CN116266616B 一种太阳能电池片及其制备方法 （武汉帝尔激光科技股份有限公司）_第1页
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US2008293214A1,2008本发明公开了一种太阳能电池片及其制备扩散层和硼硅玻璃层；对第一次硼源扩散后的N型硅衬底表面激光开槽或者刻蚀至扩散层表面底部横向扩展形成底面横截面积大于表面开口22）对第一次硼源扩散后的N型硅衬底表面激光开性腐蚀液对所述开槽区进行刻蚀时刻蚀温度为5℃_35℃。3对第一次硼源扩散后的N型硅衬底表面激光开槽或者刻蚀至扩散层表面或扩散层内4[0003]目前在对硅片进行硼掺杂时，由于硼原子在SiO2(硼硅玻璃而在很大程度上使硅片表面的硼扩散层与硼硅玻璃层界面附近处的硼原子外扩到硼硅玻璃层中，使硅片表面的硼扩散层的表面浓度降低和/或者硅片表面的硼扩散掺杂浓度曲线[0008]2)对第一次硼源扩散后的N型硅衬底表面激光开槽或者刻蚀至扩散层表面或扩散述步骤4)中第二次硼源扩散的方式为管式扩散或者链5[0017]按上述方案，HF溶液的质量百分浓度为49±1HNO3溶液的质量百分浓度为65_70HF与HNO3的摩尔比大于1:3。度为5℃_35℃。槽体底部钻蚀形状扩大了重掺区域(重掺槽扩展区)的表面积和重掺硼扩散层的横向宽度6[0047](2)对第一次硼源扩散后的N型硅衬底1表面进行激光开槽或者采用腐蚀性浆料/坏。将槽底开至扩散层内的目的是便于有效地将硼硅玻璃层中的硼原子驱使进入硅片中，[0050](3)采用各向同性腐蚀液对开槽区进行刻蚀，由于开槽区底部靠近侧边边缘处的[0051]其中，扩散层与各向同性腐蚀液的反应速率大于N型硅衬底与各向同性腐蚀液的7[0060]然后对步骤(4)填充的浆料进行硼源激光掺杂或者第二次硼源扩散，由于开槽扩[0061]由于开槽扩展区底部钻蚀形状(底面横截面积大于表面开口横截面积)扩大了重的重掺杂区域形成金属浆料层与重掺杂区域有效的欧姆接触，扩大载流子扩散/漂移通道位置进行导电浆料印刷制备与该重掺槽扩展区3对应的电极，然后在电池片另一面也制备8[0068]该结构的太阳能电池片由于具备底面横截面积大于表面开口横截面积的重掺槽9[0091]本实施例与实施例1不同的地方在于开槽区的深度不同以及重掺杂的深度也不

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