CN115498120B Qled器件及其制备方法 （广东聚华印刷显示技术有限公司）

型电荷产生层包括多个第二p型电荷产生单元与单元与第一n型电荷产生单元同层且沿第一方向间隔交替设置，以及第二p型电荷产生单元与第二n型电荷产生单元同层且沿第一方向间隔交替2所述第一p_n型电荷产生层包括多个第一p型电荷产生单元与多个第一n型电荷产生单所述第二p_n型电荷产生层包括多个第二p型电荷产生单元与多个第二n型电荷产生单所述第一p型电荷产生单元在所述QLED器件平面上的正投影与所述第二n型电荷产生单元在所述QLED器件平面上的正投影至少有一重叠区域，所述第二p型电荷产生单元在所述QLED器件平面上的正投影与所述第一n型电荷产生单元在所述QLED器件平面上的正投影4.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所5.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述第一p型电荷产生单元在所述QLED器件平面上的正投影与所述第二n型电荷产生单元在所述QLED器件平面上的正投影重6.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于7.根据权利要求1所述的QLED器件，其3及所述第二p型电荷产生单元与所述第二n型电荷产所述第一p_n型电荷产生层包括多个第一p型电荷产生单元与多个第一n型电荷产生单所述第二p_n型电荷产生层包括多个第二p型电荷产生单元与多个第二n型电荷产生单所述第一p型电荷产生单元在所述QLED器件平面上的正投影与所述第二n型电荷产生单元在所述QLED器件平面上的正投影至少有一重叠区域，所述第二p型电荷产生单元在所述QLED器件平面上的正投影与所述第一n型电荷产生单元在所述QLED器件平面上的正投影包括由权利要求11至13任一项所述的方法制4[0002]量子点发光二极管(Quantumdotlight_emittingdoit，QLED)作为一种新型的输材料在一侧的聚集对材料的寿命是不利的，加速了材料结构的损坏与器件的老化，使[0004]交流驱动QLED器件主要通过正负电流切换或者将空穴注入层(HIL)材料和电子注入层(ETL)材料按照一定比例掺杂到发光层中的方式来点亮。但是正负电流切换的方式往[0007]所述第一p_n型电荷产生层包括多个第一p型电荷产生单元与多个第一n型电荷产[0008]所述第二p_n型电荷产生层包括多个第二p型电荷产生单元与多个第二n型电荷产[0009]所述第一p型电荷产生单元在所述QLED器件平面上的正投影与所述第二n型电荷产生单元在所述QLED器件平面上的正投影至少有一重叠区域，所述第二p型电荷产生单元5在所述QLED器件平面上的正投影与所述第一n型电荷产生单元在所述QLED器件平面上的正[0010]在一些实施例中，所述QLED器件还包括位于所述第一电极与所述第一p_n型电荷[0015]在一些实施例中，所述第一p型电荷产生单元在所述QLED器件平面上的正投影与元在所述QLED器件平面上的正投影与所述第一n型电荷产生单元在所述QLED器件平面上的镁中一种或多种的氧化锌纳米颗粒，所述第二n型电荷产生单元的材料包括氧化锌纳米颗中一种或多种的氧化锌纳米颗粒组成，所述第二n型电荷产生单元的材料由氧化锌纳米颗所述第一p型电荷产生单元与所述第一n型电荷产生单元之间，以及所述第二p型电荷产生[0023]在一些实施例中，所述第一p型电荷产生单元包括多个沿第二方向相邻设置的第一p型电荷产生子单元，所述第一n型电荷产生单元包括多个沿第二方向相邻设置的第一n6p型电荷产生子单元，所述第二n型电荷产生单元包括多个沿第二方向相邻设置的第二n型[0026]所述第一p_n型电荷产生层包括多个第一p型电荷产生单元与多个第一n型电荷产[0027]所述第二p_n型电荷产生层包括多个第二p型电荷产生单元与多个第二n型电荷产[0028]所述第一p型电荷产生单元在所述QLED器件平面上的正投影与所述第二n型电荷产生单元在所述QLED器件平面上的正投影至少有一重叠区域，所述第二p型电荷产生单元在所述QLED器件平面上的正投影与所述第一n型电荷产生单元在所述QLED器件平面上的正[0039]利用喷墨打印法，在所述量子点发光层上方，隔行喷墨打印第二p型电荷产生单[0040]利用喷墨打印法，在所述量子点发光层上方，隔行喷墨打印第二n型电荷产生单7[0049]图2是本发明一个实施例提供的图1所示的QLED器件沿P_P方向剖切获得的截面结[0050]图3是本发明另一个实施例提供的图1所示的QLED器件沿P_P方向剖切获得的截面[0051]图4是本发明又一个实施例提供的图1所示的QLED器件沿P_P方向剖切获得的截面[0052]图5是本发明一个实施例提供的图1所示的QLED器件沿P_P方向剖切获得的截面结8的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描[0063]所述第一p_n型电荷产生层13包括多个第一p型电荷产生单元132与多个第一n型电荷产生单元131，且所述第一p型电荷产生单元132与所述第一n型电荷产生单元131同层[0064]所述第二p_n型电荷产生层15包括多个第二p型电荷产生单元151与多个第二n型电荷产生单元152，且所述第二p型电荷产生单元151与第二n型电荷产生单元152同层且沿[0065]所述第一p型电荷产生单元132在所述QLED器件平面上的正投影与所述第二n型电单元151在所述QLED器件平面上的正投影与所述第一n型电荷产生单元131在所述QLED器件9产生层13包括第一p型电荷产生单元132与第一n型电荷产生单元131，所述第二p_n型电荷荷产生单元132与第一n型电荷产生单元131之间，以及所述第二p型电荷产生单元151与第二n型电荷产生单元152之间通过像素界定结[0077]可选的，所述第一p型电荷产生单元132与第一n型电荷产生单元所述第二p型电荷产生单元151与第二n型电荷产生单元152的厚度相同。在一具体实施例[0078]可选的，所述第一p型电荷产生单元132包括多个沿第二方向相邻设置的第一p型电荷产生子单元，所述第一n型电荷产生单元131包括多个沿第二方向相邻设置的第一n型二p型电荷产生子单元，所述第二n型电荷产生单元152包括多个沿第二方向相邻设置的第[0079]图6示出了在所述QLED器件平面方向上第一p_n型电荷产生图7示出了在所述QLED器件平面方向上第二p_n型电荷产生层15处的俯视示意图。如图6和图7所示，所述第一p型电荷产生单元包括多个沿第二方向相邻设置的第一p型电荷产生子沿第一方向同层交替设置；所述第二p型电荷产生单元包括多个沿第二方向相邻设置的第二n型电荷产生子单元152b，使所述第二p型电荷产生单元与第二n型电荷产生单元形状整型电荷产生子单元151a之间，以及所述多个第二n型电荷产生子单元152b之间还可设置其生单元152的形状对应设置，以及所述第二p型电荷产生单元151与第一n型电荷产生单元单元131、第二p型电荷产生单元151与第二n型电荷产生单元152的长方形条状的宽度是否一致。所述多个第一p型电荷产生单元132和/或第一n型电荷产生单元131之间的宽度可以相同也可以不同；所述多个第二p型电荷产生单元151和/或第二n型电荷产生单元152之间邻设置，所述第二p型电荷产生单元151与第二n型电荷产生单元152的平行且交替相邻设[0084]可选的，所述第一p_n型电荷产生层13和第二p_n型电荷产生层15的厚度为5纳米影与所述第二n型电荷产生单元152在所述QLED器件平面上的正投影重合，所述第二p型电荷产生单元151在所述QLED器件平面上的正投影与所述第一n型电荷产生单元131在所述全重合；所述第二p型电荷产生单元151在所述QLED器件平面上的正投影面积与所述第一n型电荷产生单元131在所述QLED器件平面上的正投影面积相等，且二者沿投影方向完全重者沿投影方向不完全重合，因为所述第一p型电荷产生单元132与所述第二n型电荷产生单元152，以及所述第二p型电荷产生单元151与所述第一n型电荷产生单元131之间有部分对[0091]所述第一p_n型电荷产生层13包括多个第一p型电荷产生单元132与多个第一n型电荷产生单元131，且所述第一p型电荷产生单元132与所述第一n型电荷产生单元131同层[0092]所述第二p_n型电荷产生层15包括多个第二p型电荷产生单元151与多个第二n型电荷产生单元152，且所述第二p型电荷产生单元151与所述第二n型电荷产生单元152同层[0093]所述第一p型电荷产生单元132在所述QLED器件平面上的正投影与所述第二n型电单元151在所述QLED器件平面上的正投影与所述第一n型电荷产生单元131在所述QLED器件[0094]如图8所示，图8是本发明一个实施例提供的QLED器件的法的一个实施例的流程示意图，形成的所述第一p_n型电荷产生层的结构最终如图6所示，[0098]S11.利用喷墨打印法，在[0101]S12.利用喷墨打印法，在所述第第一p_n型电荷产生层13包括同层且交替相邻设置的多个第一p型电荷产生单元132与第一型电荷产生单元151与第二n型电荷产生单元的方法制备。所述第一p型电荷产生单元132与第二p型电荷产生单元151的材料为PEDOT:第二p型电荷产生单元151与第一n型电荷产生[0122]本实施例提供的QLED器件，在驱动过程中的交流驱动信号的频率范围为1Hz至邻设置的第二p型电荷产生单元151与第二n型电荷产第二p型电荷产生单元151与第一n型电荷产生[0127]本实施例提供的QLED器件，在驱动过程中的交流驱动信号的频率范围为1HZ至电层17以及第二电极16。所述的第一p_n型电荷产生层13包括同层且交替相邻设置的多个第一p型电荷产生单元132与第一n型电荷产生单元131，所述第二p_n型电荷产生层15包括多个同层且交替相邻设置的第二p型电荷产生单元151与第二n型电荷产第二p型电荷产生单元151与第一n型电荷产生[0132]本实施例提供的QLED器件，在驱动过程中的交流驱动信号的频率范围为1Hz至[0137](3)将制作了bank图案的ITO基板放在专用的洗片架上超声清洗，并230℃烘烤[0138](4)将第一p_n型电荷产生层的p型电荷产生层材料墨水和n型电荷产生层材料墨[0139](5)将基板放置于打印机的基板平台上，调节喷墨打印头的旋转角度和基板的高[0141](7)将第二p_n型电荷产生层的p型电荷产生层材料墨水和n型电荷产生层材料墨[0142