CN115458649B 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 （江西兆驰半导体有限公司）

管本发明公开了一种发光二极管外延片及其能够缓解量子阱层中In的偏析，使In分布更均2所述AlxN1-x三维层的厚度为0.5n所述InyN1-y三维层的厚度为0.5n所述InzGa1-zN缓冲层的厚度为0.5n4.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述缓冲层的厚度为20nm-所述N型GaN层的厚度为1μm-3μm，所述N型GaN层为Si掺杂，所述Si的掺杂浓度为5×cm-3；所述P型GaN层的厚度为200nm-300nm，所述P型GaN层为Mg掺杂，所述Mg34应用。[0004]但是由于传统的多层量子阱InGaN量子阱层和GaN量子垒层超晶格结构中量子阱5[0031]依次沉积Al层、AlxN1-x三维层，InyN1-y三维层和InzGa1-zN缓冲层形成所述In调节6[0051]将反应室温度控制在1100℃-1150℃,通入SiN4作为Si源，通入NH3作[0053]将反应室温度控制在800℃-1000℃,通入NH3作为N源，通入TMGa作为Ga源，通入[0054]在一种实施方式中，采用下述方法完成在所述多量子阱层上沉积所述电子阻挡[0057]将反应室温度控制在900℃-1000℃,通入TMAL作为Al源，通入NH3作为N源，通入[0059]将反应室温度控制在900℃-1000℃,通入TMIn作为In源，通入NH3作为N源，通入7[0070]传统的多层量子阱InGaN量子阱层和GaN量子垒层超晶格结构中存在严重的In偏在外延层表面生长成均匀分布的小岛形状；所述InyN1-y三维层优先吸附在均匀分布的InzGa1-zN缓冲层中的In原子也优先吸附在InyN1-y小岛上，同时InzGa1-zN逐渐填平InyN1-y三8In组分的所述InzGa1-zN缓冲层[0078]所述本征GaN层为未掺杂的GaN层，在一种实施方式中，所述本征GaN层的厚度为所述Mg的掺杂浓度为5×1017-1×10201200℃,控制反应室压力为200Torr-600Torr，在H2气氛下对衬底进行5min-8min的高温退[0095]将反应室温度控制在1100℃-1150℃,通入SiN4作为Si源，通入NH3作9[0103]依次沉积Al层、AlxN1-x三维层，InyN1-y三维层和InzGa1-zN缓冲层形成所述In调节间较短，所以暂时吸附在外延层表面；然后生NH33和所述Al层上的Al原子反应生成AlN形核点，并不断吸收气氛中的AlN而长大成小的所述InzGa1-zN缓冲层上生长InGaN量子阱层，量子阱层的In原子也更容易和In组分调节[0113]另外，所述Al层生长温度为800-900℃,所述AlxN1-x三维层的生长温度为700-800℃,所述InyN1-y三维层的生长温度为700-800℃,所述InzGa1-zN缓[0117]将反应室温度控制在900℃-1000℃,通入TMAL作为Al源，通入NH3作为N源，通入[0119]将反应室温度控制在900℃-1000℃,通入TMIn作为In源，通入NH3作为N源，通入[0121]将反应室温度控制在800℃-1000℃,通入NH3作为N源，通入TMGa作为Ga源，通入[0142]依次沉积Al层、AlxN1-x三维层，InyN1-y三维层和InzGa1-zN缓冲层形成所述In调节[0144]将反应室温度控制在850℃,通入TMAl作为Al源，完成沉积并控制沉