玻璃基板行业深度报告：黎明前夕百舸争流

正文目录TOC\o"1-2"\h\z\u概况：产业催化不断，玻璃基板进入量产倒计时 4产业链：上游配方工艺壁垒深，中游TGV加工难度大 8原片端：壁垒高，美日垄断主要市场 8TGV加工制造：流程繁杂且壁垒较高，国内企业加速布局 12海外进展：大厂积极布局，2027-2030年有望实现量产 18相关标的：国内重点关注上游原片及中游加工制造环节公司 21风险提示 25图表目录图1：典型玻璃基板的封装结构 4图2：常见的玻璃基板型号及种类 5图3：典型的玻璃基2.5D封装架构 6图4：玻璃基板TGV技术在高性能计算、射频及光电集成领域的应用架构 7图5：全球先进封装市场规模 7图6：半导体玻璃核心基板市场规模（单位：十亿美元） 8图7：玻璃基板封装典型工艺流程 8图8：玻璃熔融工艺流程 9图9：浮法成型工艺流程 10图10：晶格杂质取代结构图 图溢流下拉法工艺示意图 12图12：四种TGV工艺对比 13图13：LIDE的生产步骤 13图14：TGV截面镀银层形貌表征 14图15：双面通孔电镀TGV金属化工艺流程 14图16：单面盲孔电镀TGV金属化工艺流程 15图17：CMP平坦化中化学机械抛光前后对比 15图18：使用CTT和PTE两种方法制作的RDL 16图19：采用改进式SAP制作多层RDL的工艺流程 16图20：帝尔激光TGV激光微孔设备 17图21：玻璃通孔（TGV）及再布线层（RDL）三维互连结构 18图22：英特尔先进封装方案 19图23：英特尔展示的基板发展历史 20图24：方形和圆形封装对比 20图25：康宁玻璃载板产品 21图26：力诺药包玻璃新材料中试窑炉点火 22表1：TGV与TSV对比 5表2：三种芯片封装基板材料性能对比 6表3：主流TGV成孔技术的关键指标 13表4：国内外主流厂商TGV技术进度 17表5：旗滨定增募投项目情况（单位：万元） 22表6：公司玻璃基相关技术（产业化阶段截至2025底） 23概况：产业催化不断，玻璃基板进入量产倒计时产业催化不断，英特尔、台积电、三星电机等头部企业入局，玻璃基板进入量产倒计时。1）台积电：2026616日，根据台湾电子时报，设备端称，台积电近期向供应链发布“ooSAF载板厂商Ibiden与面板厂商群创，共同先进封装的可行性；6月初，台积电董事长在年度股东会上提到2）英特尔：206年6月1日Xeon6+18A288个处理器核心的CPU，封装载板的核心层用的就是玻璃，这也是全球第一款采用这种材料方案的商用产品。此CEO陈立武在近期的访谈表示，英特尔投资了玻璃基板公司3DGS，看中玻璃作为散热绝缘材料的独特性能。3）AMD：AMD公开的产品路线图，玻璃基板2028年集成进产品。4）三星电机：已向苹果和博通送样玻璃基板产20275）京东方：20265录，其中提到双方将围绕玻璃基封装载板、可折叠玻璃、钙钛矿玻璃基板、光互连相关应用等重点领域开展合作。AI算力需求爆发倒逼材料升级，玻璃基板优势突出。AIABF有机载板在热膨胀系数等方面逐渐逼近物理极限。一方面，AI大算力芯片、HBM、Chiplet异构集成对基板提出超高互连密度、极低信号延迟、更低功耗的刚性需求；另一方面，传统有机基板因热膨胀系数与硅芯片严重失配，大尺寸封装翘曲问题难以解决，线宽线距进入2微米以下时已无法支撑光刻精度。在此背景下，玻璃基板凭借热膨胀系数与硅高度匹10代先进封装的核心材料升级路径。从产业端来看，通过台积电、Ibiden与群创三方合作及COP16%19%、31%27%42%。整体而言，玻璃基板导入后可使封装性能获得显著提升。图1按照下游应用，玻璃基板可分为显示用基板及半导体玻璃基板。按照化学成分，玻璃基板有钠钙玻璃、硼硅酸盐玻璃、铝硼硅玻璃等多种类型。按照下游应用，玻璃基板可分LCD/OLED用、Mini/MicroLED用及车载、医疗等特种显示用基板。半导体玻璃基板为此轮AI浪潮主要参与者，传统有机基板在布线精度、信号完整性和功率完整性方面已难以支撑超高I/O密度需求，而硅中介层则面临制造成本高、尺寸受限、热管理复杂以及应力与良率控制等挑战。图2：常见的玻璃基板型号及种类玻璃基板在光电共封装技术中的应用半导体玻璃基板技术难度远高于普通显示玻璃基板，其中TGV为核心技术。TGV（ThroughGlassVia，玻璃通孔）是一种穿过玻璃基板的垂直电气互连技术。它以高品质硼硅玻璃或石英玻璃为基材，通过种子层溅射、电镀填充、化学机械平坦化、RDL再布线以bump3D互联。TGV10μm100μm之间，每片晶圆上通常需TGVTSV（Throughiliconvia，硅通孔，TGV配等优势。表1：TGV与TSV对比技术类型 优势 劣势 制造成本技术类型 优势 劣势 制造成本TGV（玻璃通孔技术）

绝缘性能优异介电常数低高频性能优异热膨胀系数（CTE）表面平整度优异制造工艺简单

易发生碎裂表面光滑，附着力差低制造工艺水平较低，尚未实现大规模量产1）芯片间直接互连，最大化3D堆1）硅载体会对电路和信号产TSV（硅通孔技术）

叠密度

生影响 高工艺复杂，热应力高玻璃基板在芯片封装中的应用和性能要求半导体玻璃基板下游应用主要包括先进封装（ABF载板和硅中介层、CPO光电共封装、高频高速通信与射频组件领域。1）先进封装（核心方向）—可部分替代有机ABF载板和硅中介层。ABF载板。传统有机基板具有质量轻、可实现复杂电路设计、工艺流程简单、生产成本低等优点,玻璃基板的热膨胀系数与硅芯片相当，高温下能与硅芯片保持同步形变，从根源上解决翘曲问题，成为大算力芯片的刚需材料。使用此种替代方案的代表企业是2023Glass-CoreABF有机载板。20266Xeon6+CPU，封装载板的核心层用的就是玻璃。硅中介层。巨大差异，容易引发热机械可靠性风险；硅中介层的制造成本较高，难以满足规模化应用的需求。相比之下，玻璃材料凭借其卓越的物理与电气特性，正发展成为新一代中介层的理想选择。使用此种替代方案的代表企业是台积电，CoPoS是台积电正在研发的下一代先进封装技术，可以将原本12英寸圆形晶圆不足70%的材料利用率，大幅提升至90%以上。从CoPoS自身技术的迭代来看，CoPoS中的中介层材料正在从传统的硅中介层发展为板级中介层，再进而转成玻璃中介层，整合硅光子（CPO）技术，有机载板逐渐转变为玻璃基板，从而实现更细的线路与更高的I/O密度。表2：三种芯片封装基板材料性能对比性能指标有机基板陶瓷基板玻璃基板耐热性低（<250℃）高（>350℃）高（>400℃）高（10×10⁻⁶~15×10⁻⁶低（410⁻⁶~10×10⁻⁶热膨胀系数（CTE） 低（3.3×10⁻⁶/℃）/℃）/℃）弯曲模量低（<30GPa）高（300GPa）高（70GPa）翘曲度高低低加工难度中等困难容易生产成本中等高成本低成本高频电学性能差较好优异玻璃基板在芯片封装中的应用和性能要求CPO光电共封装领域。玻璃基板凭借其优异的光学与电学特性，已成为下一代光电集成封装的核心载体。在技术实现上，玻璃基板可通过离子交换或超快激光诱导等方式在其内部构建低损耗光波导，实现光纤与光子集成电路（PIC）助玻璃通孔（TGV）技术形成高密度垂直电互连，并集成光子器件，从而在同一基板上同步实现光波导、TGV与高速电布线的“光电同基板”互连，替代传统分立模式。在产业进CPO1.6T/3.2T超高速光模块的低损耗传输需求。图3：典型的玻璃基2.5D封装架构玻璃基共封装光学前沿技术及应用注：a为以玻璃基板为中介层的2.5DCPO技术，b为以玻璃基板为中介层的嵌入式2.5D技术高频高速通信与射频组件领域。波频段下信号传输损耗远低于传统材料，能从根源上保障高频信号的完整性与传输效率。TGV技术，可以在玻璃内部直接制备高性能的集成无源器件，如高品质因数（Q值）的电感、滤波器及耦合器。这种三维集成的射频前端模组不仅体积更小，且由于玻璃的绝缘特性，能够显著抑制不同射频通道间的电磁干扰。此外，玻璃透明且平整的特性也使其成为封装天线技术的理想载体，支持在毫米波甚至太赫兹频段下实现高增益、窄波束的信号传输，为卫星通信与自动驾驶等应用奠定了硬件基础。图4：玻璃基板TGV技术在高性能计算、射频及光电集成领域的应用架构高性能封装玻璃基板TGV技术的研究现状、挑战与未来展望2026186亿美元，2026-2030CAGR14.5%。数据，2024460亿美元，20307949.5%。Omdia数据，2026186203032014.5%。根据SEMI数据，半导体玻璃核心基板市场预计2028年前后启动小批量量产，2028-2040年CAGR可达67.2%，预计到2040年市场规模近60亿美元。图5：全球先进封装市场规模YOLE图6：半导体玻璃核心基板市场规模（单位：十亿美元）SEMITGV加工难度大玻璃基板（半导体级）制造主要包括玻璃原片制备、TGV玻璃载板精密加工两大步骤。原片制备方面，封装用玻璃基板对原材料要求极高，主要原料包括石英砂、氧化铝、氧化硼等，氧化铝可提升机械强度与化学稳定性；氧化硼降低熔点，改善成型性能。精密加工方面，主要包含四大核心环节：TGV通孔成型、通孔金属化与填充、表面RDL布线、后段检测与封装。图7：玻璃基板封装典型工艺流程玻璃基板技术研究进展原片端：壁垒高，美日垄断主要市场TGV玻璃载板精密加工环节：该环节主要流程包含TGV通孔成型→PVD种子层镀膜→高深宽比电镀填铜→CMP平坦化→RDL布线→后端检测与封装，如何在脆性玻璃上高的形成微米级通孔以及对这些通孔进行可靠的金属化填充是主要难点。企业进展方面，当前国内企业加速布局，正逐渐形成从设备到制造的完整产业链布局。玻璃原片制备主要流程包括：原料选择—预处理—玻璃熔融—成型—清洗及检测等。原料选择：封装用玻璃基板对原材料要求极高。主要原料包括石英砂、氧化铝、化硼等，氧化铝可提升机械强度与化学稳定性；氧化硼降低熔点，改善成型性能。而普通浮法玻璃的原料主要为硅砂（普通砂、超白砂、纯碱等，二者差异明显。预处理：包括清洗、筛选和预烧。清洗采用化学与物理结合的方式，用高纯度去子水和专用清洗剂去除杂质；筛选通过不同目数筛网控制粒度均匀性；预烧去除挥发性成分，提高原料稳定性，减少熔融气泡。玻璃熔融：玻璃熔融是将原料转化为均匀玻璃液的关键步骤，其质量直接影响后成型与基板性能。熔融在大型池窑中进行，以天然气、重油或电加热，原料在高温下发生复杂反应形成玻璃态物质，但此时玻璃液存在大量气泡与不均匀成分，需通过澄清和均化改善。澄清过程在高温下保持，添加三氧化二砷、硫酸盐等澄清剂加速气泡排出；均化则通过搅拌、鼓泡等方式，使玻璃液成分均匀。成型工艺：成型工艺包括浮法成型、溢流下拉法成型（高品质玻璃基板适配工艺和压制成型。其中浮法成型是广泛应用的玻璃成型工艺，适用于对厚度要求不严苛的大规模生产场景。高品质超薄玻璃基板主要使用溢流下拉法，该工艺将熔融玻璃液导入溢流槽，达到一定容积后从两侧溢流而下，在下方汇流形成片状基板并向下拉伸。此工艺可生产具有双原始表面的超薄基板，无需后加工，避免表面损伤，能0.1毫米以下，平整度与光学性能优异，在高端封装领域优势显著。压制成型通过模具将玻璃液压制成所需形状和尺寸，先将熔融玻璃液倒入模具，经上、下模闭合，在压力和温度作用下填充型腔，冷却固化后成型。该工艺可生产复杂结构基板，满足特殊封装需求，但模具设计制造难度大、成本高、生产效率低，难以实现大规模生产。检测与质量控制：ICP-MS、XRF等仪器分析化学成分，用激光粒度分析仪检测粒度，AAS中，在熔融阶段监测温度与粘度，成型阶段检测厚度、平整度与表面缺陷；成品检测包括外观、尺寸精度、电气性能、热性能等多方面，只有通过全部检测且符合标准的基板才能进入市场。图8：玻璃熔融工艺流程电加热助燃在玻璃熔解工艺中的应用图9：浮法成型工艺流程浮法玻璃生产工艺流程及改进措施半导体玻璃基板原片端主要壁垒集中在原料、配方、工艺、专利等，全球市场主要被美国和日本企业占据，根据中国光学光电子行业协会液晶分会数据，2025年，中国显示材料产值全球占比预计达48%。但处于产业上游的基板/载板玻璃领域，2024年，全球前三大厂商市占率超过90%，中国本土企业市占率仍不到10%。壁垒一：原料。芯片封装用玻璃基板需要兼顾低介电损耗、低热膨胀系数、良好的机械性能和化学稳定性，其原料杂质及玻璃内部缺陷会影响材料的电学、热学和加工性能。玻璃中的可迁移离子会在交变电场作用下产生电导损耗和松弛损耗，因此减少玻璃体系中的可迁移离子、优化网络结构，有助于降低介电常数和介电损耗，改善高频信号传输性能。原料中的晶格杂质、流体包裹体以及熔制过程中形成的气泡、颗粒和条纹等缺陷，会影响石英玻璃的结构均匀性和性能稳定性；与此同时，TGV空洞和界面分离等缺陷控制难题，因而对原料质量及后续加工过程提出较高要求；半导体SiO₂4N99.998%（4N8）12种关键杂质元素20μg/g，这种严苛指标源于无碱铝硼硅玻璃的组分特性：体系内无碱金属氧化B₂O₃、高纯氧化铝、超高纯石英协同调控网络结构，微量外来金属杂质会破坏硅氧、硼氧配位平衡，推高介电损耗、拉大热膨胀系数与硅片的失配差值；普通磨矿/磁选仅能去除表面脉石，类质同象嵌入的碱金属、过渡金属晶格杂质须氯化焙烧、多级酸浸才能脱除，也是国内石英原料核心短板。图10：晶格杂质取代结构图高纯石英砂提纯工艺研究进展原料供给端的全球垄断进一步抬高行业进入门槛。99.998%以上纯度的高端石英砂TQCSprucePine高纯伟晶岩独家矿权与氯化焙烧深度提纯专利形成资源、工艺双重壁垒；国内企业已实现部分品级高纯石英砂的规模化生产，但我国石英资源以脉石英、石英岩等为主，部分原料中Al、Ti等晶格杂质难以通过常规选矿工艺去除，在优质原矿筛选、晶格杂质深度脱除、低杂质检测及高端产品稳定生产等方面仍面临挑战。壁垒二：配方。玻璃配方是原片企业的核心商业机密，半导体封装场景要求玻璃同时满足多项性能指标的精准平衡，研发难度呈指数级上升。一款合格的先进封装用玻璃，需要同时实现：热膨胀系数（CTE）与单晶硅精准匹配，以降低热循环过程中因材料热膨胀失配产生的应力、翘曲和结构变形；介电常数与介电损耗足够低，保障高频高速信号的传输完整性；适当的弹性模量、硬度、机械强度和断裂韧性有助于提升玻璃基板在TGV加工、封装键合及热循环过程中的结构可靠性；优异的耐酸碱化学稳定性，适配湿法刻蚀、电镀填铜等多道制程；同时需具备良好的激光改性适应性，保障TGV通孔的孔壁质量与加工效率。壁垒三：成型工艺。溢流下拉法是超薄电子玻璃和液晶玻璃基板的重要成型方法，其生产过程涉及溢流槽材料与结构、玻璃液流量、成型区温度场、板厚以及牵引参数等多项因素的协同控制。溢流槽结构、不同温区和热通量、玻璃液流量、厚度方向与宽度方向的温度分布以及牵引速度等参数，均会影响玻璃液的汇流过程和成型稳定性；相关参数控制不当可能造成析晶、厚度不均、裂纹、破片或断板等问题。康宁围绕溢流槽材料、溢流槽结构、溢流工艺控制和牵引技术进行了长期、系统的专利布局，相关技术重点包括提高玻璃质量与尺寸均匀性、减少杂质缺陷、延长溢流槽寿命和实现大尺寸玻璃板制造。国内企业已持续推进溢流下拉技术研发，但在核心工艺、关键装备及系统性专利布局等方面与国外先进企业仍存在一定差距。图11：溢流下拉法工艺示意图液晶玻璃基板溢流下拉法成型区析晶分析与对策壁垒四：专利。专利封锁是海外巨头维持玻璃基板市场垄断的核心长效手段。从全球TGV玻璃基板专利布局格局来看，康宁、英特尔、肖特等海外企业推动玻璃基材配方-溢流成型装备-TGV加工-多层封装应用专利布局；其中康宁通过覆盖不同技术主题和不同国家、地区的专利组合扩大保护范围；针对部分核心技术，康宁还通过分案申请及后续改进型专利构建外围保护圈，增加了竞争企业通过调整材料组成、产品结构或工艺参数规避相关专利的难度。TGV加工制造：流程繁杂且壁垒较高，国内企业加速布局TGV玻璃载板精密加工环节：该环节主要流程包含TGV通孔成型→PVD种子层镀膜→高深宽比电镀填铜→CMP平坦化→RDL布线→后端检测与封装，如何在脆性玻璃上高的形成微米级通孔以及对这些通孔进行可靠的金属化填充是主要难点。企业进展方面，当前国内企业加速布局，正逐渐形成从设备到制造的完整产业链布局。TGV通孔成型：TGV的制备是玻璃基板封装的核心工序，其加工质量直接决定了后续金属化填充的可靠性及信号传输的完整性。玻璃作为一种典型的高硬度、高脆性材料，在受到外部机械应力或瞬时热冲击时极易产生微裂纹。因此，成孔技术的研究重点已从早期的暴力物理去除，演进为以能量场诱导、化学协同刻蚀为特征的精细化加工。图12：四种TGV工艺对比高性能封装玻璃基板TGV技术的研究现状、挑战与未来展望LIDETGV工艺。激光诱导深度刻蚀（LIDE）被认为是当前实现大尺寸、高密TGV批量制造的最优技术路径，该工艺采用“先改性、后刻蚀”用超短脉冲激光对玻璃内部特定区域进行超快扫描，使材料局部发生多光子吸收，产生密度的改变或化学键能的弱化，而不直接造成玻璃材料的完全烧蚀或击穿。随后，将改性后的基板浸入氢氟酸或混合酸（碱）刻蚀液中。由于改性区域与未改性区域在化学活性上存在显著差异，刻蚀液能够沿激光扫描路径对改性区域进行快速择优刻蚀，从而形成高质量的通孔或其他三维微结构。LIDE50∶125nm直度通孔，已成为英特尔等企业推动玻璃基板产业化的重要支撑技术。表3：主流TGV成孔技术的关键指标评估指标物理钻孔激光直接消融LIDE工艺光敏玻璃法最小孔径/μm>150~30<10~25深径比<5:1~10:1>50:1~20:1加工质量差（崩边）一般（微裂纹）极佳（无损）良好加工效率低中极高（批处理）高成本敏感性低中中高（耗材贵）高性能封装玻璃基板TGV技术的研究现状、挑战与未来展望图13：LIDE的生产步骤玻璃基光电集成封装及CPO应用种子层制备：TGV金属化的第一步是种子层的制备，当前主流方法为物理气相沉积（PVD）PVD工艺中，通常先在玻璃孔壁沉积一层薄薄的钛（Ti）或铬（r）作为过渡层，利用这些活性金属与玻璃中的氧原子形成共价键（如—O—，随后再沉积铜（Cu）种子层。这种“过渡层+导电层”的结构能有效缓解金属与玻璃之间的热膨胀系数（CTE）失配，提升界面的机械可靠性。在化学镀工艺中，则需要通过对玻璃PdPVD，化学镀在超高深径比通孔（AR>20∶1）的孔壁覆盖连续性方面具有独特优势，但其废液处理压力大且界面粘附力往往略逊于真空沉积工艺。图14：TGV截面镀银层形貌表征高性能封装玻璃基板TGV技术的研究现状、挑战与未来展望电镀填铜：实现TGV内部无空洞、无缝隙的铜填充是工艺难点，尤其是针对深径比极高的盲孔或通孔，电解液在孔内的扩散受限极易导致孔口过早封闭而形成“空洞”。目前TGV金属化的两种主要生长方式分别是双面通孔电镀和单面盲孔电镀，在双面通孔电镀工艺中，由于通孔结构通常呈哑铃形，在电镀过程中会首先在通孔的中间实现金属连接，后续过程等效于双面的盲孔自下而上的电镀，当晶圆厚度较厚时，双面通孔电镀较为适用。玻璃盲孔金属化则是盲孔自下而上的电镀方式，后续制程是正面布线和临时键合，再进行晶圆的背面研磨露出铜金属，从而实现上下连通结构的制作。图15：双面通孔电镀TGV金属化工艺流程玻璃通孔技术的射频集成应用研究进展图16：单面盲孔电镀TGV金属化工艺流程玻璃通孔技术的射频集成应用研究进展CMP平坦化：TGV工艺中，通孔金属化后会产生表面多余金属层及表面不平整，为确保后续工序对准精度与多层布线的可靠性，化学机械抛光（CMP）平坦化的核心与关键工序。它通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用，在原子水平上实现材料的去除，能兼顾表面的全局和局部平坦化，解决了单一工艺无法满足的全局平坦化难题。图17：CMP平坦化中化学机械抛光前后对比晶亦精微招股书RDL布线：在完成玻璃通孔的制备后，需要在玻璃基板表面进行布线来实现互联玻璃基板的表面高密度布线，目前已有的工艺路线包括线路转移（、光敏介质嵌入（P、多层RDL的2.D玻璃转接板技术，具体而言：CTT：1）RDLRDL层可以在可移动载体上单独制造一层薄导刻和电解镀铜的方法，并且以薄铜箔作为镀层的种子层。2）RDL层集成到基板上。RDL层被制造出来后，它们在使用热压合的同时被转移到核心层的两边。PTE：1）在光敏电介质层中形成精细的沟槽。2）金属化，包括种子层沉积、电在光刻图案化后下一步是种子层沉积，采用物理气相沉积（PVD）和Cu作为阻挡层和种子层，接着采用电镀工艺填充沟槽，沟槽填充完后，使用化学腐蚀剂刻蚀掉上表面的铜从而露出线路。RDL2.5D玻璃转接板技术：RDL的基础上进行压膜，然后RDL的铜焊盘，接着进行种子层溅射。溅射完薄膜并完成种子层刻蚀。图18：使用CTT和PTE两种方法制作的RDL玻璃通孔技术研究进展图19：采用改进式SAP制作多层RDL的工艺流程玻璃通孔技术研究进展从竞争壁垒上看，上游半导体玻璃原片受矿源、高纯原料、溢流成型工艺、核心专利等因素锁死，海外垄断格局短期内难以打破；而中游TGV通孔成型、金属化填铜、CMP平坦化、高密度RDL布线整套精密加工链条虽各工序均存在严苛工艺壁垒，但无资源独占型硬约束，国内设备厂商、基板加工企业已实现部分环节突破，整体技术代差显著小于上游玻璃原片赛道。TGV通孔成型是全流程第一道核心卡点。玻璃本身脆性极强，机械钻孔、喷砂等传统加LIDE激光诱导刻蚀工艺，需要精准控制飞秒激光能量、扫描路径与刻蚀液配比，以此实现深径比50:125nm的无损通孔，激光参数、刻蚀时长微小波动都会造成孔形畸变、内壁缺陷，直接影响后续金属填充良率。不过国内海目星、大族、帝尔激光等厂商TGV工良率等核心指标上持续缩小与海外设备差距，成孔加工环节国产化突破进度明显优于上游玻璃基材。图20：帝尔激光TGV激光微孔设备帝尔激光官网CMP平坦化是另一关键工艺难点。PVD溅射种子层与电镀填铜两步，玻璃与铜热膨胀系数差异大，Ti/Cr结合力不足，高温封装后会出现金属层脱落；同时高深宽通孔电镀极易出现孔口封闭、内CMP全局平坦化，兼顾多层布线的光刻对准精度，抛光液配比、压力、转速参数均为工艺核心积TGV、磁控溅射铜和RDL等全制程能力；京东方已完成玻璃基载板样品开发，并持续开展设备及工艺验证；国内企业已在通孔金属化和增层布线方面取得阶段性进展，但高深径比通孔填充的一致性、界面长期可靠性、CMP缺陷控制及大尺寸基板批量生产稳定性仍需进一步验证。表4：国内外主流厂商TGV技术进度公司 技术进度公司 技术进度康宁Samtec肖特沃格光电

3DICTGV20~100μm10:1公司拥有超高密度TGV金属化和气密密封工艺，其TGV技术支持通孔直径最小为40μm通过位置精度为±5μm，总厚度变化为15μm性、耐化学性，高射频性能，适用于半导体行业的晶圆级封装；与国内水晶光电合作研发RealView光学玻璃晶圆公司具备行业领先的玻璃薄化、TGV、溅射铜(镀铜铜厚可达7μm)璃基巨量微米级通孔(100万平方米芯片板级封装载板产业园项目

TGV3.0(最小通孔>50:1)并开发了适用于深孔填充的电镀液和无空洞的深孔实心金属化技术；公司在东莞松山湖建TGV72~3TGV3D玻璃和TGVQ微波/THz/MEMS为、康佳光电、京东方等企业供货TGV距、深宽比、通孔尺寸公差、通孔内微裂纹、微孔一致性等方面具有显著优势3D3DTGV表层高密度RDL布线环节同样存在精细化加工壁垒，1.5~5μm超细线路制备对光刻、介质膜压合、刻蚀工艺要求极高，玻璃光滑表面易出现介质膜脱层问题，CTT、PTE两种新型布线工艺均需要长期工艺迭代优化。多层RDL还需要在玻璃表面交替制备聚合物绝缘层和铜线路，由于玻璃表面能较低且缺乏活性官能团，聚合物与玻璃、聚合物与金属之间可能存在界面黏附不足的问题，在切割或热循环过程中可能形成层间分层和裂纹，因而需要通过等离子体处理、化学改性或表面粗化等方式改善界面结合。国内企业已在RDL和多层互连环节取得阶段性进展，但微细线路的一致性、层间黏附可靠性、大尺寸基板光刻对准以及批量生产良率仍需进一步验证。图21：玻璃通孔（TGV）及再布线层（RDL）三维互连结构高性能封装玻璃基板TGV技术的研究现状、挑战与未来展望海外进展：大厂积极布局，2027-2030年有望实现量产英特尔：玻璃基板先行者，有望建设全球首座玻璃基板量产基地。20239月：英特尔就将玻璃基板纳入先进封装路线图，指出玻璃基板相比有102030键路径。20261月：NEPCONEMIB（嵌入式多芯片互连桥接）+玻璃芯基板整合样品，采用“10-2-10”堆叠结构，封装尺寸达78×77毫米，实现无微裂纹突破。20264月：3DGS7块玻璃基板，有望为英特尔后续大规模量产提供供应链支撑。同时，英特尔合作20264月的一场产业会议上表示，20265月：根据福布斯报道，英特尔位于新墨西哥州里奥兰乔（RioRancho）的工厂有望成为其首个玻璃基板量产基地，并可能由此摘得全球首个量产设施的桂冠。英特尔已开始在里奥兰乔向外部晶圆代工客户提供硅光子制造服务，并披露了首批搭载共封装光学（CPO）2030年。20266月：61Xeon6+18A工艺、288CPUCEO陈立武在近期的访3DGS，看中玻璃作为散热绝缘材料的独特EMIB，并已宣布在印度和美国新墨西哥州推进先进封装制造合作项目。图22：英特尔先进封装方案intel图23：英特尔展示的基板发展历史intelCoPoS为基，布局稳健且系统。CoPoS，即将芯片排列于方形面板基板，提升产能、降低成本，并解决大尺寸芯片封现有物理性能瓶颈，玻璃核心基板能够提升量产良率的特性是300CoPoS750×620毫米（310×310毫米、515×510毫米两种规格面板级基材。该方案不仅能容纳尺寸更大的算力裸片，还能提升基材与芯片利用率，单位面积生产成本可降低20%30%。台积电规划，CoPoS2027年正式开启试生产，2028CoPoS2030年之后。图24：方形和圆形封装对比YOLE2027年后量产。thelec2025年起便开始向苹果供应玻璃基板样品。目前三星电机在位于韩国忠清南道世宗的工厂运营着2027年后实现量产。2025集团签署谅解备忘录，计划成立合资公司制造玻璃基板的核心材料——玻璃芯，合资公司2026年下半年正式成立。康宁：2026年5月，康宁与京东方签署合作备忘录，其中提到双方将围绕玻璃基封装载板、可折叠玻璃、钙钛矿玻璃基板、光互连相关应用等重点领域开展合作。2026年6月，康宁在韩国首尔“AI在数百纳米级别，而光纤纤芯尺寸则在数微米以上，两者之间存在数十倍以上的尺寸差耗控制在2dB以下。其介绍，首批产品将支持间距（corepitch）30微米以上的应用场景。同时，康宁还公开了将玻璃基板与光互连技术结合的新一代CPO架构，该方案采用TGV技术，在玻璃基板上构建光波导，并通过倒装芯片方式安装光芯片，旨在应对未来玻璃基板半导体封装市场的扩张需求。图25：康宁玻璃载板产品康宁官网相关标的：国内重点关注上游原片及中游加工制造环节公司原片环节，重点关注凯盛科技、旗滨集团、力诺药包，TGV加工关注沃格光电、彩虹股份，设备端关注海目星、帝尔激光。TGV先进封装玻璃中试线项目。公司主营显示材料和应用材料业务，显示材料业务主要包括柔性可折叠玻璃（TG、超薄电子玻璃、IO导电膜玻璃、3A盖板玻璃、柔性触控、面板减薄、显示触控一体化模组，应用材料产品主要围绕锆、硅、钛三种元素，立足锆系产品。显示材料板块，公司形成从玻璃原片到一体化模组（液晶/OLED面板除外）2024TGV先进封装玻璃通孔及金属填充关键技术研发工作，在前期研发的基础上，为推进相关工艺技术产业化落地，20267月，公司公告拟在蚌埠市高新区超薄柔性电子玻璃（UTG）二期项目TGV1.5亿元。旗滨集团：定增拟布局玻璃基板相关项目。公司2018年进入电子玻璃，目前已布局超薄高铝、锂铝硅、微晶、柔性、中铝钠钙五大玻璃产品矩阵，上述产品广泛用于消费电子、汽车电子和显示领域。公司已正式确立玻璃基板研发和产业规划，通过对玻璃基板产品详细定义和超薄高端玻璃生产技术剖析，在现有浮法工艺技术基础上，开展基于溢流、下拉、微浮法等其他超薄玻璃制造技术的产线设计、装备开发、工艺模拟。2026年6月，公司发布向特定对象发行A股股票预案，拟募资金额不超过14.27亿元，其中拟募资6.36亿元投向超薄柔性玻璃（UTG）制造平台及玻璃基板项目，该项目将布局超薄柔性盖板玻璃（UTG）和低损耗低膨胀射频玻璃基板等产品，项目建成后将有效提升公司高端超薄玻璃关键技术研发和规模化制造能力，实现超薄柔性盖板玻璃和射频玻璃基板等产品的产业化发展，进一步完善公司高端电子玻璃产品布局。项目拟新建厂房，并引进先进的超薄柔性玻璃（UTG）和低损耗低膨胀玻璃基板生产线，最终实现年产117万平方米的生产能力。表5旗滨定增募投项目情况（单位：万元）序号项目名称总投资金额募集资金拟投入金额超薄柔性玻璃（UTG）制造平台及玻璃基板16818463577项目2高透在线CVD-FTO导电玻璃技改项目31318.6624153.57高性能新能源汽车玻璃基板降碳减排技改3 18383.45 7689项目4旗滨数字化升级建设项目2038517270.165补充流动资金3000030000合计168271.1142689.7旗滨集团公告力诺药包：玻璃新材料试验线中试窑炉顺利点火。高硼硅耐热玻璃吹制产品等。公司与国内外多家大型客户形成长期合作关系，涵盖了康宁、OXOLOCK＆LOCK，德国双立人等国外知名企业以及美领域，相关产品处于研发试验或送样阶段。61日，公司玻璃新材料科创孵化中心核心项目——料领域的布局正式迈入中试验证新阶段。图26：力诺药包玻璃新材料中试窑炉点火力诺药包官方公众号沃格光电：自主研发TGV技术。公司业务主要包括三大板块，第一是以沃格光电公司及子公司为经营主体的传统业务，包括显示面板相关玻璃精加工和显示器件产品业务；第二是以江西德虹显示为经营主体的玻璃基新型显示业务；第三是以湖北通格微为经营主体的玻璃基线路板和玻璃器件产品在泛半导体行业的应用。公司自主研发玻璃通孔（TGV）技术，创新利用超快激光加湿法混合刻蚀工艺，可对多种类型的大板玻璃材料进TGV510*515mm0.1-1.1mmTGV通孔的制备，实30～150um直径的通孔线路板研发与量产制造能力。表6：公司玻璃基相关技术（产业化阶段截至2025年底）技术名称技术名称技术特点 产品应用/服务 取得方式 产业化阶段玻璃基MiniLED

载板厚度20um配，实现稳定的载流能力和上万级分区；MiniLED模组（准背光，与传统背光或PCB/铝基MiniLED

自主研发

部分产品应用进入量产精准光源

TV、车载等背光技术

Mini灯板搭配玻璃LCD高端显示扩散板的光场控制板光学组件可降低整机厚60-70%；HUD车规级标准。无碱玻璃、石英玻璃等）进行高深宽比TGVMicroLED 直

商用阶段小批交付和玻璃基通孔的高精度加工。

显、射频天线

自主研发

开发验证阶TGV技术2.公司目前产线可加工玻璃常光模块等 段规尺寸为：510*515mm，可加工玻璃厚度TGV30～150um板研发与量产制造能力。公司全玻璃基多层线路叠层及玻璃互联键合技术采用TGV（玻璃通孔）全玻璃基合技术完成多层玻璃基板之间的垂直互连，构多层线路建出结构紧凑、性能优越的三维集成封装载叠层及玻板。

算力芯片先进封

产品方案确璃互联键2.针对板级尺寸带来的热失配、翘曲与应力集装、多芯粒异构合技术中难题，公司致力于研发多路径键合技术矩封装（GCP技阵：Cu-Sn共晶键合工艺精确控制金属间化

自主研发

定和联合开发阶段术） 合物厚度既保证适中的工艺窗口又兼顾电-热-机械综合性能；热压键合则可灵活选用Au-AuCu-CuCu/Ni/Au-Cu/Ni/Au体系通过压力-温度耦合窗口抑制界面空洞，提升长期可靠性。3.公司主导完成键合设备设计及核心材料选型及开发，全玻璃基芯片封装载板面向高密度、高频率芯片封装提供工艺解决方案。沃格光电2025年报彩虹股份：掌握溢流法工艺。目前基板玻璃的主流工艺分为两类：一类是以康宁、电气硝子为代表的溢流法；另一类是以旭硝子为主的浮法。其中，溢流法凭借“无模具、仅与空气接触”的成型优势，可天然