CN115049063B 超导量子比特快速读取与重置方法、系统及装置 （浙江大学杭州国际科创中心）

楼US9438246B1,2016.本发明公开一种超导量子比特快速读取与振腔模块的另一端分别连接耦合器单元及读取2所述可调耦合模块包括耦合器单元和设置在耦合器单元内部的耦所述耦合器单元包括至少一个约瑟夫森结，通过施加控制信号于耦合所述超导量子比特快速读取与重置装置还包括第三电所述超导量子比特快速读取与重置装置还包括第三电所述读取谐振腔模块的退相干时间为，其中2,为所述读取谐振腔模块所述超导量子比特模块的退相干时间为，其中ca为所述超导量通过施加控制信号于耦合器控制线调节读取谐振腔模块与外部环境其中，所述通过施加控制信号于耦合器控制线调节读取谐制信号至与超导量子比特模块的第一退相干时间和读取谐振腔模块的第二退相干时间相3其中，第一退相干时间为超导量子比特模块处于非读取和非5.一种超导量子比特快速读取与重置方法，所述可调耦合模块包括耦合器单元和设置在耦合器单元内部的耦所述耦合器单元包括至少一个约瑟夫森结，通过施加控制信号于耦合所述超导量子比特快速读取与重置装置还包括第三电所述超导量子比特快速读取与重置装置还包括第三电所述读取谐振腔模块的退相干时间为，其中2,为所述读取谐振腔模块所述超导量子比特模块的退相干时间为，其中ca为所述超导量通过施加控制信号于耦合器控制线调节读取谐振腔模块与外部环境4调节施加于耦合器控制线的控制信号强度，以改变读得到控制信号强度与读取谐振腔模块退相干时间的关系及控制信号强度与超导量子制信号至与超导量子比特模块的第一退相干时间和读取谐振腔模块的第二退相干时间相其中，第一退相干时间为超导量子比特模块处于非读取和非6.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存7.一种超导量子比特快速读取与重置系统，包8.一种超导量子比特快速读取与重置系统，其特征在于，包5[0003]超导量子比特的读取指通过施加读取脉冲获得量子比特所储存的量子态信息的[0007]本发明针对现有技术中的缺点，提供了一种超导量子比特快速读取与重置方法、6[0011]通过施加控制信号于耦合器控制线调节读取谐振腔模块的控制信号至与超导量子比特模块的第一退相干时间和读取谐振腔模块的第二退相干时超导量子比特模块的第三退相干时间及读取谐振腔模块的第四退相干时间相对应的强度，间为读取谐振腔模块在超导量子比特模块处于非读取和非重置及读取状态对应的退相干7[0028]得到控制信号强度与读取谐振腔模块退相干时间的关系及控制信号强度与超导的控制信号至与超导量子比特模块的第一退相干时间和读取谐振腔模块的第二退相干时超导量子比特模块的第三退相干时间及读取谐振腔模块的第四退相干时间相对应的强度，间为读取谐振腔模块在超导量子比特模块处于非读取和非重置及读取状态对应的退相干8[0043]本发明实现了超导量子比特模块-读取谐振腔模块与读取线模块之间的可调耦[0045]一种超导量子比特快速读取与重置装置，如图1所示，装置包括超导量子比特模施加于所述耦合器控制线的控制信号至与超导量子比特模块的第一退相干时间和读取谐超导量子比特模块的第三退相干时间及读取谐振腔模块的第四退相干时间相对应的强度，间为读取谐振腔模块在超导量子比特模块处于非读取和非重置及读取状态对应的退相干特模块和读取谐振腔模块退相干时间比较长的强度；当读取超导量子比特模块的状态时，9的频率可调或者不可调。但所述内容可以轻易地拓展为包括读取谐振腔为集总模型下的LC谐的控制信号至与超导量子比特模块的第一退相干时间和读取谐振腔模块的第二退相干时超导量子比特模块的第三退相干时间及读取谐振腔模块的第四退相干时间相对应的强度，间为读取谐振腔模块在超导量子比特模块处于非读取和非重置及读取状态对应的退相干比特模块状态时，将耦合器的控制信号调节至超导量子比特模块退相干时间较短的位置，[0068]图1为本发明装置的一个实施例，如图1所示，传输线型谐振腔使用的是λ/4谐振[0071]假设在图1中的A点处输入为Aeiωt的入射电压Vin，经读取谐振腔模块输出后的输[0077]可调耦合模块中约瑟夫森结的等效电感值直接由耦合器单元中的耦合器控制线为qq的频率为5.