CN119390009A 一种二维异质结结构的制备方法 （北京大学）_第1页
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本发明公开了一种二维异质结结构的制备PPC最佳粘性温度的差异，在90℃_110℃温区内将失去粘性的PPC膜上的包含上、下支撑层的二物提取浸泡或高温退火工艺对二维材料和支撑层的污染和损伤；同时PC和PPC为柔性有机膜材22)在90℃_120℃温区内，采用覆盖有PC膜的PDMS半圆球结构从硅片上依次拾取解理得3)在载玻片上制作聚二甲基硅氧烷的PDMS半圆球4)在40℃_60℃温区内，采用步骤3)得到的PPC膜/高透明胶带/PDMS半圆球结构从硅片5)在90℃_110℃温区内，将步骤4)得到的衬底落在步骤2)得到的叠层上，在PC膜上得用PC颗粒和三氯甲烷溶液配置质量分数58％的PC溶液，并在两块载玻片之间压平展5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤5)中在180℃_200℃温区内将PC膜3已有的制备衬底的方法需要在转移完衬底后对衬底进行溶液浸泡或者高温退火，并用AFM4[0022]1)本发明利用PC和PPC最佳粘性温度的差异，在90℃_110℃温区内将失去粘性的个较软的PC和PPC有机膜的辅助下可以将其封装在栅极氮化硼之间，能有效地减小样品所5[0032]1_3)聚碳酸酯(PC)膜的制作：用PC颗粒和三氯甲烷溶液配置质量分数6％的PC溶维异质结结构(即支撑层氮化硼1_栅极石墨1_栅极氮化硼1_样品二维材料_栅极氮化硼2_残余和最终二维异质结结构的硅片放入三氯甲烷中冲洗10min以去除PC残余，从而实现干式转移到硅片上的支撑层氮化硼1_栅极石墨1_栅极氮化硼1_样品二维材料

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