CN115377269B 具有渐变透明电极接触层的深紫外led及其制备方法 （苏州紫灿科技有限公司）

具有渐变透明电极接触层的深紫外LED及其本发明公开了一种具有渐变透明电极接触层的深紫外LED及其制备方法，该具有渐变透明电极接触层的深紫外LED包括依次层叠布置的蓝流扩展层、多量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层和透明电极接触层；透明电极透明电极接触层，用以替换现有的p型GaN接触改善空穴注入能力；另一方面，解决了现有p型2AlGaN空穴注入层和透明电极接触层，所述具有渐变透明电极接触层的深紫外LED还包括p所述透明电极接触层与p型AlGaN空穴注入层所接触一侧的Al组分百分数为X1，所述透明电极接触层与p电极所接触一侧的Al组分百分数为X2，所述p型AlGaN空穴注入层的Al组,从所述p型AlGaN空穴注入层到p电极的方向上，所述透明电极接触层的Mg掺杂浓度由M1所述透明电极接触层与p型AlGaN空穴注入层所接触一侧的Mg掺杂浓度为M1，所述透明,从所述p型AlGaN空穴注入层到p电极的方向上，所述透明电极接触层的Mg掺杂浓度由M12.根据权利要求1中所述具有渐变透明电极接触层的深AlGaN空穴注入层的禁带宽度大于或等于所述多量子阱有源层中出射光4.根据权利要求1中所述具有渐变透明电极接触层的深紫外LE所述n型AlGaN电子注入层与电流扩展层之间形成台阶状结构，且所述n型A入层的面积大于所述电流扩展层的面积，所述n电极设置于所述n型AlGaN电子注入层台阶6.一种如权利要求1~5中任一所述具有渐变透明电极接触层的深紫外LED的制备方法，有源层的势阱层厚度为0.1~5nm且势阱层中Al组分百分数为30~80%，量子垒厚度为1~30nm3;4[0001]本发明涉及半导体光电领域，特别是一种具有渐变透明电极接触层的深紫外LED[0004]本发明的目的在于，提供一种具有渐变透明电极接触层的深紫外LED及其制备方5[0009]优选的，透明电极接触层与p型AlGaN空穴注入层所接触一侧的Al组分百分数为[0011]优选的，透明电极接触层与p型AlGaN空穴注入层所接触一侧的Mg掺杂浓度为M1，透明电极接触层与p电极所接触一侧的Mg掺杂浓度为M2，满足1x1021cm_3≥M2>M1≥1x触层的深紫外LED的制备方法，该制备方法用于制备前述第一解决方案中具有渐变透明电[0016](2)升温至1200～1400℃,于AlN本征层中的缓冲层上生长AlN本征层，AlN本征层[0017](3)降温至800～1200℃,于AlN本征层上生长n型AlGaN电子注入层，采用SiH4掺[0019](5)降温至700～1100℃,于电流扩展层上生长多量子阱有源层，其中多量子阱有源层的势阱层厚度为0.1～5nm且势阱层中Al组分百分数为30～80量子垒厚度为1~分数为20～60厚度为0.1～50nm，采用Mg作为p型掺杂剂，Mg掺杂浓度为1x1018～5x度线性降低至400～800℃,同时Al源导入量线性递减且Mg掺杂量线性递增，透明电极接触[0023](9)刻蚀至n型AlGaN电子注入层形成台阶结构，在n型AlGaN电子注入层的台阶结6极接触层的深紫外LED一实施方式的结构示意图。本发明中具有渐变透明电极接触层的深接触层为Mg掺杂的AlGaN单层结构，沿生长方向，透明电极接触层的Mg掺杂浓度呈递增趋电子注入层台阶结构处并位于电流扩展层一侧，n电极和p电极优选常用的透明电极材料，[0031]对于本发明提出的第二解决方案，具有渐变透明电极接触层的深紫外LED制备方7[0033](2)升温至1200～1400℃,于AlN本征层中的缓冲层上生长AlN本征层，AlN本征层[0034](3)降温至800～1200℃,于AlN本征层上生长n型AlGaN电子注入层，采用SiH4掺[0036](5)降温至700～1100℃,于电流扩展层上生长多量子阱有源层，其中多量子阱有源层的势阱层厚度为0.1～5nm且势阱层中Al组分百分数为30～80量子垒厚度为1~分数为20～60厚度为0.1～50nm，采用Mg作为p型掺杂剂，Mg掺杂浓度为1x1018～5x度线性降低至400～800℃,同时Al源导入量线性递减且Mg掺杂量线性递增，透明电极接触[0040](9)刻蚀至n型AlGaN电子注入层形成台阶结构，在n型AlGaN电子注入层的台阶结[0041]由于第二解决方案中的具有渐变透明电极接触层的深紫外LED制备方法用于制备前述第一解决方案中的具有渐变透明电极接触层的深紫外LED，故两个方案中的具有渐变[0042]下面通过具体实施例对上述具有渐变透明电极接触层的深紫外LED的性能效果进[0046](2)升温至1200℃,于AlN本征层中的缓冲层上生长AlN本征层，AlN本征层的总厚[0048](4)维持1000℃,停止通入SiH4掺杂，于n型AlGaN电子注入层上生长电流扩展层，[0049](5)降温至900℃,于电流扩展层上生长多量子阱有源层，其中多量子阱有源层的势阱层厚度为1nm且势阱层中Al组分百分数为65量子垒厚度为10nm且势垒中Al组分百[0050](6)在1000℃条件下，于多量子阱有源层上生长电子阻挡层，其Al组分百分数为8[0053](9)刻蚀至n型AlGaN电子注入层形成台阶结构，在n型AlGaN电子注入层的台阶结百分数计由5％线性递增至45Mg掺杂量由1x1019cm_3线性递减2x1018cm_3，透明电