CN117702269B 一种高寿命硅片及硅片吸杂方法 （隆基绿能科技股份有限公司）

锑元素的浓度为4E+14cm_3至2E+16cm_3，优选为4.30E+14cm__3至1.9E+16cm__3；进一步优选为硅片，其中，所述硅片中的锑元素的浓度为4E+16cm_3，进一步优选为4.45E+14cm_3至1.87E+16cm_3；以及所述硅片的少子寿命大于等于3002,所述硅片经吸杂处理后的少子寿命大于等于8所述硅片中的锑元素的浓度和所述硅片中的相对杂质水。所述硅片中的锑元素的浓度和所述硅片中的相对杂质水。17.一种电池，其包括权利要求1~15中任一项所述的硅片或由权利要求16所述的方法321.根据权利要求17所述的电池，所述电池的一边距为156所述硅衬底的经吸杂处理后少子寿命大于等于8,29.根据权利要求28所述的太阳能电池，所述硅衬底至少一侧的表面上具有至少一层30.根据权利要求29所述的太阳能电池，所述掺杂层和所述掺杂区之间具有至少一层31.根据权利要求28所述的太阳能电池，在硅衬底厚度方向上所述掺杂区中锑元素的在所述第一掺杂区的远离硅衬底的一侧表面上依次叠层的界面钝化4在掺杂钝化层中，在距掺杂钝化层远离硅衬底一侧表面第一素掺杂浓度大于在距所述第二掺杂区表面相同第一预设深度处的第二掺杂元素的掺杂浓在所述第二掺杂区的远离硅衬底的一侧表面上依次叠层的界在掺杂钝化层中，在距第一掺杂区的掺杂钝化层远离硅衬底的第一掺杂元素的掺杂浓度大于在距第二掺杂区的掺杂钝化层远离硅衬底一侧表面第一预设深度处的第二掺杂元素的掺杂浓度，第一掺杂区上的掺杂钝化层厚度范围为100~在从掺杂钝化层到界面钝化层的方向上，在界面钝化层中底一侧的表面第二预设深度处的第一掺杂元素的掺杂浓度大于在距所述第二掺杂区表面在所述第一掺杂区的界面钝化层中掺杂有第一掺杂元素，所在从掺杂钝化层到界面钝化层的方向上，在界面钝化层中，化层远离硅衬底一侧的表面第二预设深度处的第一掺杂元素的掺杂浓度大于在距第二掺在从掺杂钝化层到所述第一掺杂区表面的方向上，在硅硅基体一侧的表面第三预设深度处的第一掺杂元素的掺杂浓度大于距第二掺杂区表面第在从掺杂钝化层到所述第一掺杂区表面的方向上，在硅基体杂钝化层远离硅衬底一侧的表面第三预设深度处的第一掺杂元素的掺杂浓度大于距第二掺杂区的掺杂钝化层远离硅基体一侧的表面第三预设深度处的第二掺杂元素的掺杂浓度，5第一掺杂区的厚度范围为30~100nm，第三预设深度小于等于第一掺杂区域上的掺杂钝化42.根据权利要求28所述的太阳能电池，其中，所述电池包括形成于光吸收体上的电47.根据权利要求28所述的电池，所述电池的一边距为156mm~3056.根据权利要求55所述的电池串，所述导电互连件通过焊接或导电粘合接合于所述58.根据权利要求57所述的电池串，所述加热步59.根据权利要求58所述的电池串，所述加热步60.根据权利要求54~59中任一项所667.根据权利要求61~63中任一项所述的太阳能组78[0018]10.根据项1～9中任一项所述的硅[0025]进一步优选所述硅片中的锑元素的浓度和所述硅片中的相对杂质水平满足下式[0033]进一步优选所述硅片中的锑元素的浓度和所述硅片中的相对杂质水平满足下式9[0051]22.根据项14～21中任一项所述[0052]23.根据项14～22中任一项所述的[0054]25.一种掺锑硅片的吸杂方法[0061]所述硅衬底中的锑元素的掺杂浓度为4E+14cm_3至2E+16c[0063]32.根据项31所述的太阳能电池，所[0064]33.根据项32所述的太阳能电池，所[0065]34.根据项31所述的太阳能电池，[0067]在所述掺杂区中，锑元素的掺杂浓度和掺杂元素的掺杂浓度之和小于等于1E+[0073]在所述第一掺杂区的远离硅衬底的一侧表面上依次叠层的界面钝化层和掺杂钝杂元素掺杂浓度大于在距所述第二掺杂区表面相同第一预设深度处的第二掺杂元素的掺[0082]在所述第二掺杂区的远离硅衬底的一侧表面上依次叠层的界面钝化层和掺杂钝度处的第一掺杂元素的掺杂浓度大于在距第二掺杂区的掺杂钝化层远离硅衬底一侧表面第一预设深度处的第二掺杂元素的掺杂浓度，第一掺杂区上的掺杂钝化层厚度范围为100硅衬底一侧的表面第二预设深度处的第一掺杂元素的掺杂浓度大于在距所述第二掺杂区预设深度小于等于掺杂钝化层和界面钝化层的厚度之杂钝化层远离硅衬底一侧的表面第二预设深度处的第一掺杂元素的掺杂浓度大于在距第0.5～3nm，第二预设深度小于等于第一掺杂区域上的掺杂钝化层和界面钝化层的厚度之远离硅基体一侧的表面第三预设深度处的第一掺杂元素的掺杂浓度大于距第二掺杂区表的掺杂钝化层远离硅衬底一侧的表面第三预设深度处的第一掺杂元素的掺杂浓度大于距第二掺杂区的掺杂钝化层远离硅基体一侧的表面第三预设深度处的第二掺杂元素的掺杂[0103]51.一种电池串，包括多个通过[0105]53.根据项52所述的电池串，所述[0109]57.根据项51～56[0112]60.根据项58所述的太[0116]64.根据项58～63任一项所述的太阳能能理解为是对本申请的限制。其他的任何在未背离本申请的精神实质与原理下所作的改致的特定组分的总量低于0.05优选低于0.01％。最算为相当于1E+15～3E+15的载流子注入水载流子进行分离的功能体，其包括硅衬底以及分离由硅衬底产生的载流子的区域(例如以是通过例如经由掺杂钝化层和界面钝化层这样的层使得掺杂元素掺杂到裸硅片中形成[0146]在针对晶体硅异质结电池(HJT/HIT)、全背电极背接触异质结电池(HBC)的情况掺杂区有部分被破坏，但只要仍然存在部分掺杂区即也应当理解是本申请所描述的硅衬本申请的硅片或硅衬底(包括回收并剥离其他层结构的剥离后部分硅衬底)的至少一边的值之间的任意范围。例如在一个具体的实施方式中本[0149]本申请提供第一种硅片，其中，所述硅片中的锑元素的浓度为4E+14cm_3至2E+[0150]所述硅片中的锑元素的浓度例如可以为4E+14cm_3、4.1E+14cm_3、4.2E+14cm_3、14cm_3_3_3_3_3_314cm_3_3_3_3_3_315cm_3_3_3_3_3_315cm_3_3_3_3_3_3[0151]在一个具体的实施方式中，所述硅片中的锑元素的浓度为4.30E+14cm_3至1.9E+[0153]所述硅片的少子寿命大于等于200微秒，即在1E+15～3E+15的载流子注入水平下(包括将其他载流子注入水平换算至1E+15～3E+15注入水平时计算得到的少子寿命)大于[0154]在一个具体的实施方式中，所述硅片在1E+15～3E+15的注入水平下(包括将其他载流子注入水平换算至1E+15～3E+15注入水平时计算得到的少子寿命)的少子寿命大于等[0155]在一个具体的实施方式中，所述硅片在1E+15～3E+15的注入水平下(包括将其他载流子注入水平换算至1E+15～3E+15注入水平时计算得到的少子寿命)的少子寿命大于等[0156]在一个具体的实施方式中，所述硅片中的锑元素的浓度为4.30E+14cm_3至1.9E++15～3E+15注入水平时计算得到的少子寿命)的少子寿命+15～3E+15注入水平时计算得到的少子寿命)的少子寿命[0163]硅片的机械强度例如可以为70MPa、80MPa、90MPa、100MPa、110MPa、120MPa、[0166]在一个具体的实施方式中，所述[0171]本领域技术人员完全可以理解上述对于硅片的尺寸可以基于光伏电池领域的发杂元素以代替掺杂磷元素。在这种情况下本领域技术人员可以理解取决于硅片原料的来锗中的任意一种或两种或三种，但仅主动掺杂锑元素作为五族掺杂元素来代替磷元素掺硅棒切割制备的硅片中电阻率均匀性也得到提[0179]通常硅片中磷元素的浓度不会超过3E+16atom/cm3；镓元素的浓度不会超过7E+[0183]其中Ntσn为与硅片中杂质浓度Nt相关的相对杂质水平，与硅片中杂质浓度Nt正相cm_3[0186]其中Ntσn为与硅片中杂质浓度Nt相关的相对杂质水平，与硅片中杂质浓度Nt正相cm_3[0189]其中Ntσn为与硅片中杂质浓度Nt相关的相对杂质水平，与硅片中杂质浓度Nt正相cm_3[0193]本申请还提供第二种硅片，其中，所述硅片中的锑元素的浓度为4E+[0194]所述硅片中的锑元素的浓度例如可以为4E+14cm_3、4.1E+14cm_3、4.2E+14cm_3、14cm_3_3_3_3_3_315cm_3_3_3_3_3_315cm_3_3_3_3_3_3[0195]在一个具体的实施方式中，所述硅片中的锑元素的浓度为4.30E+14cm_3至1.9E+[0197]所述硅片的少子寿命大于等于300微秒，即在1E+15～3E+15的载流子注入水平下(包括将其他载流子注入水平换算至1E+15～3E+15注入水平时计算得到的少子寿命)大于[0198]在一个具体的实施方式中，所述硅片在1E+15～3E+15的注入水平下(包括将其他载流子注入水平换算至1E+15～3E+15注入水平时计算得到的少子寿命)的少子寿命大于等[0199]在一个具体的实施方式中，所述硅片在1E+15～3E+15的注入水平下(包括将其他载流子注入水平换算至1E+15～3E+15注入水平时计算得到的少子寿命)的少子寿命大于等[0200]在一个具体的实施方式中，所述硅片中的锑元素的浓度为4.30E+14cm_3至1.9E++15～3E+15注入水平时计算得到的少子寿命)的少子寿命+15～3E+15注入水平时计算得到的少子寿命)的少子寿命[0207]硅片的机械强度例如可以为70MPa、80MPa、90MPa、100MPa、110MPa、120MPa、杂元素以代替掺杂磷元素。在这种情况下本领域技术人员可以理解取决于拉晶原料的来硅棒切割制备的硅片中电阻率均匀性也得到提[0217]通常硅片中磷元素的浓度不会超过3E+16atom/cm3；镓元素的浓度不会超过7E+[0223]其中Ntσn为与硅片中杂质浓度Nt相关的相对杂质水平，与硅片中杂质浓度Nt正相cm_3[0226]其中Ntσn为与硅片中杂质浓度Nt相关的相对杂质水平，与硅片中杂质浓度Nt正相cm_3[0234]其中Ntσn为与硅片中杂质浓度Nt相关的相对杂质水平，与硅片中杂质浓度Nt正相cm_3所述硅片中的相对杂质水平为5E_5cm_1至6E_所述硅片中的相对杂质水平为4E_5cm_1至5E_[0241]在一个具体的实施方式中，所述硅片中的锑元素的浓度为4.30E+14cm_3至1.9E+[0243]在一个具体的实施方式中，所述硅片在1E+15～3E+15的注入水平下(包括将其他载流子注入水平换算至1E+15～3E+15注入水平时计算得到的少子寿命)的少子寿命大于等[0244]在一个具体的实施方式中，所述硅片在1E+15～3E+15的注入水平下(包括将其他载流子注入水平换算至1E+15～3E+15注入水平时计算得到的少子寿命)的少子寿命大于等[0245]在一个具体的实施方式中，所述硅片在1E+15～3E+15的注入水平下(包括将其他载流子注入水平换算至1E+15～3E+15注入水平时计算得到的少子寿命)的少子寿命大于等[0246]在一个具体的实施方式中，所述硅片在1E+15～3E+15的注入水平下(包括将其他载流子注入水平换算至1E+15～3E+15注入水平时计算得到的少子寿命)的少子寿命大于等[0247]在一个具体的实施方式中，所述硅片在1E+15～3E+15的注入水平下(包括将其他载流子注入水平换算至1E+15～3E+15注入水平时计算得到的少子寿命)的少子寿命大于等[0248]在一个具体的实施方式中，所述硅片在1E+15～3E+15的注入水平下(包括将其他载流子注入水平换算至1E+15～3E+15注入水平时计算得到的少子寿命)的少子寿命大于等[0256]在一个具体的实施方式中，所杂锑元素作为第五主族掺杂元素来代替磷元硅片或第三种硅片)制备成电池后形成的结构。本领域技术人员可以理解上述太阳能电池涵盖任何可以适用本申请硅片的全部太阳能电池，例如可以是晶体硅异质结电池(HJT/[0269]在上述电池形式中，在上述的硅衬底的至少一侧的表面上具有至少一层掺杂度为4E+14cm_3至2E+16cm_3。上述针对硅片中锑浓度和电阻率变化率的全部描述均适用于本申请的硅衬底上进一步叠层本征非晶硅层和掺杂非晶硅，其中本征非晶硅层作为钝化底中的锑元素的浓度为4.45E+14cm_3至1.87锑元素的浓度为4.45E+14cm_3至1.87E+1于体区和掺杂区的整体。本领域技术人员可以理解仅针对体区部分进行上述检测的时候，可以是掺杂元素(即掺杂元素)穿过上述叠层在硅片或硅衬底上的层结构掺杂到硅片或硅到硅片中形成掺杂区。上述能够提供掺杂元素的起h厚度(即直接掺杂区的掺杂深度)的范围内，在上述表面上和距上述表面相同深度的位主族元素的情况下的掺杂区的厚度控制到甚至于低于100nm或甚至于低于50nm的情况，进掺杂区深度)的范围内，在上述表面上和距上述表面相同深度的位置处掺杂元素的浓度大0时，就是在上述掺杂区的表面上的浓度。当该深度为100nm时，例如可以是距上述表面保留了界面钝化层的钝化作用又实现掺杂多晶硅的有效掺杂，提高短路电流和开路电压，[0294]在一个具体的方式中，本申请的太阳能电池例如为隧穿氧化层钝化电池(TOPCon[0297]局部TOPCon电池是指在电池的一面的至少部分区域形成有TOPCon结构(即第一掺个区域上分别具有导电类型相反的掺杂元素的TOPCo[0300]在一个具体的方式中，本申请的太阳能电池可以为上述四种类型即TOPCon电池、局部TOPCon电池、背接触杂化电池以及TBC电池中的任意一种。在这样的四种类型的电池深度(即第一预设深度)处的第一掺杂元素的浓度大于在距上述第二掺杂区表面x深度(即面y深度(即第二预设深度)处的第一掺杂元素的浓度大于在距上述第二掺杂区表面y深度硅衬底中，在距掺杂多晶硅层远离硅衬底一侧的表面z深度(即第三预设深度)处的第一掺杂元素的浓度大于距第二掺杂区表面z深度(即第三预设深度)处的第二掺杂元素的浓度，[0305]如上所述详细地描述了电池硅衬底的掺杂区的元素浓度分布情况，借助于图1所述第二层机构包括在上述第二掺杂区的远离硅衬底的一侧表面上依次叠层的隧穿层和掺衬底一侧表面x深度(即第一预设深度)处的第一掺杂元素的浓度大于在距第二掺杂区的掺杂多晶硅层远离硅衬底一侧表面x深度(即第一预设深度)处的第二掺杂元素的浓度，第一硅层远离硅衬底一侧的表面y深度(即第二预二掺杂区的掺杂多晶硅层远离硅衬底一侧表面掺杂区的掺杂多晶硅层远离硅衬底一侧的表面z深度(即第三预设深度)处的第一掺杂元素的浓度大于距第二掺杂区的掺杂多晶硅层远离硅衬底一侧的表面z深度(即第三预设深度)