CN115881036B 基于MRAM的OLED驱动芯片Gamma校正电路及方法、设备、介质 （苏州伯嘉半导体科技有限公司）

城夏蓉街399号稻谷互联网产业园1号基于MRAM的OLED驱动芯片Gamma校正电路及本发明涉及基于MRAM的OLED驱动芯片GammaOLED驱动芯片中的Gamma校正电路采用MRAM作为采用MRAM作为存储单元，具备可重复擦写的能Gamma校准的机会，OLED随时都有机会实现重新21.基于MRAM的OLED驱动芯片Gamma校正电路，其特征在于：包括MRAM存储逻辑控制电所述MRAM存储逻辑控制电路用于读取MRAM存储阵列中的数据，以及将所述差分放大电路用于将通过所述电阻选择电路选择的电压与通过所述灰度检测电所述灰度分压电路用于将经过校准过的信号转换为电所述OLED像素驱动电路用于通过所述电压信号调节OLED像素驱动的电所述MRAM存储逻辑控制电路包括地址译码器、控制逻辑模块、读取电路、写入电路、所述写入电路，用于将外部高压电路信号传送至选中的存储单元位线2.如权利要求1所述的基于MRAM的OLED驱动芯片Gamma校正电路，其特征在于：按照3.如权利要求1所述的基于MRAM的OLED驱动芯片Gam4.如权利要求1所述的基于MRAM的OLED驱动芯片Gamma校5.基于MRAM的OLED驱动芯片Gamma校正电路的校36.如权利要求5所述的基于MRAM的OLED驱动芯片Gamma校正7.如权利要求6所述的基于MRAM的OLED驱动芯片Gamm在MRAM的高电压电源引脚及编程/擦除引脚完成上电操作之后，将MRAM的烧写控制引4[0001]本发明涉及芯片器件及电路设计技术领域，特别涉及基于MRAM的OLED驱动芯片[0003]LED在生产过程中需要多个工序，其中灰阶Gamma调整就属于其中的一道工序。OLED灰阶Gamma调整主要针对OLED灰色显示画面的亮度值进行调整，使其显示画面更适应[0005]Gamma校正电路需求的存储器需要[0006]MRAM(MagneticRandomAccessMemory)是指以磁电阻性质来存储数据的随机5为是非常契合OLED驱动电路中Gamma模块寄存器的优秀解决方案。MRAM的工作原理是，向MTJ(megnetic-tunneljuction)存储单元底部自旋轨道相互作用较强的材料层施加水[0007]a)当自由层与参考层磁化方向相同时，此时整个器件处于平行态(paralle[0008]b)当自由层与参考层磁化方向相反时，此时整个器件处于反平行态(Anti-p可以被多次读取。OTP电路模块一般基于传统CMOS工艺器件，其主要器件工作原理分为两[0016]所述差分放大电路用于将通过所述电阻选择电路选择的电压与通过所述灰度检过校准后的电压信号传输至所述MRAM存储逻6[0029]本发明的第二目的是提供基于MRAM的OLED驱动芯片Gamma校正电路的校正方法，[0031]S2、通过读取电路读取MRAM存储阵列中预存的或者上次校正结果的Gamma存储数对Gamma寄存器中的数值表进行修正，然后重复S2步骤和S3步骤，直至达到预期的显示效[0046]在MRAM的高电压电源引脚及编程/擦除引脚完成上电操作之后，将MRAM的烧写控7程序指令被执行时实现基于MRAM的OLED驱动芯片Gamma校正[0050]本发明在OLED驱动芯片中的Gamma校正电路采用MRAM作为存储单元，不仅具有断[0051]相较于传统的OTP存储器，本发明采用MRAM作为存储单元，具备可重复擦写的能[0052]本发明能够降低对OLED错误Gamma校准的机会，OLED随时都有机会实现重新测试[0053]上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的具体实施方式由以下实施例及其附图[0066]现有的OTP存储器因为具备在断电关机情况下不会丢失数据的非易失性特点，从而被广泛应用于OLED驱动芯片电路的Gamma校准电路中作数据存储模块。但是由于其写入8出一种新的Gamma校正电路，可以进行多次重复校准，进一步提高了OLED的寿命及显示质[0072]差分放大电路用于将通过电阻选择电路选择的电压与通过灰度检测电路生成的9[0085]S2、通过读取电路读取MRAM存储阵列中出厂预存的或者上次校正结果的Gamma存字模拟转换器(DAC)进行数字量到模拟量的转换；在MRAM的高电压电源引脚VDD及编程/擦对Gamma寄存器中的数值表进行修正，然后重复S2步骤和S3步骤，直至达到预期的显示效多个实施例本说明书一个或多个实施例本说明书一个或多个实