CN114975718B 一种高稳定性倒装led芯片及其制备方法 （佛山市国星半导体技术有限公司）_第1页
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文档简介

罗村朗沙广东新光源产业基地内光明本发明公开了一种高稳定性倒装LED芯片的和P-GaN层；刻蚀形成贯穿至N-GaN层的第一孔2为20~40°;射层的钝化保护层，以使所述金属导电层与所述钝化保护层复合形成全方位反射镜结构；34和O28.一种高稳定性的倒装LED芯片，其特征在于，其由4[0001]本发明涉及光电子制造技术领域，尤其涉及一种高稳定性的倒装LED芯片及其制[0010](3)采用第二光刻胶为掩膜，对预设区域的第一孔道进行刻蚀，形成多个第二孔5所述钝化保护层的膜层角度为20～40°。所述金属反射层的厚度为2000~5000⃞,所述金属反射层的膜层角度为20～40°,所述保10000-20000⃞;所述金属导电层的膜层角度为20～40°。1000-5000⃞,所述Pt层和/或Ni层为干法刻蚀阻挡层，阻挡后续干法刻蚀技术对金属导电620～40°;[0041]1.本发明的高稳定性倒装LED[0042]2.本发明的高稳定性倒装LED芯片的制[0043]3.本发明的高稳定性倒装LED芯片78[0072]其中，钝化保护层17由SiO2、SiNx、SiNxOy中的一种或多种制成，其厚度为性的，钝化保护层17的厚度为2500A、3000A、3500A、4000A或4500A,但不限于制成。金属反射层18整体的厚度与钝化保护层17的厚度相当，即为2000~5000⃞,采用这9电层19的Al层和钝化保护层17的SiO2层复合形成全方位反射镜结构，进一步提升芯片亮极层22在此平缓过渡，提高芯片的稳定性。同时干刻工艺可稳定制作较小孔径的第三孔道 [0091]其中，第七光刻胶为正性光刻胶或负性光刻胶。通过电子束蒸发法形成N电极层该技术制作的P电极区域极其简单，金属导电层19上的第一绝缘层20和第二绝缘层23的膜

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