CN117153946B 硅片除杂方法、硅片及其制备方法和应用 （天合光能股份有限公司）

备第一中间体；对所述第一中间体进行退火处2对硅片进行第一制绒处理，制备表面含机械损伤层，反射率为1135％的硅片中间制备反射率为1135％的硅片中间体包括如下步骤：温度为300℃~500℃,工作气体流量为8000sccm～15000sccm，时间为120s～900s，沉6.根据权利要求1所述的硅片除杂方法，其特征在于，满足如下(1)～(2)中的至少一％～9.根据权利要求1至7任一项所述的硅片除杂方法，其3通过权利要求1至12任一项所述的硅片除杂方法对硅片进对除杂后的硅片进行扩散、沉积减反射钝化膜、丝网印刷和光注入退4[0013]在其中一些实施方式中，所述对硅片进行第一制绒处理，制备反射率为11%~5[0017]温度为300℃~500℃,工作气体流量为8000sccm～15000sccm，时间为120s~％～[0020]在其中一些实施方式中，所述退火处理的温度为800℃~1000℃,时间为10min~[0026]将所述第三中间体与第二碱液混合，在50℃~85℃条件下进行所述第二制绒处6方案也可能是优选的。此外，对一个或多个优选实施方案的表述并不暗示其他实施方案不的点或单个数值自身可以作为下限或上限与任意其它点或单个数值组合或与其它下限或7[0049]本发明说明书实施例中所提到的相关成分的重量不仅仅可以指代各组分的具体[0052]在本发明中，室温指10℃~40℃,优选为20℃~30℃有效的方法。利用杂质向具有晶格不完整的区域聚集的特性引入缺陷形成杂质富集区域，8反射率为1135％的硅片中间体包括如下步骤：[0071]将所述硅片与第一碱液混合，在50℃~85℃条件下进行所述第一制绒处理，制备％～[0076]在硅片表面形成磷掺杂层，再通过迁移和扩散作用将杂质原子吸收固定在掺杂9[0078]温度为300℃~500℃,工作气体流量为8000sccm～15000sccm，时间为120s~[0081]在其中一些实施方式中，所述非晶硅层的厚度为30nm～200nm，包括但不限于为[0082]在其中一些实施方式中，所述非晶硅层中磷元素百分比为260包括但不限[0085]在其中一个实施例中，所述氧化层的厚度为7nm～50nm，包括但不限于为7nm、[0091]在其中一些实施方式中，所述退火均匀，降低反射率，后续将除杂后的硅片用于器件中，能够增加光吸收，提高短路电流[0098]将所述第三中间体与第二碱液混合，在50℃~85℃条件下进行所述第二制绒处[0112](2)随后进入PECVD机台进行50nm厚、5％磷掺杂浓度的n+非晶硅和30nm厚氧化层[0115](5)酸洗后的硅片采用氢氧化钠进行重新制绒，在该过程中硅片表面的poly杂质[0120](2)随后进入PECVD机台进行50nm厚、5％磷掺杂浓度的n+非晶硅和30nm厚氧化层[0123](5)酸洗后的硅片采用氢氧化钠进行重新制绒，在该过程中硅片表面的poly杂质[0128](2)随后进入PECVD机台进行50nm厚、5％磷掺杂浓度的n+非晶硅和30nm厚氧化层[0131](5)酸洗后的硅片采用氢氧化钠进行重新制绒，在该过程中硅片表面的poly杂质[0136](2)随后进入PECVD机台进行80nm厚、8％磷掺杂浓度的n+非晶硅和30nm厚氧化层[0139](5)酸洗后的硅片采用氢氧化钠进行重新制绒，在该过程中硅片表面的poly杂质[0146](5)酸洗后的硅片采用氢氧化钠进行重新制绒，在该过程中硅片表面的poly杂质[0151](2)随后进入PECVD机台进行50nm厚、5％磷掺杂浓度的n+非晶硅和30nm厚氧化层[0154](5)酸洗后的硅片采用氢氧化钠进行重新制绒，在该过程中硅片表面的poly杂质[0159](2)随后进入PECVD机台进行50nm厚、5％磷掺杂浓度的n+非晶硅和30nm厚氧化层[0161](5)酸洗后的硅片采用氢氧化钠进行重新制绒，在该过程中硅