CN115153566B 一种微电极结构及其制作方法 （武汉衷华脑机融合科技发展有限公司）_第1页
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发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B3栋10楼1130（自贸US2020261025A1,2020.08.20所述微柱或者所述软针尾部的背面设置有至少硬针尾部的正面或者软针尾部的背面设置有至2或者在衬底的表面先生长牺牲层，接着生长微柱3长时间的观察和研究。其中，可长期植入中枢神经系统(CNS)的微电极具有广泛的应用范一个所述微柱或者所述软针尾部的背面设置有至少4行适应性形变而对组织造成损伤以及避免采用单一的软针导致植入时易发生变形而无法将软针很好地植入组织内；且硬针尾部的正面或者软针尾部的背面设置有至少一个微柱，5等指示的方位或位置关系为基于附图所示的软针2一同带入神经组织内并在硬针1拔出时软针引采集到的神经信号传输给集成电路芯片，体电极点与软针2尾部对应的焊点通过连接线连62的焊点上都设置有导电材料，以使集成电路芯片上的焊点与软针2上对应的焊点键合连78

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