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文档简介

一种陶瓷改性碳碳复合材料鼻锥及其制备本发明公开了一种陶瓷改性碳碳复合材料后端呈圆锥状的碳纤维预制体置于化学气相沉再将碳/碳坯体置于化学气相沉积炉中进行化学体进行树脂碳增密获得碳/碳复合材料,最后再将碳/碳复合材料再置于化学气相沉积炉中依次2碳/碳复合材料,最后再将碳/碳复合材料再置于化学气相沉积炉中依次进行SiC涂层以及所述石墨气筛的孔径分布密度为0.2_0.5个/3.根据权利要求1_2任意一项所述的一种陶瓷改性碳碳复合材料鼻锥的制备方法,其4.根据权利要求1_2任意一项所述的一种陶瓷改性碳碳复合材料鼻锥的制备方法,其面层以及SiC界面层的化学气相沉积,获得含(PyC/SiC)x(x=2或3)界面层的碳/碳坯体的所述PyC界面层的化学气相沉积在氮气保护下进行,先以5_8℃/min的500_600℃,然后以3_5℃/min的升温速率升温至900_1000℃,然后依次通入氮气作为稀释所述SiC界面层的化学气相沉积在氩气的保护下进行,先以5_8℃/min至500_600℃,然后以3_5℃/min的升温速率升36.根据权利要求1_2任意一项所述的一种陶瓷改性碳碳复合材料鼻锥的制备方法,其至500_600℃,然后以3_5℃/min的升温速率升温至900_1000℃,然后依次通入氮气作为稀所述碳/碳多孔体的密度为1.4_1.6g7.根据权利要求1_2任意一项所述的一种陶瓷改性碳碳复合材料鼻锥的制备方法,其所述浸渍过程为,将碳/碳多孔体放入浸渍釜中,抽真空的同时将浸渍釜预8.根据权利要求1_2任意一项所述的一种陶瓷改性碳碳复合材料鼻锥的制备方法,其升温至500_600℃,然后以3_5℃/min的升温速率升温至1000_1100℃,然后依次通入氢气,所述HfC涂层的化学气相沉积在氩气的保护下进行,先以5_8℃/min的9.权利要求1_8任意一项所述的制备方法所制备的一4[0002]高超声速通常意义是指服役马赫数大于5、以吸气式发动机或其组合发动机为主速飞机和空天飞机等高超声速飞行器在很多国家都被定义为航空航天领域重要的研究方并能有效提高飞行器的生存能力高超声速飞行器在军事领域以及民用方面都具有重要的材料在2200℃高温有氧的临近空间高超音速环境中具有零烧蚀的特性。这些在极端苛刻5[0010]本发明的第二个目的在于提供上制备方法所制备的一种高超音速飞行器的碳陶获得碳/碳复合材料,最后再将碳/碳复合材料再置于化学气相沉积炉中依次进行SiC涂层端与后端的交界处的孔径与呈半球状的前端的孔6述碳纤维预制体的密度为0.7_0.8g~2次PyC界面层以及SiC界面层的化学气相沉积,获得含(PyC/SiC)x(x=2或3)界面层的[0026]进一步的优选,所述PyC界面层的化学气相沉积在氮气保护下进行,先以5_8℃/min的升温速率升温至500_600℃,然后以3_5℃/min的升温速率升温至900min的升温速率升温至500_600℃,然后以3_5℃/min的升温速率升温至1000_1100℃,然后温速率升温至500_600℃,然后以3_5℃/min的升温速率升温至900_1000℃,然后依次通入7的升温速率升温至500_600℃,然后以3_5℃/min的升温速率升温至1000的升温速率升温至600_800℃,然后以3_5℃/min的升温速率升温至12008备热膨胀系数适中且致密完整的界面层是必不可少的。本发明采用CVD法(化学气相沉积通过鼓泡的方式将三氯甲基硅烷(MTS)带入沉积炉内,采用高纯Ar和H2作为稀释气体和反[0050]五、复合材料表面SiC涂层制备:化学气相沉积是制备涂层的一种非常有效的方管和喉衬最理想的涂层材料之一。HfC作为复合材料表面超高温烧烛防护涂层材料的优势9熔点为1723℃,HfC与氧气反应生成HfO2,其熔点为2785℃,复合材料表面原位生成的液筛外部,通过换热器中加热的进气分成若干路线分别由任意一个沉积室的底部中心进气,[0073]将上述沉积热解碳界面层过程得到的炭/炭复合材料,放入低压化学气相沉积炉[0074]将上述沉积热解碳和沉积SiC过程重复一遍,在碳纤维表面获得(PyC/SiC)2多层[0076]将步骤二得到的炭/炭复合材料坯体,放入低压化学气相沉积炉中,打开真空系中加入一定量的糠酮树脂,浸渍剂中还加入5%质量比的聚碳硅烷和2%质量比的聚碳铪_1[0093]将上述沉积热解碳界面层过程得到的炭/炭复合材料,放入低压化学气相沉积炉[0094]将上述沉积热解碳和沉积SiC过程再重复两遍,在碳纤维表面获得(PyC/SiC)3多[0096]将步骤二得到的炭/炭复合材料坯体,放入低压化学气相沉积炉中,打开真空系中加入一定量的酚醛树脂,浸渍剂中还加入8%质量比的聚碳硅烷和3%质量比的聚碳铪_1[0113]将上述沉积热解碳界面层过程得到的炭/炭复合材料,放入低压化学气相沉积炉[0115]将步骤二得到的炭/炭复合材料坯体,放入低压化学气相沉积炉中,打开真空系中加入一定量的糠酮树

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