CN115083542B 焊点的合金化寿命预测方法、装置以及计算机设备 （中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）））

本申请涉及一种焊点的合金化寿命预测方焊料层合金化生成包括第一金属及第二金属的上述第一金属的净通量及上述第一金属的净通基于上述第一金属的净通量与上述界面金属化合物层的生长速率的关系建立上述界面金属化2获取所述界面金属化合物层中所述第一金属的净通量及所述第一金属的净通量与所基于所述第一金属的净通量与所述界面金属化合物层的生长速率的关系建立所述界基于所述界面金属化合物层的生长模型预测所述焊点所述焊盘包括第一焊盘及第二焊盘，所述焊料层位于所述第一焊盘与第一界面金属化合物层及所述第二界面金属化合物层均为所述第一金属及所述第二金属的反应产物，所述第一界面金属化合物层包括Cu3Sn层，所述第二界面金属化合物层包括建立所述第一焊盘与所述焊料层之间的所述第一界面金属化合物层及所述第二界面金属化合物层的厚度变化与所述第一金属在所述第一焊盘、所述第一界面金属化合物层、所述第二界面金属化合物层及所述焊料层中的通量的面金属化合物层的厚度，表示原子浓度梯度导致的铜从所述第一焊盘到所述第一界面金属化合物层的热扩散通量，表示原子浓度梯度导致的铜从所述层到所述第二界面金属化合物层的热扩散通量，表示原子浓度梯度导致的铜从基于如下公式得到所述第一焊盘中所述第一金属在所述第一界面金属化合物层中的3基于如下公式得到所述第一焊盘中所述第一金属在所述第二界面金属化合物层中的基于如下公式得到所述第一焊盘中所述第一金属在所述第一界面金属化合物层中的Cu为铜焊盘中的铜原子浓度，DCu/ε为铜原子在所述第一界面金属化合物层中的基于如下公式得到所述第一焊盘中所述第一金属在所述第二界面金属化合物层中的Cu/ε表示铜原子在所述第一界面金属化合物层中的浓度，CCu/Sn表示铜原子溶解建立所述第二焊盘与所述焊料层之间的所述第一界面金属化合物层及所述第二界面金属化合物层的厚度变化与所述第一金属在所述第二焊盘、所述第一界面金属化合物层、所述第二界面金属化合物层及所述焊料层中通量的二界面金属化合物层的厚度，表示原子浓度梯度导致的铜从所述第二焊盘到所述第一界面金属化合物层的热扩散通量，表示原子浓度梯度导致的铜从所述第一界面金属化合物层到所述第二界面金属化合物层的热扩散4基于如下公式得到所述第二焊盘中所述第一金属在所述第一界面金属化合物层中的子在所述第二界面金属化合物层中的浓度；DCu/ε表示物层中的热扩散系数，DCu/η表示所述铜原子在所述第二界面金属化合物层中的热扩散系在所述第二界面金属化合物层中的有效电荷数；ρε为所述第一界面金属化合物层的电阻基于如下公式得到所述第二焊盘中所述第一金属在所述第二界面金属化合物层中的Cu/Sn表示所述铜原子溶解在所述焊料层中的浓度，DCu/Sn表示所述铜原子在所述基于如下公式得到所述第二焊盘中所述第一金属在所述第一界面金属化合物层中的Cu为铜焊盘中的铜原子浓度，DCu/ε为铜原子在所述第一界面金属化合物层中的基于如下公式得到所述第二焊盘中所述第一金属在所述第二界面金属化合物层中的Cu/ε表示铜原子在所述第一界面金属化合物层中的浓度，CCu/Sn表示铜原子溶解基于如下公式得到所述第一金属在所述第一焊盘与所述焊料层之间的所述第一界面金属化合物层中的净通量与所述第一焊盘与所述焊料层之间的所述第一界面金属化合物5Cu/ε表示铜原子在所述第一界面金属基于如下公式得到所述第一金属在所述第一焊盘与所述焊料层之间的所述第二界面金属化合物层中的净通量与所述第一焊盘与所述焊料层之间的所述第二界面金属化合物Cu/ε表示铜原子在在所述第一界面金属化合物层中的热扩散系数，表示铜原子在所述第一界基于如下公式得到所述第一金属在所述第二焊盘与所述焊料层之间的所述第一界面金属化合物层中的净通量与所述第二焊盘与所述焊料层之间的所述第一界面金属化合物Cu/η表示铜原子在所述第二界面金属基于如下公式得到所述第一金属在所述第二焊盘与所述焊料层之间的所述第二界面金属化合物层中的净通量与所述第二焊盘与所述焊料层之间的所述第二界面金属化合物6Cu/Sn表示铜原子溶解在所述焊料层面金属化合物层的生长速率的关系式建立所述界面金属化合物层基于所述第一金属的净通量与所述界面金属化合物层的生长速率的关系获取温度应力下所述第一界面金属化合物层的厚度及所述第二界面金属化合物层的厚度随时间的变面金属化合物层的生长速率的关系建立所述界面金属化合物层基于所述第一金属在所述第一焊盘与所述焊料层之间的所述第一界面金属化合物层中的净通量与所述第一焊盘与所述焊料层之间的所述第一界面金属化合物层的生长速率的关系及所述第一金属在所述第一焊盘与所述焊料层之间的所述第二界面金属化合物层中的净通量与所述第一焊盘与所述焊料层之间的所述第二界面金属化合物层的生长速率物层的厚度随时间的变化及所述第一焊盘与所述焊料之间的所述第二界面金属化合物层1为所述第一焊盘与所述焊料层之间的所述第一界面金属化合物层初始厚度相基于所述第一金属在所述第二焊盘与所述焊料层之间的所述第一界面金属化合物层中的净通量与所述第二焊盘与所述焊料层之间的所述第一界面金属化合物层的生长速率的关系及所述第一金属在所述第二焊盘与所述焊料层之间的所述第二界面金属化合物层7中的净通量与所述第二焊盘与所述焊料层之间的所述第二界面金属化合物层的生长速率物层的厚度随时间的变化及所述第二焊盘与所述焊料之间的所述第二界面金属化合物层相关的积分常数，C'2为所述第二焊盘与所述焊料层之间的所述第二界面金属化合物层初基于所述第二金属焊料层的初始厚度，所述第一界面金属化面金属化合物层的生长厚度预测所述焊点在所述第二金属焊料层耗尽时基于如下公式预测温度应力下所述焊点在所述第二界面金属化合物层完全转化为所基于如下公式预测温度应力耦合电流应力下所述焊点在所述第二界面金属化合物层其中，ΔεCathode为焊料完全耗尽时所述第一焊盘与所述焊料层之间的所述第一界面金获取模块，用于获取所述焊盘、所述焊料层及所述界面金属化8第一处理模块，用于获取所述界面金属化合物层中所述第一金属的净通量金属的净通量与所述界面金属化合物层的生长速率的第二处理模块，用于当基于所述第一金属的净通量与所述第三处理模块，用于基于所述界面金属化合物层的生长模型所述焊盘包括第一焊盘及第二焊盘，所述焊料层位于所述第一焊盘与第一界面金属化合物层及所述第二界面金属化合物层均为所述第一金属及所述第二金属的反应产物，所述第一界面金属化合物层包括Cu3Sn层，所述第二界面金属化合物层包括建立所述第一焊盘与所述焊料层之间的所述第一界面金属化合物层及所述第二界面金属化合物层的厚度变化与所述第一金属在所述第一焊盘、所述第一界面金属化合物层、所述第二界面金属化合物层及所述焊料层中的通量的面金属化合物层的厚度，表示原子浓度梯度导致的铜从所述第一焊盘到所述第一界面金属化合物层的热扩散通量，表示原子浓度梯度导致的铜从所述层到所述第二界面金属化合物层的热扩散通量，表示原子浓度梯度基于如下公式得到所述第一焊盘中所述第一金属在所述第一界面金属化合物层中的9基于如下公式得到所述第一焊盘中所述第一金属在所述第二界面金属化合物层中的基于如下公式得到所述第一焊盘中所述第一金属在所述第一界面金属化合物层中的Cu为铜焊盘中的铜原子浓度，DCu/ε为铜原子在所述第一界面金属化合物层中的基于如下公式得到所述第一焊盘中所述第一金属在所述第二界面金属化合物层中的Cu/ε表示铜原子在所述第一界面金属化合物层中的浓度，CCu/Sn表示铜原子溶解建立所述第二焊盘与所述焊料层之间的所述第一界面金属化合物层及所述第二界面金属化合物层的厚度变化与所述第一金属在所述第二焊盘、所述第一界面金属化合物层、所述第二界面金属化合物层及所述焊料层中通量的二界面金属化合物层的厚度，表示原子浓度梯度导致的铜从所述第二焊盘到所述第一界面金属化合物层的热扩散通量，表示原子浓度梯度导致的铜从所述第一界面金属化合物层到所述第二界面金属化合物层的热扩散通量，表示原子浓度梯度导基于如下公式得到所述第二焊盘中所述第一金属在所述第一界面金属化合物层中的子在所述第二界面金属化合物层中的浓度；DCu/物层中的热扩散系数，DCu/η表示所述铜原子在所述第二界面金属化合物层中的热扩散系在所述第二界面金属化合物层中的有效电荷数；ρε为所述第一界面金属化合物层的电阻基于如下公式得到所述第二焊盘中所述第一金属在所述第二界面金属化合物层中的Cu/Sn表示所述铜原子溶解在所述焊料层中的浓度，DCu/Sn表示所述铜原子在所述基于如下公式得到所述第二焊盘中所述第一金属在所述第一界面金属化合物层中的Cu为铜焊盘中的铜原子浓度，DCu/ε为铜原子在所述第一界面金属化合物层中的基于如下公式得到所述第二焊盘中所述第一金属在所述第二界面金属化合物层中的Cu/ε表示铜原子在所述第一界面金属化合物层中的浓度，CCu/Sn表示铜原子溶解8.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器处理器执行时实现权利要求1至6中任一项所述的方件乃至整体系统的可靠性受到严峻的考验，而提高封装I/O密度被认为是提升高性能微电[0007]获取所述界面金属化合物层中所述第一金属的净通量及所述第一金属的净通量[0008]基于所述第一金属的净通量与所述界面金属化合物层的生长速率的关系建立所金属的净通量及所述第一金属的净通量与所述界面金属化合物层的生长速率的关系包括：建立所述第一焊盘与所述焊料层之间的所述第一界面金属化合物层及所述第二界面金属第二界面金属化合物层及所述焊料层中的通量的所述第二界面金属化合物层中的浓度，表示原子浓度梯度导致的铜从所述第一焊盘到所述第一界面金属化合物层的热扩散通量，表示原子浓度梯度导致的铜从所述第一界的铜从所述第二界面金属化合物层到所述第二金属的热扩散通量，为电子风力导致的所述第一界面金属化合物层中的铜电迁移通量，为电子风力导致的所述第二界面金属[0016]基于如下公式得到所述第一焊盘中所述第一金属在所述第一界面金属化合物层铜原子在所述第一界面金属化合物层中的热扩散系数，Zus为所述铜原子在所述第一界面[0019]基于如下公式得到所述第一焊盘中所述第一金属在所述第二界面金属化合物层[0022]基于如下公式得到所述第一焊盘中所述第一金属在所述第一界面金属化合物层[0025]基于如下公式得到所述第一焊盘中所述第一金属在所述第二界面金属化合物层[0028]建立所述第二焊盘与所述焊料层之间的所述第一界面金属化合物层及所述第二述第二界面金属化合物层的厚度，表示原子浓度梯度导致的铜从所述第二焊盘到所述第一界面金属化合物层的热扩散通量，表示原子浓度梯度导致的从所述第二界面金属化合物层到所述第二金属的热扩散通量，为电子风力导致的所述第一界面金属化合物层中的铜电迁移通量，为电子风力导致的所述第二界面金属化合[0032]基于如下公式得到所述第二焊盘中所述第一金属在所述第一界面金属化合物层铜原子在所述第二界面金属化合物层中的浓度；DCu/ε表在所述第二界面金属化合物层中的有效电荷数；ρε为所述第一界面金属化合物层的电阻[0035]基于如下公式得到所述第二焊盘中所述第一金属在所述第二界面金属化合物层[0038]基于如下公式得到所述第二焊盘中所述第一金属在所述第一界面金属化合物层[0041]基于如下公式得到所述第二焊盘中所述第一金属在所述第二界面金属化合物层第一界面金属化合物层中的净通量与所述第一焊盘与所述焊料层之间的所述第一界面金[0047]基于如下公式得到所述第一金属在所述第一焊盘与所述焊料层之间的所述第二界面金属化合物层中的净通量与所述第一焊盘与所述焊料层之间的所述第二界面金属化原子在所述第一界面金属化合物层中的浓度，DCu/Sn为铜原子在所述焊料层中的热扩散系所述第一界面金属化合物层中的热扩散系数，表示铜原子在所述第一界面金属化合物[0050]基于如下公式得到所述第一金属在所述第二焊盘与所述焊料层之间的所述第一界面金属化合物层中的净通量与所述第二焊盘与所述焊料层之间的所述第一界面金属化面金属化合物层中的浓度，DCu/η为铜原子在所述第二界面金属化合物层中的热扩散系数，DCu/ε为铜原子在所述第一界面金属化合物层中的热扩散系数，zi表示铜原子在所述第一[0053]基于如下公式得到所述第一金属在所述第二焊盘与所述焊料层之间的所述第二界面金属化合物层中的净通量与所述第二焊盘与所述焊料层之间的所述第二界面金属化第二界面金属化合物层中的热扩散系数，DCu/Sn为铜原子在所述焊料层中的热扩散系数，通量与所述界面金属化合物层的生长速率的关系获取温度应力下所述第一界面金属化合界面金属化合物层的厚度及所述第二界面金属化合物层的厚度随时间变化第一焊盘与所述焊料层之间的所述第一界面金属化合物层中的净通量与所述第一焊盘与所述焊料层之间的所述第一界面金属化合物层的生长速率的关系及所述第一金属在所述第一焊盘与所述焊料层之间的所述第二界面金属化合物层中的净通量与所述第一焊盘与应力下所述第一焊盘与所述焊料之间的第一界面金属化合物层的厚度随时间的变化及所述第一焊盘与所述焊料之间的所述第二界面金属化合物层的厚度随时间的[0062]基于所述第一金属在所述第二焊盘与所述焊料层之间的所述第一界面金属化合物层中的净通量与所述第二焊盘与所述焊料层之间的所述第一界面金属化合物层的生长速率的关系及所述第一金属在所述第二焊盘与所述焊料层之间的所述第二界面金属化合物层中的净通量与所述第二焊盘与所述焊料层之间的所述第二界面金属化合物层的生长化合物层的厚度随时间的变化及所述第二焊盘与所述焊料之间的所述第二界面金属化合[0064]其中，C'1和为所述第二焊盘与所述焊料层之间的所述第一界面金属化合物层初始厚度相关的积分常数，C'2为所述第二焊盘与所述焊料层之间的所述第二界面金属化合长厚度及所述第二界面金属化合物层的生长厚度预测所述焊点在料层耗尽时的合金化寿式预测温度应力下所述焊点在所述第二界面金属化合物层完全转化为所述第一界面金属焊料完全耗尽时所述第二界面金属化合物层的[0069]基于如下公式预测温度应力耦合电流应力下所述焊点在所述第二界面金属化合[0071]其中，ΔεCatho第一金属的净通量与所述界面金属化合物层的生[0081]获取所述界面金属化合物层中所述第一金属的净通量及所述第一金属的净通量[0082]基于所述第一金属的净通量与所述界面金属化合物层的生长速率的关系建立所[0086]获取所述界面金属化合物层中所述第一金属的净通量及所述第一金属的净通量[0087]基于所述第一金属的净通量与所述界面金属化合物层的生长速率的关系建立所[0091]获取所述界面金属化合物层中所述第一金属的净通量及所述第一金属的净通量[0092]基于所述第一金属的净通量与所述界面金属化合物层的生长速率的关系建立所[0099]图5为一个实施例中一种界面金属化合物层生长厚度的试验结果与预测结果对比[0100]图6为一个实施例中又一种界面金属化合物层生长厚度的试验结果与预测结果对[0108]一种焊点合金化程度的预测方法是基于焊点界面间不同原子迁移通量的数值计算的铜原子迁移通量转化为Cu6Sn5层的厚度变化，进而用以表征Cu6Sn5层厚度随时间变化[0110]然而，上述第一种方法中界面间原子迁移通量的计算需基于大量的界面热扩散、[0111]上述第二种方法中将无铅焊点中的IMC层进行了简化考虑，仅考虑了无铅焊点[0112]请参见图1，图1为一个实施例中一种焊点的合金化寿命层，上述第一界面金属化合物层及上述第二界面金属化合物层均包括第一金属及第二金金属化合物层303以及第二界面金属化合物层304。第一焊盘301可以包括铜焊盘，焊料层302可以包括锡层，第一界面金属化合物层303可以包括Cu3Sn层，第二界面金属化合物层[0117]图4中Jchem表示原子浓度梯度导致的Cu热扩散通量，方向总是从铜原子浓度高的通量Jdiss表示铜原子的溶解通量，由于电场作用下的原子迁移会导致铜原子浓度的不饱构因抗电迁移能力良好，所以形成的通量可在计算中忽略，将第一界面金属化合物层物层的有效电荷数，zan表示铜原子在所述第二界面金属化合物层中的有效电荷数，面金属化合物层303向第二界面金属化合物层304以及第二界面金属化合物层304向焊料层302中的铜原子溶解通量。当温度、电流条件一定时铜原子的溶解通量只与Cu的溶解度相[0122]步骤202，获取上述界面金属化合物层中上述第一金属的净通量及上述第一金属立铜原子的净通量与第一界面金属化合物303层和第二界面金属化合物304厚度的变化关和CCu/η分别表示铜原子在Cu3Sn303(ε相)和Cu6Sn5304(η相)层中的浓可等效为第一焊盘301与第二界面金属化合物层304中原子浓度差引起的铜原子在第一界Cu/ε和DCu/η分别为铜原子在上述第一界面金属化合物层303和第二界面金属化合物层[0145]步骤203，基于上述第一金属的净通量与上述界面金属化合物层的生长速率的关述第一金属的净通量与上述界面金属化合物层的生长速率的关系获取温度应力下上述第得到单一温度应力下第一界面金属化合物层303厚度和第二界面金属化合物层304厚度随面上分别设置的第一界面金属化合物层303和第二界面金属化合物层304的变化情况相同，如下公式为焊料层302的相对的两侧面的其中一个侧面上的第一界面金属化合物层303和和η0分别为第一界面金属化合物层303(Cu3Sn层)和第二界面金属化合物化合物层303和第二界面金属化合物层30一焊盘与上述焊料层之间的上述第一界面金属化合物层中的净通量与上述第一焊盘与上述焊料层之间的上述第一界面金属化合物层的生长速率的关系及上述第一金属在上述第一焊盘与上述焊料层之间的上述第二界面金属化合物层中的净通量与上述第一焊盘与上下上述第一焊盘与上述焊料之间的第一界面金属化合物层的厚度随时间的变化及上述第一金属在上述第二焊盘与上述焊料层之间的上述第一界面金属化合物层中的净通量与上述第二焊盘与上述焊料层之间的上述第一界面金属化合物层的生长速率的关系及上述第一金属在上述第二焊盘与上述焊料层之间的上述第二界面金属化合物层中的净通量与上应力及电流应力下上述第二焊盘与上述焊料之间的第一界面金属化合物层的厚度随时间的变化及上述第二焊盘与上述焊料之间的上述第二界面金属化合物层的厚度随时间的变合物层303和第二界面金属化合物层304厚度随应力时间的函数和C'2分别为与IMC层初始厚度相关的积分常数，所以公式(14)和界面金属化合物层303和第二界面金属化合物层304随温度、电流应力时间的厚度生长模施例中一种界面金属化合物层生长厚度的试验结果与预测结果对比的场景示意图，从图5度随温度应力作用时间的延长均表现出良好的条件下，Cu/Sn/Cu无铅焊点结构中阳极端(图6中的(a)图)和阴极端(图6中的(b)图)的得出焊点阴阳两极Cu6Sn5层和Cu3Sn层的生长趋势和模型结果表现出[0166]基于上述界面金属化合物层的生长模型预测上述焊点在上述焊料层耗尽时的合流应力时间的延长，无铅焊点中将按照公式(13)～302完全消耗尽时，即焊料层302则全部转变成为第一界面金属化合物层Cu3Sn303和第二面金属化合物层304的生长厚度即可判断当前时刻焊料是否完全耗尽转化，判别准则可基于焊料层302、第二界面金属化合物层304以及第一界面金属化合物层303的厚度转化关系[0175]基于界面金属化合物层的生长模型预测上述焊点在第二界面金属化合物层304完[0176]基于如下公式预测温度应力下上述焊点在第二界面金属化合物层304完全转化为完全合金化后，原本在图3中焊料层302相对的两侧面上的第二界面金属化合物层304合为[0179]基于如下公式预测温度耦合电流应力下上述焊点在第二界面金属化合物层304完[0181]其中，ΔεCathode和ΔεAnode分别为阴极和阳极第一界面金属化合物层303的生长厚即可确定无铅焊点中第二界面金属化合物层304完全转化为第一界面金属化合物层303时[0183]具体地，选取Cu/Sn/Cu无铅焊点结构，且其初始状态下锡焊料层302的厚度为层和Cu3Sn层以及总IMC层厚度随应力时间的变化关系，该变化关系中IMC层生长曲线被分属化合物层304和第一界面金属化合物层303，以及第二界面金属化合物层304完全转化为第一界面金属化合物层303为例进行全寿命周期阶段预测，对于支撑高性能微电子器件的[0193]第一处理模块902，用于获取上述界面金属化合物层中上述第一金属的净通量及上述第一金属的净通量与上述界面金属化合物层的生长[0194]第二处理模块903，用于当基于上述第一金属的净通量与上述界面金属化合物层[0195]第三处理模块904，用于基于上述界面金属化合物层的生长模型预测上述焊点的盘与上述焊料层合金化生成包括第一金属及第二金属的界面金属化合物层；上述方法包[0199]获取上述界面金属化合物层中上述第一金属的净通量及上述第一金属的净通量[0200]基于上述第一金属的净通量与上述界面金属化合物层的生长速率的关系建立上述第一金属的净通量及上述第一金属的净通量与上述界面金属化合物层的生长速率的关[0205]建立上述第一焊盘与上述焊料层之间的上述第一界面金属化合物层及上述第二上述第二界面金属化合物层中的浓度，表示原子浓面金属化合物层至上述第二界面金属化合物层的热扩散通量，ISO表示原子浓度面金属化合物层的中的浓度，DCu/ε表示所述铜原子在所[0210]建立上述第二焊盘与上述焊料层之间的上述第一界面金属化合物层及上述第二述第二界面金属化合物层的厚度，表示原子浓度梯度导致的Cu从上述第第一界面金属化合物层的热扩散通量，表示原子浓度梯二金属层中的Cu电迁移通量，CCu/ε表示所述铜原子在所述第一界面金属化合物层中的浓Cu/η表示所述铜原子在所述第二界面金属化合物层的中的浓度，CCu/Sn表示所述铜原子在所述第二金属层中的浓度，DCu/ε表示所述铜原子在所述第Cu/η表示所述铜原子在所述第二界面金属化合物层中的扩散系数，DCu/Sn表示所述铜原子在所述第二金属层中的扩散系数，为所述铜原子在[0215]基于如下公式得到上述第一焊盘中上述第一金属在上述第一界面金属化合物层[0218]基于如下公式得到上述第二焊盘中上述第一金属在上述第二界面金属化合物层第一界面金属化合物层中的净通量与上述第一焊盘与上述焊料层之间的上述第一界面金界面金属化合物层中的净通量与上述第一焊盘与上述焊料层之间的上述第二界面金属化化合物层中的热扩散系数，表示铜原子在上述第一界面金属化合物层的有效电荷数，zan表示铜原子在上述第二界面金属化合物层中的有效电荷数，ρε为所述第一界面金属化[0227]基于如下公式得到上述第一金属在上述第二焊盘与上述焊料层之间的上述第一界面金属化合物层中的净通量与上述第二焊盘与上述焊料层之间的上述第一界面金属化化合物层中的热扩散系数，表示铜原子在上述第一界面金属化合物层的有效电荷数，zan表示铜原子在上述第二界面金属化合物层中的有效电荷数，ρε为上述第一界面金属化合物层的电阻率，ρη为上述第二界面金属化金属在上述第二焊盘与上述焊料层之间的上述第二界面金属化合物层中的净通量与上述第二焊盘与上述焊料层之间的上述第二界面金属化合物层的生上述第二界面金属化合物层中的热扩散系数，zan表示铜原子在上述第二界面金属化合物通量与上述界面金属化合物层的生长速率的关系获取温度应力下上述第一界面