CN114975722B 发光元件、包含其的发光组件、显示装置及其制造方法 （友达光电股份有限公司）

US2012326118A1,20122金属电极的表面与所述透明电极远离所述金属电极的表其中所述系连件于垂直于所述透明电极的方向的正投影在所述金属电极于垂直于所2.如权利要求1所述的发光元件，其中所述系连件包括氧化硅、氮化硅或布拉格反射3.如权利要求2所述的发光元件，其中所述布拉格反射层包括交叠的多个氧化钛层及第二型半导体图案，重叠于所述第一型半导体图案，且位于所8.如权利要求7所述的发光组件，其中所述系连件于所述载板的正投影在所述金属电13.如权利要求12所述的显示装置，其中所述金属电极位于所述半导体叠层与所述电3至少形成系连件于所述半导体叠层及所述透明电极的侧壁以述系连件面对所述中介基板的表面与所述透明电极面对所述中介基板的表其中所述系连件于垂直于所述透明电极层的方向的正投影在所述金属电极于垂直于18.如权利要求15所述的显示装置的制造方法，还包括形成多个支撑件于所述系连件19.如权利要求18所述的显示装置的制造方法，其中所述形成多个支撑件于所述系连形成牺牲层于所述金属电极及所述系连件上，且所述牺牲层具有多21.如权利要求18所述的显示装置的制造方法，还包括形成载板于所述多个支撑件及22.如权利要求21所述的显示装置的制造方法，其中所述形成载板之后还包括移除所23.如权利要求22所述的显示装置的制造方法，其中所述移除所述中介基板之后还包括移除形成于所述金属电极及所述系连件上将所述透明电极、所述半导体叠层、所述金属电极以及所述系连件转25.如权利要求24所述的显示装置的制造方法，还包括电性连接所述透明电极与所述456[0034]图1A至图1J是依照本发明一实施例的显示装置10的制造方法的步骤流程的局部7方和下方的取向。包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的8[0084]图1A至图1J是依照本发明一实施例的显示装置10的制造方法的步骤流程的局部9实施例中，表面Fr的某些区域与表面Ft的某些区域可能具有约3μm、2μm或1μm的表面高度体图案SP2之间。发光元件120的金属电极ME及透明电极TE分别位于发光图案EP的相对两极ME的表面Fr与透明电极TE远离金属电极ME的表面Ft齐基板、高分子基板或其他适当材质。驱动电路层114可以包括显示装置10需要的元件或线结构CR2可以通过绝缘层I4中的通孔V2电性连接漏极TD，且接垫PD可以通过绝缘层I5中的金属电极ME的表面Fra与透明电极TE远离金属电极ME的表面Ft组件20A的发光元件120A的系连件TRa可以包括布拉格反射层(DistributedBragg层及多个氧化硅(SiO2)层。通过设置包括布拉格反射层的系连件TRa来控制特定波段全穿透或全反射以进行滤光，可确保发光组件20A提供的发光元件120A所发出的光能够色光转[0108]图3是依照本发明一实施例的显示装置20的局部剖面示意图。显示装置20可以包置20的发光元件120A的系连件TRa可以包括布拉格反射层(DistributedBragg层及多个氧化硅(SiO2)层。通过设置包括布拉格反射层的系连件TRa来控制特定波段全穿发光元件120A的上电极为透明电极TE，发光元件120A中的电流能够均匀分布于透明电极