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文档简介
本发明涉及一种高效稳定钛矿太阳能电池过在钙钛矿前驱体溶液中加入钝化缺陷添加剂2%~7.如权利要求1至6中任一项所述方法制备得到的钙钛矿S5:利用真空镀膜仪在空穴传输层上蒸镀太阳能34%~5[0019]本发明提供了一种如上述任一项实施例所述方法制备得到的钙钛矿薄膜在太阳[0031]1.本发明的钙钛矿薄膜的制备方法,在钙钛矿前驱体溶液中加入钝化缺陷添加6[0033]上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚7[0057]本实施例的钙钛矿薄膜的制备方法,在钙钛矿前驱体溶液中加入钝化缺陷添加[0060]进一步地,钙钛矿吸光层4为钙钛矿薄膜,钙钛矿薄膜的材料为ABX3型钙钛矿材[0061]可选地,该钙钛矿薄膜的材料可以为MAPbI3、MAPbBr3、MAPbCl3、MAPbI3-xBrx、[0063]本实施例还提供了一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,该制备方法包括以下步8%~[0078]倒入适量去离子水,加入少量Decon-90对涂有ITO的玻璃基片超声[0086]分别称取1033mgMAI和2996mgPbI2溶解在5mL的体积溶液比为3:7的DMSO和GBL9[0091]首先称取90mg的Spiro粉末,在充满氮气的手套箱中将其溶解在1mL的氯苯溶液[0102]倒入适量去离子水,加入少量Decon-90对涂有ITO的玻璃基片超声[0110]用电子天平称取953mgCH3NH3I溶解在5mL的二甲基亚砜/γ-丁内酯体积比为3:7[0111]再取2212mgPbI2加入到4mL上述CH3NH3I溶液中,在90℃下搅拌4h使其完全溶解,[0113]在氮气气氛中,在SnO2电子传输层上旋涂钙钛矿前驱体溶液,设置旋转速度为[0116]首先称取90mg的Spiro粉末,在充满氮气的手套箱中将其溶解在1mL的氯苯溶液[0127]倒入适量去离子水,加入少量Decon-90对涂有ITO的玻璃基片超声[0137]在充满氮气的手套箱下,在SnO2电子传输层上旋涂MAPbI3-xClx溶液。入310μL甲苯;最后将制备好的基片放置在温度为100℃的热台上退火15min,形成厚度为200nm的MAPbI3-xClx钙钛矿吸[0151]倒入适量去离子水,加入少量Decon-90对涂有ITO的玻璃基片超声[0161]在充满氮气的手套箱下,在SnO2电子传输层上旋涂MAPbI3-xClx溶液。入310μL甲苯;最后将制备好的基片放置在温度为100℃的热台上退火15min,形成厚度为200nm的MAPbI3-xClx钙钛矿吸[0173]以摩尔比为0.1%的2,4-二氟[0175]倒入适量去离子水,加入少量Decon-90对涂有ITO的玻璃基片超声[0185]在充满氮气的手套箱下,在SnO2电子传输层上旋涂MAPbI3-xClx溶液。入310μL甲苯;最后将制备好的基片放置在温度为100℃的热台上退火15min,形成厚度为200nm的MAPbI3-xClx钙钛矿吸[0197]以摩尔比为1.2%的2,4-[0199]倒入适量去离子水,加入少量Decon-90对涂有ITO的玻璃基片超声[0209]在充满氮气的手套箱下,在SnO2电子传输层上旋涂MAPbI3-xClx溶液。入310μL甲苯;最后将制备好的基片放置在温度为100℃的热台上退火15min,形成厚度为200nm的MAPbI3-xClx钙钛矿吸[0223]倒入适量去离子水,加入少量Decon-90对涂有ITO的玻璃基片超声[0233]在充满氮气的手套箱下,在SnO2电子传输层上旋涂MAPbI3-xClx溶液。入310μL甲苯;最后将制备好的基片放置在温度为100℃的热台上退火15min,形成厚度为200nm的MAPbI3-xClx钙钛矿吸化缺陷添加剂材料中的羰基能与钙钛矿溶液中配位不足的P
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