外的照射系统，所述额外的对应的第一源和第二源，所述对应的第一源和第二源被配置为产对应的第一谐振器和第二谐振器，所述对应的第一谐振器和第二谐振器光学额外的光学元件，所述额外的光学元件被配置为将所述对应额外的检测器，所述额外的检测器被配置为接收来第一源和第二源，所述第一源和第二源被配置为产生相应的不第一谐振器和第二谐振器，所述第一谐振器和第二谐振器光检测器，所述检测器被配置为接收来自所述目标结构的辐使用位于基板上的照射系统产生辐射束，所述照射系统包括第一5[0004]光刻设备是一种将期望的图案施加到基板上一一通常施加到基板的目标部分案印刷到基板上来将图案从图案形成装置转移板中或上的连续层之间的重叠误差和显影的光敏抗蚀剂的临界线宽。可以在产品基板和/或专用量测目标上执行该测量。存在用于测量在光刻工艺中形成的微观结构的多种技术，例如通过将反射束与存储在与已知的基板特性相关联的已知的测量库中的数据进行比较6[0009]随着IC变得更小和更密集地封装，每个晶片必须被检查的特征的数量也随之增配置为接收从目标结构返回的辐射并基于接收到的辐射于解释本公开的原理并使相关领域的技术人员能够制造和使用本7等空间相关的术语来描述一个元件或特征与图中示出的另一个一个或更多个元件或一个可以实现为存储在机器可读介质上的指令，该指令可以由一个或更多个处理器读取和执8[0034]图1A和图1B分别示出了其中可以实施本公开的实施例的光刻设备100和光刻设备[0036]支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA相对于参考系的定向、光刻设备100和100’对应于在目标部分C中创建以形成集成电路的器件中的特或者可以在一个或更多个台上执行准备步骤，同时一个或更多个其他基板台WT被用于曝9[0043]照射器IL可以包括用于调节辐射束的角强度分布的调节器AD可以调节照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部和/或内部径向范围(通常分别称为和聚光器CO。照射器IL可以用于调节辐射束B以使其在其横截面中具有期望的均匀性和强度分布。助下，基板台WT可以被准确地移动(例如，以便将不同的目标部分C定位在辐射束B的路径光瞳IPU共轭的共轭光瞳PPU。辐射的多个部分从照射系统光瞳IPU处的强度分布发出并穿射束)在没有任何变化的情况下在传播方向上穿过图案。零阶衍射束在投影系统PS的光瞳的在共轭光瞳PPU的平面中的并且与零阶衍射束相关联的部分是在照射系统IL的照射系统[0047]投影系统PS被布置成通过透镜或透镜组L不仅捕获零阶衍射束，而且捕获一阶或射系统光瞳IPU的相反象限中提供辐射极(未示出)来减少像散像差。此外，在一些实施例中，可以通过在投影系统的共轭光瞳PPU中阻挡与相反象限中的辐射极相关联的零阶束来[0048]借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如，干涉装置、线性编码器或电容传感类似地，第一定位器PM和另一个位置传感器(图1B中未示出)可以用于相对于辐射束B的路[0049]通常，掩模台MT的移动可以借助于形成第一定位器PM的一部分的长行程模块(粗辐射束B的图案被投影到目标部分C上(即，单次动态曝光)。基板台WT相对于支撑结构(例和投影系统PS。源收集器设备SO被构造和布置成使得可以在源收集器设备SO的围封结构等离子体210以发射电磁光谱的EUV范围内的辐射。非常热的等离子体210由例如引起至少[0058]由热等离子体210发射的辐射从源室211通过可选的气体阻挡件或污染物阱230污染物阱230还可以包括气体阻挡件或气体阻挡件和通道结构的组合。本文进一步指出的光瞳反射镜装置224，琢面场反射镜装置222和琢面光瞳反射镜装置224被布置成提供辐射束221的在图案形成装置MA处的期望的角分布以及辐射强度的在图案形成装置MA处的期望镜更多的反射镜，例如在投影系统PS中可能存在比图2所示的反射元件更多的一至六个额个设备以在基板上执行曝光前和曝光后过程。通常这些包括用于沉积抗蚀剂层的旋涂机道控制单元TCU本身由监控系统SCS控制，监控系统SCS也通过光刻控制单元LACU控制光刻和不同的制造商处获知不同类型的标记和不同类型的对准设备和/或系统。在当前的光刻设备中广泛使用的一种系统基于如美国专利号6,961,116(denBoef等人)中描述的自参考[0070]在一些实施例中，分束器414可以被配置为接收辐射束413并将辐射束413分成至或目标418基本相同。基板420上的目标418可以是包括由实心抗蚀剂线形成的栅条的抗蚀用光学散射测量术的多参数光栅量测术(MultiparameterGratingMetrologyUsing人的“深紫外光刻中的镜面反射光谱分析散射测量术(SpecularSpectroscopic[0072]应该注意的是，即使分束器414被示出为将子辐射束415引导至对准标记或目标[0073]如图4A所示，干涉仪426可以被配置为通过分束器414接收子辐射束417和衍射子的特征。干涉仪426可以进一步被配置为将两个图像中的一个相对于两个图像中的另一个[0074]在一些实施例中，检测器428可以被配置为通过干涉仪信号并且当量测设备400的对准轴线421穿过对准标记或目标418的对称中心(未示出)时，检测428可以进一步被配置为确定对准标记或目标418的对称中心的位置，并且因此检测基板心的光束对准。检测器428还可以被配置为通过实现传感器特性并与晶片标记过程变化相[0075]在进一步的实施例中，检测器428通过执行以下测量中的一个或更多个来确定对测设备400或任何其他参考元件获知对准标记或目标418的对称中心。束分析器430可以是以在荷兰Veldhoven的ASML公司制造的称为YieldstarTM的量测设备中找到束分析器430的对于基板上的前一层的定位精度的指示或第一层相对于基板上的标记的定位精度的指分析器430的所有功能，例如确定台422的位置以及关联的台422的位置与对准标记或目标任一情况下，处理器432使用或结合产品标记轮廓的模型来构建堆叠产品和套刻标记轮廓432可以基于从检测器428和束分析器430接收的信息创建基本校正算法，该信息包括但不定辐射的方位角。处理器432可以利用基本校正算法来参考晶片标记和/或对准标记418以[0087]在一些实施例中，处理器432可以进一步被配置为基于从检测器428和束分析器而预期的重叠之间的偏移。此偏移确定每个标记或者具有相似偏移的标记组合的重叠误[0090]在一些实施例中，处理器432可以确认该组的所有或大多数成员具有相似的偏移每个标记。处理器432可以确定每个标记的校正结果并且例如通过将该校正结果反馈到对括一个或数个用于检查晶片的装置，这可能影响在给定的时间范围内检查大量晶片的能公开的实施例提供更快速且有效地执行对基板上的结构的检查的结装置的一部分。例如，照射系统508的至少一部分可以作为集成光子装置的一部分在基板较高调制频率的调节机构可能适用于快速波长切和第二谐振器可以光学地联接到第一源和第二源中的相应的源并且被配置为使第一波长产生辐射束532的不同于第一波长带和第二波长带的第三波长带。第三谐振器可以光学地带的辐射和对应于第二波长带的辐射(甚至可以[0101]在一些实施例中，使用谐振器518、谐振器520和/或一个或更多个额外的谐振器的源516，照射系统508可以被配置为在宽波长范围内操作，宽波长范围例如在大致紫外器和第二谐振器中的相应的谐振器的谐振波长的调制来调节第一波长带和第二波长带中的透镜以及反射器。一个或更多个光学元件524可以接收来自复用器530的多路复用辐射。射538引导和/或聚焦到检测器528上。一个或更多个光学元件524和光学元件526可以是照元件524中的相应的光学元件可以例如以不同的[0105]在一些实施例中，一个或更多个光学元件524中的至少一个光学元件可以包括偏于在给定的时刻可能不需要其他波长，所以源514和/或一个或更多个额外的源516可以不置为在第二源被供电时不被供电或者具有被抑器522可以在照射系统508的可分离的部分上。这些结构仍然可以是在基板510上实现的集[0110]在一些实施例中，量测系统500可以包括第二量测设备504和/或一个或更多个额进一步包括在第二基板上的第二照射系统。第二照射系统可以被配置为产生第二辐射束。第二照射系统可以包括被配置为产生第二束的相应的不同的第一波长带和第二波长带的的第一波长带和第二波长带中的相应的波长带变窄。量测系统500还可以包括第二光学元示的照射系统608可以提供照射系统508(图控器644可以确定由谐振器618、谐振器620和/或一个或更多个额外的谐振器622输出的辐[0116]在一些实施例中，照射监控器644可以监控由源和谐振器(例如，源512和谐振器图7所示的环形谐振器718可以提供谐振器518、谐振器520和/或一个或更多个额外的谐振754可以包括波导。可以在基板710上实现环形谐振器718的结构。波导750和752被布置成个或更多个环。两个或更多个环的示例可能是在实施插分滤波器配置(add/dropfilter[0122]图8示出了根据一些实施例的由照射系统产生的光谱的曲线图800。曲线图800提长带804的较高波长与波长带806的较低波长部分地重叠。波长带806的较高波长与波长带及基于相应的谐振器的调节来调节变窄的波长[0126]图9示出了根据一些实施例的用于执行本文描述的功能的方法步骤。可以以任何相机检测器)捕获基板上的目标结构的高清晰度图像。一个可商购的例子是前面提到的点和/或减少由量测设备502的光学器件引起的量测系统来测量基板的相对于新的层的投影照射图案传感器、位置传感器IF1和IF2)。对准传感器的可商购的示例是前面提到的荷兰ASML的SMASHTM和ATHENATM传感器。已经参考图4和美国专利号6,961,116和美国申请号2009/二源中的相应的源并且被配置为使所述第一波长带和第二波长带中的相应的波长带变窄器和第二谐振器中的相应的谐振器的谐振波长的调节来调节所述第一波长带和第二波长[0144]4.根据方面1所述的系统，其中，所述照射系统进一步被配置为在大致200nm至波长带中的至少一个变窄的波长带为大致2[0148]所述照射系统进一步被配置为基于对所述第一谐振器和第二谐振器中的相应的谐振器的一个或更多个特性的调制来调节所述第一波长带和第二波长带中的相应的变窄[0161]所述照射系统进一步被配置为基于所述反馈回路中的被监控的辐射来稳定所述所述集成光子装置至少包括所述第一源和所述[0164]16.根据方面1所述的系统，其中，所述系统具有小于大致2000mm2、1000mm2、[0174]所述照射系统进一步被配置为选择所述第一源和第二源的光学路径中的至少一且包括：被配置为产生第二束的相应的不同的第一波长带和第二波长带的第一源和第二为使所述第二束的第一波长带和第二波长带中的相应的波长带变窄的第一谐振器和第二[0178]第二光学元件，所述第二光学元件被配置为将所述第二束向和所述对应的束的第一波长带和第二波长带中的相应的波长带变窄的对应的第一谐振器和[0182]额外的光学元件，所述光学元件被配置为将所述对应的束向对应的目标结构引[0183]额外的检测器，所述额外的检测器被配置为接收来自所述对应的目标结构的辐[0202]尽管在SMASH