CN119390008A 多孔微电极阵列的制备方法 （中国科学院上海微系统与信息技术研究所）_第1页
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本发明涉及一种多孔微电极阵列的制备方第一部分和第二部分，牺牲层沉积在第一部分的各第二通孔与第一封装层的各第一通孔一一2S200：在所述衬底的第二部分和所述牺牲层上沉S400：在位于所述衬底的第二部分的上方的S220：对SU_82005光刻胶进行曝光和显影，以使位于所述牺牲S430：在显影后的第一封装层和第一金属层上依3S510：在所述第一封装层、所述第一金属层和所述第二金属层上涂覆SU_82005光刻S520：对SU_82005光刻胶依次进行曝光和显影，以4[0008]进一步地，所述第一封装层由SU_82005光刻胶形成，步骤S200具体包括以下步5S220：对SU_82005光刻胶进行曝光和显影，以使位于所述牺牲层上方的SU_8[0011]进一步地，所述第二封装层由SU_82005光刻胶形成，步骤S500具体包括以下步[0015]本发明的多孔微电极阵列的制备方法，第一封装层和第二封装层均由SU_820056S220：对SU8_2005光刻胶依次进行曝光和显影，以使位于牺牲层20上方的SU_87S520：对SU_82005光刻胶依次进行曝光和显影，以得到预设图案的第二封装层[0037]第一金属层40未被第二封装层60覆盖的部分形成为多孔为多孔微电极阵列的柔性部（即图2中的虚线框中的部分为避免柔性部在弯折时被衬底S700：在第一金属层40未被第二封装层60覆盖的部分上电镀导电聚合物PEDOT：8

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