CN118360051B 一种自恢复近红外应力发光氧化镁基智能材料及制备方法 （深圳大学）

GB749393A,1956.05.23wavelengthultra-broadbandandtunab一种自恢复近红外应力发光氧化镁基智能本发明公开了一种自恢复近红外应力发光22.一种氧化镁基智能材料作为自恢复近红3JournaloftheAmericanCerami(24):1901107等；厦门大学报道的SrZnSO:Nd3+/1390nm/790nm/1534nm/980nm)、SrZn2S2O:Yb3+（ML峰值980nm）、SrSi2O2N的Y3Al5O12:Cr3+（ML峰值688nm）:AdvancedFunctionalMate100165；日本产业综合技术研究所开发的SrAl2O4:Eu-Cr体系:JournalofTheElectrochemicalSociety,2021,168(4):047508;ECSTransactions,2020,984[0009]（3）以往的近红外应力发光材料，例如：Zn3Ga2GeO8,Sr3Sn2O7,SrSi2O2N2,2O3X1选自为2选自为X4选自为X5选自为[0019]S1.按照所述自恢复近红外应力发光[0020]S2.将S1中制备得到的粉体置于氧化铝坩埚中，5[0029]（1）本发明所制备的自恢复近红外应力发光氧化镁基智能材料应力发光性能优[0035]图3是本发明实施例12~20产品MgO:x%Cr在30N作用力下的应力发光积分强度[0036]图4是本发明实施例21产品MgO:0.5%Cr-0.5%Yb在30N作用力下的应力发光光谱[0038]图6是本发明实施例23产品MgO:0.5%Cr-30%ZnO在30N作用力下的应力发光光谱[0039]图7是本发明实施例24产品MgO:0.5%Cr-30%Ga2O3在30N作用力下的应力发光光谱[0041]图9是本发明实施例26产品MgO:0.5%Cr-30%TiO2在30N作用力下的应力发光光谱6然后以5℃/min的升温速率从1000℃升温至1600℃,接着以2℃/min的升温速率从1600℃升78然后以5℃/min的升温速率从1000℃升温至1600℃,接着以2℃/min的升温速率从1600℃升然后以5℃/min的升温速率从1000℃升温至1600℃,接着以2℃/min的升温速率从1600℃升9然后以5℃/min的升温速率从1000℃升温至1600℃,接着以2℃/min的升温速率从1600℃升然后以5℃/min的升温速率从1000℃升温至1600℃,接着以2℃/min的升温速率从1600℃升然后以5℃/min的升温速率从1000℃升温至1600℃,接着以2℃/min的升温速率从1600℃升然后以5℃/min的升温速率从1000℃升温至1600℃,接着以2℃/min的升温速率从1600℃升然后以5℃/min的升温速率从1000℃升温至1600℃,接着以2℃/min的升温速率从1600℃升然后以5℃/min的升温速率从1000℃升温至1600℃,接着以2℃/min的升温速率从1600℃升然后以5℃/min的升温速率从1000℃升温至1600℃,接着以2℃/min的升温速率从1600℃升然后以5℃/min的升温速率从1000℃升温至1600℃,接着以2℃/min的升温速率从1600℃升[0130]b)将研磨均匀的粉体置于氧化铝坩埚中，以10℃/min的升温速率升温至1000℃,[0131]c)粉碎并研磨步骤b)得到的冷却后的粉体，过150目的筛后得到近红外应力发光[0135]b)将研磨均匀的粉体置于氧化铝坩埚中，以10℃/min的升温速率升温至1000℃,[0136]c)粉碎并研磨步骤b)得到的冷却后的粉体，过150目的筛后得到近红外应力发光[0140]b)将研磨均匀的粉体置于氧化铝坩埚中，以10℃/min的升温速率升温至1000℃,[0141]c)粉碎并研磨步骤b)得到的冷却后的粉体，过150目的筛后得到近红外应力发光[0144]b)将研磨均匀的粉体置于氧化铝坩埚中，以10℃/min的升温速率升温至1000℃,然后以5℃/min的升温速率从1000℃升温至1400℃,接着以2℃/min的升温速率从1600℃升[0145]c)粉碎并研磨步骤b)得到的冷却后的粉体，过150目的筛后得到近红外应力发光[0148]b)将研磨均匀的粉体置于氧化铝坩埚中，以10℃/min的升温速率升温至1000℃,[0149]c)粉碎并研磨步骤b)得到的冷却后的粉体，过150目的筛后得到近红外应力发光