CN117613090B 一种宽禁带半导体沟槽mosfet器件结构及其制备方法 （湖北九峰山实验室）_第1页
CN117613090B 一种宽禁带半导体沟槽mosfet器件结构及其制备方法 （湖北九峰山实验室）_第2页
CN117613090B 一种宽禁带半导体沟槽mosfet器件结构及其制备方法 （湖北九峰山实验室）_第3页
CN117613090B 一种宽禁带半导体沟槽mosfet器件结构及其制备方法 （湖北九峰山实验室）_第4页
CN117613090B 一种宽禁带半导体沟槽mosfet器件结构及其制备方法 （湖北九峰山实验室）_第5页
已阅读5页，还剩18页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及本发明提供一种宽禁带半导体沟槽MOSFET述第一电流通道位于所述栅极的正下方。该2设置有源极P+区；所述第二电流通道位于所述源极沟槽的正下方且与所述源极P+区接触；3.根据权利要求1所述的宽禁带半导体沟槽MOSF2O36.权利要求1~5任一项所述的宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构的制备方法，其特征在衬底上依次外延生长第一外延层、P+埋层和第二外延层；通过次外延的方法或生长P型氧化物的方式在所述第二外延层远离所述P+埋层的表面形成P阱离子注入的方式在所述第二外延层中形成与所述栅极沟槽的底部外表面接触的P+掩蔽层；通过P型离子注入的方式在所述源极沟槽的外侧壁周围形成源极P+区；在所述栅极沟槽中3应用于各种极端恶劣的环境中。常见的宽带隙半导体材料主要有碳化硅(SiC)、氮化镓2O3[0003]目前的宽禁带半导体沟槽MOSFET(Metal_Oxide_SemiconductorField_EffectTransistor，金属_氧化物_半导体场效应晶体管)器件在实际工艺制作和应用中主要存在用于隔离所述源极和所述栅极；所述栅极包括沉积于栅极沟槽内的栅极介质层和栅极材二电流通道位于所述源极沟槽的正下方且与所述位于所述栅极沟槽和所述第一电流通道之间的P+掩蔽层，所述P+掩蔽层与源极P+区电连4或二次外延的方法或生长P型氧化物的方式在所述第二外延层远离所述P+埋层的表面形成槽的正下方的所述P+埋层中形成第一电流通道，通过N型离子注入的方式在所述第一电流方法还包括以下步骤：通过离子注入的方式在所述P阱区背离所述第二外延层的表面形成方法还包括以下步骤：通过P型离子注入的方式在所述第二外延层中形成与所述栅极沟槽5[0022]图4、图5为本发明实施例3中制备宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构的过程中得[0023]图6为本发明实施例4中制备宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构的过程中得到的[0024]图9～图11为本发明实施例4中制备宽禁带半导体沟槽MOSF通过N型离子注入的方式在P+埋层中形成第一电流通道时，得到的各种形态的器件结构的[0025]图12～图16为本发明实施例4中制备宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构时，第一在P+埋层3上的第二外延层22、设置在第二外延层22上的P阱区4、沉积在P阱区4上的源极6壁沉积栅极介质层62和源极介质层72。在栅极沟槽61(见图3)中沉积多晶硅63作为栅极材再继续在得到的器件结构表面沉积源极金属层得到源极10。在衬底1背离第一外延层21的[0048]本实施例提供的宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构的制备方法与实施例2的不同7[0051]本实施例提供的宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构的制备方法与实施例3的不同入的方式在P+埋层3中形成第一电流通道81时，通过控制栅极沟槽61的侧壁处离子注入掩89

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 信息产业

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论