GBT 14264-2024 半导体材料术语标准立项发展报告

半导体材料术语（GB/T14264-2024）标准立项发展报告StandardizationDevelopmentReport:SemiconductorMaterialTerminology摘要关键词：半导体材料；术语标准；标准化；GB/T14264-2024；第三代半导体；化合物半导体一、引言半导体材料作为现代电子信息产业的基石，其技术发展水平直接决定着一个国家在集成电路、光电子器件、功率电子、微波通信等战略性领域的竞争能力。从第一代元素半导体硅（Si）、锗（Ge），到第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP），再到以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代宽禁带半导体材料，半导体材料体系不断丰富，交叉融合趋势日益明显。与此同时，随着纳米技术、量子技术和低维材料研究的深入，大量新概念、新名词不断涌现，术语规范化需求十分迫切。术语标准是技术标准体系中最基础、最具通用性的标准类型之一。统一、规范的术语定义是保障技术文件准确理解、促进科技成果有效传播、支撑行业管理和国际贸易顺利进行的前提条件。国际电工委员会（IEC）下设的TC39"半导体器件"技术委员会及SEMI国际半导体设备与材料协会等组织均高度重视术语标准化工作，持续发布和更新相关术语标准文件。我国于1993年首次发布GB/T14264-1993《半导体材料术语》，这是我国半导体材料领域第一部基础性术语标准，对行业术语的规范使用起到了重要的奠基作用。2009年，根据半导体材料技术的发展和行业应用需求的变化，该标准进行了第一次全面修订，形成GB/T14264-2009版本，在术语数量、分类结构和定义表述等方面均有显著提升。然而，自2009年至今的十余年间，全球半导体材料领域经历了深刻的技术变革——第三代半导体材料实现规模化商用，二维材料、钙钛矿材料等新兴体系研究蓬勃开展，半导体材料制备工艺和表征技术不断推陈出新。在此时代背景下，对GB/T14264进行新一轮修订，既是技术发展的内在要求，也是产业实践的迫切呼唤。二、立项背景与必要性2.1行业发展现状近年来，全球半导体材料市场规模持续增长。据SEMI统计数据显示，2023年全球半导体材料市场销售额达到约667亿美元，其中中国台湾地区、中国大陆和韩国位列前三大市场。我国作为全球最大的半导体消费市场，半导体材料产业正处于快速追赶和产能扩张的关键阶段。在国家集成电路产业投资基金（"大基金"）及各级地方政府产业政策的持续推动下，国内硅片、光刻胶、电子特种气体、湿电子化学品、CMP抛光材料、靶材等关键半导体材料领域涌现出一批具有国际竞争力的企业和研发机构。从技术进步角度看，我国半导体材料领域近年来取得了若干标志性突破：12英寸大硅片实现批量供应；8英寸SiC衬底开始进入产业化应用；GaN功率电子器件已在快充、5G基站等领域实现规模商用；深紫外光刻胶、先进封装材料等卡脖子环节持续取得攻关进展。技术的快速迭代带来了大量新的专业术语需求——从材料制备方法（如物理气相传输法PVT、氢化物气相外延HVPE、金属有机化合物化学气相沉积MOCVD等）到材料性能参数（如临界切应力、穿透位错密度、热导率各向异性等），从缺陷表征术语到器件应用术语，都需要在国家标准层面予以统一和规范。2.2原标准存在的问题GB/T14264-2009《半导体材料术语》自发布实施以来，在规范行业用语、支撑标准体系建设和促进技术交流方面发挥了重要作用。然而，随着技术的发展和产业环境的变化，原标准逐渐暴露出以下突出问题：（1）术语覆盖范围不足。原标准收录的术语主要集中于传统硅基和常见化合物半导体材料领域，对近年来快速发展的第三代半导体（宽禁带）材料、二维材料、量子点材料、柔性半导体材料等新兴领域的术语基本未涉及。例如，SiC单晶生长中常见的"微管"（micropipe）、"伯格斯矢量"（Burgersvector），GaN材料中的"V形坑缺陷"（V-pit）、"黄带发光"（yellowluminescence）等术语均未收录。（2）部分定义表述陈旧或不够准确。半导体材料领域的技术认知在不断深化，某些术语的内涵和外延已发生变化。例如，对"外延层"的定义需要涵盖更多新型外延生长技术，对"半绝缘"概念的理解需要结合深能级补偿机制的最新认识，原标准中部分表述已不能完整反映当前的技术认知水平。（3）与国际标准的协调性有待加强。随着我国半导体产业深度融入全球产业链，我国标准与国际标准（如SEMI标准、IEC标准、ASTM标准等）的协调互通愈发重要。原标准在部分术语的英文对应词选择和定义表述上与国际主流标准存在差异，给跨国技术交流和国际商贸活动带来一定不便。（4）分类体系有待优化。随着半导体材料外延领域逐渐从单纯的晶体生长与加工演变为涵盖材料设计、制备、表征、器件应用的完整链条，原标准的三级分类框架已难以清晰覆盖所有相关术语，需要结合当前技术体系特征进行重新梳理和完善。2.3政策背景与立项依据党的二十大报告明确提出，要"加快建设制造强国、质量强国"，"推动战略性新兴产业融合集群发展，构建新一代信息技术、人工智能等新的增长引擎"。半导体材料作为新一代信息技术的核心基础，其标准化工作受到国家高度重视。《国家标准化发展纲要》提出，要"加强标准化与科技创新互动发展""推进标准国际化"。2023年修订的《国家标准管理办法》进一步强调了标准的科学性、规范性和协调性要求，为标准修订工作提供了制度保障。在此背景下，全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）在广泛调研行业需求和组织专家论证的基础上，向国家标准化管理委员会提出对GB/T14264-2009进行修订的立项申请。该申请于2022年获得批准，正式列入国家标准制修订计划（计划编号：20220406-T-469），由SAC/TC203归口管理。三、标准修订原则与工作过程3.1修订原则本次标准修订工作确立了以下四项基本原则：第一，科学性原则。术语的定义必须以扎实的科学理论和技术实践为基础，准确反映半导体材料领域各概念的本质属性和内在关联。每个术语的定义均经过起草组专家的反复推敲和论证，确保定义表述严谨、准确、无歧义。第二，系统性原则。术语体系不是零散词语的简单集合，而是按照概念之间的逻辑关系构建的有机整体。修订过程中充分考虑术语之间的关联性和层次性，对分类框架进行了系统优化，使标准整体形成清晰的知识图谱结构。第三，实用性原则。标准修订以行业实际使用需求为导向，优先收录产业界和科研一线高频使用的术语。对于已有成熟中文译法且在行业内广泛使用的英文术语，保持中文译法的延续性和稳定性，避免不必要的变更给用户带来的困扰。第四，开放性原则。在立足国内产业实践的基础上，积极参考和借鉴SEMI、IEC、ASTM等国际主流标准组织的最新术语文件，在定义表述和英文对应词方面尽量与国际接轨，提高标准的国际兼容性和适用性。3.2工作过程标准修订工作自2022年初启动，主要经历了以下工作阶段：（1）调研准备阶段（2022年1月—6月）。起草工作组系统收集整理了国内外半导体材料领域的标准文件、学术论文、技术报告和产业白皮书，重点梳理了SEMIM系列标准、IECTC39标准文件中涉及的术语条目，建立了术语收词备选库。同时，通过问卷调查和实地走访等方式，广泛征集了来自硅材料、化合物半导体材料、第三代半导体材料等细分领域的企业、高校和科研院所的修订意见和建议。（2）草案起草阶段（2022年7月—12月）。在调研分析的基础上，起草工作组按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的要求，完成标准修订草案的初稿编写。草案初稿完成后，在起草工作组内部进行了多轮讨论和修改。（3）征求意见阶段（2023年1月—6月）。草案通过全国标准信息公共服务平台向社会公开征求意见，同时定向发送至相关行业协会、骨干企业、高等院校和科研机构。共收到反馈意见120余条，起草工作组对每条意见进行了逐条处理和回复，对合理的意见予以采纳并对草案进行相应修改。（4）送审与报批阶段（2023年7月—12月）。修改完善后的送审稿提交SAC/TC203全体委员审议。审查会议认为该标准送审稿结构合理、内容完整、定义准确，一致同意通过审查。起草工作组根据审查意见进行最终修改完善后形成报批稿，报送国家标准化管理委员会审批。（5）发布与出版阶段（2024年）。2024年4月25日，国家市场监督管理总局（国家标准化管理委员会）正式批准发布GB/T14264-2024《半导体材料术语》，自2024年11月1日起实施。四、标准主要技术内容4.1标准结构框架GB/T14264-2024《半导体材料术语》在继承GB/T14264-2009整体框架的基础上，结合当前半导体材料技术体系的发展特征，对术语分类结构进行了优化调整。标准按照材料类别和工艺环节相结合的方式组织术语体系，主体框架包括基础术语、元素半导体材料术语、化合物半导体材料术语、氧化物半导体材料术语、其他半导体材料术语、材料制备工艺术语、材料结构与缺陷术语、材料性能术语、材料表征与测试术语等若干大类，每个大类下设若干中类和子类。相较于2009版标准，本次修订优化了术语分类逻辑，使概念层次更加清晰，便于不同领域用户快速检索定位。4.2术语修订情况本次修订中，起草工作组对2009版标准的所有术语条目进行了逐一审视和重新审核：对定义表述不够精确或已不完全适应当前技术认知的术语条目进行了修改完善；对已不常用或已被新术语替代的个别条目进行了删除。在此基础上，重点增补了以下方面的术语：（1）第三代半导体材料术语。新增了碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化镓（Ga₂O₃）、金刚石等宽禁带半导体材料相关的术语，涵盖材料生长、缺陷表征、器件应用等各环节。代表性新增术语包括：物理气相传输法（PVT）、高温化学气相沉积（HTCVD）、溶液法生长、微管、堆垛层错、刃型位错、螺型位错、穿透位错、缓冲层、高电子迁移率晶体管（HEMT）等。（2）化合物半导体材料术语。在原有GaAs、InP等传统化合物半导体材料术语基础上，新增了锑化物半导体、II-VI族化合物半导体、三元和四元固溶体半导体材料等相关的术语。（3）低维与新型半导体材料术语。新增了二维材料（如石墨烯、过渡金属硫族化合物TMDs）、一维纳米线、量子点、钙钛矿半导体材料、有机半导体材料等新兴领域的术语，填补了原标准在新材料领域的空白。（4）先进制备工艺与表征技术术语。新增了原子层沉积（ALD）、分子束外延（MBE）、MOCVD、选区外延、范德华外延等先进制备工艺术语，以及X射线形貌术、光致发光光谱、深能级瞬态谱（DLTS）、透射电子显微镜（TEM）分析等先进表征技术相关术语。4.3与国际标准的协调本次修订将国际协调性作为重要考量维度。在英文对应词的选择上，优先采用SEMI、IEC、ASTM等国际主流标准中使用的标准英文术语；在定义表述方面，参考了国际相关标准的定义内容，并结合中国的技术实践和使用习惯进行本地化完善。通过上述措施，GB/T14264-2024与国际主流标准文件的兼容性得到显著提升，为我国半导体材料领域的国际技术交流和贸易往来减少了术语理解上的障碍。五、主要修订单位简介5.1全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）本标准的修订工作由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）归口管理。该技术委员会是国家标准化管理委员会直属的全国性专业标准化技术组织，主要负责半导体设备和材料领域的国家标准制修订工作及相关标准化活动。SAC/TC203目前下设多个分技术委员会和工作组，涵盖半导体材料、半导体设备、封装材料、显示器件材料等多个专业方向，委员由来自国内主要半导体材料与设备制造企业、科研院所、高等院校和检测机构的权威专家组成。SAC/TC203自成立以来，组织制定了百余项半导体设备和材料领域的国家标准和行业标准，构建了较为完善的半导体材料和设备标准体系，为我国半导体产业的标准化发展作出了重要贡献。在半导体材料术语标准方面，SAC/TC203持续跟踪国际标准化动态，积极参与SEMI中国标准化活动，推动我国半导体材料标准与国际标准的衔接与互认。5.2主要起草单位六、标准实施预期效果与展望6.1预期实施效果GB/T14264-2024《半导体材料术语》的发布实施，将在以下方面产生积极而深远的影响：统一行业术语使用规范。随着半导体材料技术体系的不断丰富，行业内术语使用不统一的问题日益突出，同一概念在不同企业、不同文献中常有不同表述，给技术交流、标准执行和产业协同带来了不必要的困扰。本标准的发布将有效引导行业内各类技术文件、合同协议和学术论文中的术语规范使用，减少因概念理解不一致而导致的沟通成本和合作障碍。支撑标准体系建设。术语标准是整个标准体系的基石。GB/T14264-2024的发布实施将为其他半导体材料产品标准、方法标准和管理标准的制修订提供统一的术语基础，有助于增强我国半导体材料领域标准体系的整体协调性和配套性。促进科技成果转化。科技成果的传播和转化依赖于准确的概念表达。新标准中新增的大量新兴领域术语，为近年来涌现的科研成果提供了规范化的概念载体，有助于加快创新成果的产业化进程。助力国际竞争与合作。新标准在术语英文对应词和定义方面与国际标准的协调统一，将降低我国企业和科研机构在国际技术交流和贸易合作中的语言和概念障碍，提升我国在全球半导体材料领域的话语权和影响力。6.2未来展望标准化工作永远处于动态发展之中。展望未来，半导体材料术语标准化工作仍面临持续完善的现实需要，需要在以下方向持续推进：一方面，需要建立术语标准的动态更新机制。半导体材料领域技术更新速度快，新概念、新术语不断涌现。建议依托SAC/TC203平台，建立半导体材料术语的动态跟踪和定期评估机制，适时启动标准的再次修订或通过发布修改单的方式对标准进行及时更新。另一方面，需要进一步深化国际标准化合作。建议积极参与SEMI国际标准中术语相关文件的制定工作，推动将中国优势特色领域的术语纳入国际标准体系，增强中国标准