CN119396626A 用于存储器阵列的印迹恢复的方法及存储器系统 （美光科技公司）

202011000948.92020.09.22用于存储器阵列的印迹恢复的方法及存储本申请涉及用于存储器阵列的印迹恢复的够提高存储器系统或其组件在存在与存储器单元压印相关联的条件的情况下能够操作的稳固2接收命令以执行印迹恢复程序，所述印迹恢复程序经配置以缓解对于存储相应第一逻辑状态而不是相应第二逻辑状至少部分地基于发起所述印迹恢复程序而传输所述印迹恢复在发起所述印迹恢复程序之后接收指示以暂停所述2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述电路系统进一步经配置以致使所述存检测所述一组存储器单元对于存储相应第一逻辑状态而不是相应第二逻辑状态的所传输所述倾向的指示，其中至少部分地基于传输所述倾向的所述指示而接收所述命3.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述印迹恢复程序的所述状态的所述指示4.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述印迹恢复程序的所述状态的所述指示5.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述电路系统进一步经配置以致使所述存至少部分地基于发起所述印迹恢复程序而确定错误校正故障，的所述状态的所述指示包括执行至少部分地基于所述错误校正故障而替换与所述一组存6.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述印迹恢复程序的所述状态的所述指示包括指示在所述印迹恢复程序期间所述一或多个存储器阵列不7.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述电路系统进一步经配置以致使所述存至少部分地基于所述可用持续时间而执行所在主机装置处检测指示存储器装置的存储器单元对于存储相应第一逻辑状态而不是从所述主机装置向所述存储器装置传输用于所述存储器装置的命令以执行印迹恢复至少部分地基于传输所述命令而在所述主机装置处接收所述印迹恢复程序的状态的3至少部分地基于传输所述用以暂停所述印迹恢复程序的所述指示而向所述存储器装检测存储逻辑状态的持续时间、温度或者存取模式，其中至少部态而不是所述相应第二逻辑状态的所述倾向的所检测所述存储器装置的初始启动的指示，其中至少部分地基于初始启动的所述指示而检测指示对于存储所述相应第一逻辑状态而不是所述相应第二逻至少部分地基于指示所述存储器装置正在执行所述印迹恢复程序的所述指示而暂停至少部分地基于指示所述存储器装置正在执行所述印迹恢复程序的所述指示而以更至少部分地基于所述印迹恢复程序的故障的所述指示而执行第二存储器装置的存取至少部分地基于指示所述印迹恢复程序成功的所述指示而向所述存储器装置传输一接收命令以执行印迹恢复程序，所述印迹恢复程序用于缓解一组存至少部分地基于发起所述印迹恢复程序而传输所述印迹恢复在发起所述印迹恢复程序之后接收指示以暂停所述4检测所述一组存储器单元对于存储相应第一逻辑状态而不是相应第二逻辑状态的所传输所述倾向的指示，其中至少部分地基于传输所述倾向的所述指示而接收所述命确定提高一组存储器单元在存储不同逻辑状态至少部分地基于确定提高所述一组存储器单元在存储不同逻辑状态之间切换的所述确定所述一组存储器单元被压印在相应第一逻辑状态中，其中器单元在存储不同逻辑状态之间切换的所述能力至少部分地基于确定所述一组存储器单修改所述操作参数包括增加所述一组存储器单元的刷新所述一组存储器单元的刷新程序包括所述一组存储器单元中的每一存储器单元的至修改所述操作参数包括增加针对所述一组存储器单元的每一刷新程序的刷新操作的通过从所述一组存储器单元读取相应第一逻辑状态并向所述一组存储器单元写入相所述操作参数包括所述存储器装置针对所述一组存储器单元能够跳过的所命令刷新修改所述操作参数包括减少所述存储器装置针对所述一组存储器单元能够跳过的所所述操作参数包括用于在所述一组存储器单元上执行修改所述操作参数包括改变用于在所述一组存储器单元上执行所述一组存储器单元中的一存储器单元的存取程序包括读取操所述操作参数包括在所述读取操作和所述写入操作之间的时间施加到所述存储器单5修改所述操作参数包括改变在所述读取操作和所述写入操作之间的所述时间施加到修改所述操作参数包括增加所述一组存储器单元的所述错误校正程序的所述时间频在修改所述操作参数的值之后，确定所述一组存储器单元已经至少部分地基于确定所述持续时间满足所述阈值时间量，在修改所述操作参数的值之后，确定在所述一组存储器单至少部分地基于确定刷新操作的所述数量满足所述阈值，确定提高所述一组存储器单元在存储不同逻辑状态之间切换的所述能力至少部分地在所述维护模式中操作所述存储器装置包括至少部分地基于所述修改后的操作参数修改所述操作参数包括增加所述一组存储器单元的刷新操作的在所述一组存储器单元中的一存储器单元的刷新操作期间，向确定提高一组存储器单元在存储不同逻辑状态6至少部分地基于确定提高所述一组存储器单元在存储不同逻辑状态之间切换的所述7[0004]本专利申请要求斯特兰德(Strand)等人于2019年9月24日提交的标题为“存储器(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)等。存储器装置可为易失性或非易失性的。例如FeRAM的非易失性存储器即使在无外部电源存在的情况下仍可在很长一段时间内维持所存可随时间而变(例如，存储一个逻辑状态的存储该逻辑状态压印的可能性增加相关联)。另外或替代地，印迹的可能性可随着温度而增加(例如，存储一个逻辑状态的存储器单元的温度较高可与存储器单元被该逻辑状态压印的包含存储器装置的系统的操作的其它特性或漏洞8一逻辑状态和存储相应第二逻辑状态之间切换的能力；以及在执行所述印迹恢复程序之[0013]图2示出根据本文所公开的实例的支持存储器系统的印迹管理的存储器裸片的实[0014]图3A和3B示出根据本文所公开的各种实例的具有迟滞曲线的铁电存储器单元的[0015]图4A和4B示出根据本文所公开的各种实例的具有迟滞曲线的经压印铁电存储器[0018]图7示出根据本文所公开的实例的可支持存储器系统的印迹管理的印迹检测条件[0019]图8A和8B示出根据本文所公开的实例的支持存储器系统的印迹管理的印迹评估[0020]图9示出根据本文所公开的实例的支持存储器系统的印迹管理的单元偏置的实[0023]图12到16示出根据本文所公开的实例的支持存储器系统的印迹管理的过程流的[0024]图17示出根据本公开的各方面的支持存储器系统的印迹管理的存储器装置的框9[0025]图18到20示出了说明根据本文所公开的实例的支持存储器系统的印迹管理的一储的逻辑状态不同的逻辑状态)或这两种情况均存在的各种状况。存储器单元被一个逻辑当一或多个存储器单元在暴露于高温的过程中维持处于某一特定逻辑状态时)。在一些情[0030]根据所描述的技术的与存储器单元印迹相关的恢复操作可以根据各种条件或检主机控制器)和存储器装置之间传送的信令，或由存储器装置或包含存储器装置的电子装机模式或其中存储器装置掉电或以其它方式不监测操作条件或环境条件的其它模式中时，[0032]根据本公开的技术可以提高存储器装置或存储器装置的主机装置或包含存储器装置和主机装置的系统在存在与存储器单元压印相关联的条件的情况下可以操作的稳固地配置成响应于此类检测或推断而执行各个操作，这可比持续或抢先执行此类操作更高条件，这在一些实例中可至少部分地基于存储器装置和主机装置之间的信令或操作协商。[0033]首先在参考图1到4所描述的存储器系统和存储器裸片的上下文中描述本公开的些和其它特征另外参考涉及如参考图17到20所描述的存储器的印迹管理的设备图和流程[0034]图1示出根据本文所公开的实例的支持印迹管理的系统100的实例。系统100可包[0036]系统100的至少部分可以是主机装置的实例。此类主机装置可以是使用存储器来110可充当系统100的从属型装置(例如，响应于并执行系统100通过外部存储器控制器105裸片的存储器装置110可被称作多裸片存储器或封装([0040]处理器120可配置成为系统100的至少部分提供控制或其它功能性。处理器120可理单元(GPGPU)或片上系统(SoC)的实例以及其它实[0041]BIOS组件125可以是包含作为固件操作的BIOS的软件组件，它可初始化并运行系[0042]外围组件130可以是任何输入装置或输出装置或此类装置的接口，并且可以集成[0044]输入145可表示在系统100外部的向系统100或其组件提供信息、信号或数据的装[0045]输出150可表示在系统100外部的配置成从系统100或其任一组件接收输出的装置[0046]系统100的组件可以由设计成实行它们的功能的通用或专用电路系统组成。这可[0047]存储器装置110可包含装置存储器控制器155和一或多个存储器裸片160。每一存[0048]存储器装置110可以是二维(2D)存储器单元阵列的实例，也可以是三维(3D)存储存储器裸片160_N)。在3D存储器装置中，多个存储器裸片160_N可以堆叠在彼此的顶部上[0049]装置存储器控制器155可包含配置成控制存储器装置110的操作的电路系统或组理器120)存储特定数据的写入命令或指示存储器装置110向系统100的组件(例如，处理器器155可结合存储器裸片160的本地存储器控制器165控制本文中所描述的存储器装置110的操作。装置存储器控制器155和/或本地存储器控制器165中包含的组件的实例可包含用[0050]本地存储器控制器165(例如，在存储器裸片160本地)可配置成控制存储器裸片160的操作。在一些实例中，本地存储器控制器165可配置成与装置存储器控制器155通信置存储器控制器155，且本地存储器控制器165或外部存储器控制器105可执行本文中所描[0051]外部存储器控制器105可配置成启用系统100的组件(例如，处理器120)和存储器的部分由处理器120实施，且其它部分由装置存储器控制器155或本地存储器控制器165实一或多个功能可在一些情况下由外部存储器控制器105(与处理器120分离或包含在处理器含在与系统100的组件相关联的端子之间的一或多个信号路径或传输介质(例如，导体)或的引脚或垫可以是信道115的信号路径的一部分。额外信号路径可以与信道的端子耦合以[0054]信道115(以及相关联的信号路径和端子)可以专用于传送特定类型的信息。在一可以寄存在时钟信号的上升边沿上，信号的其它符号可以寄存在时钟信号的下降边沿上。号可配置成在高状态和低状态之间振荡并协调外部存储器控制器105和存储器装置110的存储器装置110的命令和寻址操作或存储器装置110的其它全系统操作的定时参考。因此，在外部存储器控制器105和存储器装置110之间传送数据和/或控制信息。例如，数据信道[0061]信道115可使用各种不同架构耦合外部存储器控制器105与存储器装置110。各种使用二进制符号(或二进制级)调制方案来调制在外部存储器控制器105和存储器装置110[0063]在一些情况下，可以使用多符号(或多级)调制方案来调制在外部存储器控制器如，PAM3信号或PAM4信号)可以是使用包含至少三个层级对超过一个信息位进行编码的调存储器单元倾向于存储一个逻辑状态而不是另一逻辑状态、不易被写入不同的逻辑状态模式或其它因素相关。根据所描述的技术，系统100的组件可配置成选择性地执行各个操的严重性或方向性，并执行根据所表征的严重性或方向性进行调整或选择的印迹恢复操部存储器控制器105)或整个系统100的特定操作条件定制，所述特定操作条件例如是操作[0066]图2示出根据本文中所公开的实例的支持存储器系统的印迹管理的存储器裸片一或多个存储器单元205。例如，存储器单元205可配置成一次存储数字逻辑的一个位(例类特征可与不同电阻、不同阈值电压或在读取操作期间可检测或可区分的其它特性相关属化物存储元件可以是电阻存储器或阈值存储器的[0071]存取存储器单元205可以通过行解码器225、列解码器230和板驱动器235来控线210。列解码器230可从本地存储器控制器265接收列地址并基于所接收的列地址启动数字线215。板驱动器235可以从本地存储器控制器265接收板地址并基于所接收的板地址启[0075]在一些实例中，感测组件250可配置成比较从存储器单元205(例如，经由数字线储器单元205的逻辑状态可以作为感测组件250的输出提供(例如，提供给输入/输出组件260)，并且可向包含存储器裸片200的存储器装置110的另一组件指示检测到的逻辑状态，单元205或从存储器单元205读取的模式)期间，感测组件250和参考线255可配置成使用默在感测操作期间减少或最小化错误或以其它方式最的电压和在读取存储逻辑0的存储器单元205时的数字线215的电压之间的电压电平(例如，相对于与逻辑1相关联的数字线215电压和与逻辑0相关联的数字线215电压等距)。可促进可配置成从外部存储器控制器105或参考图1所描述的装置存储器控制器155接收命令和/一或多个操作，或响应于执行一或多个操作而将数据从存储器裸片200传送到外部存储器字线210、目标数字线215或目标板线220(例如，向字线210、数字线215或板线220施加电控制器265可将存储在存储器单元205上的逻辑状态传送到外部存储器控制器105(或装置偏置来维持所存储逻辑状态而按周期性间隔刷新。刷新存储器单元205可以减少或消除由电荷泄漏或存储器元件的原子配置随时间推移而出现的变化导致的读取干扰错误或逻辑[0082]在一些情况下，静态烘烤等环境条件可使存储器单元205的可编程特征偏移或改器元件)的存储器应用中，这些或其它条件可使可变和可配置特征或特性无法响应于写入可评估或确定已经压印或陷于某一逻辑状态中的存储器单元205的数量，或以其它方式确写入的逻辑状态与从所述一组存储器单元205读取的逻辑状态的分析程序，以确定是否应测程序可确定有多少从所述一组存储器单元205读取的逻辑状态无法匹配已写入的对应的器裸片200的存储器装置或主机装置可确定当从存储器单元205读取的逻辑状态不同于写成将参考电压从默认参考电压调整为大于或配或错误或以其它方式与一定数量的不匹配或错电压中的每一个可与相应预期数目的不匹配或错误相关联(例如，根据随机或概率性分布)。在一些情况下，可以通过比较在使用操作参考电压或偏移参考电压读取存储器单元205时观察到的不匹配的所确定数目与不匹配的对应预期数目，并且有可能使用如本文所[0088]在一些情况下，经压印存储器单元205可以使用各种印迹恢复或修复过程来恢复于检测到的或推断出的印迹的严重性或方向性，基于在印迹恢复时存储器单元205的操作包含通过将多个相反的逻辑状态写入到存储器单元205来循环存储器单元205上的逻辑状状态相关联的读取信号是否比预期或所需要的更接近参和包含存储器裸片200的存储器装置以及可能的可支持各种数据保留、冗余或完整性技术存储器单元205返回到相对于不同逻辑状态大体上归一化、均衡化或以其它方式对称的特[0091]图3A和3B示出根据本文所公开的各种实例的具有迟滞曲线300_a和300_b的铁电存储器单元的非线性电特性的实例。迟滞曲线300_a和300_b可分别示出采用参考图2所描述的铁电电容器240的存储器单元205的写入过程和读取过程的实例。迟滞曲线300_a和300_b描绘存储在铁电电容器240上的电荷Q随铁电电容器240的端子之间的电压差V而变capcap[0092]铁电材料的特征在于电极化，其中材料可在不存在电场的情况下维持非零电状态或极化状态的逻辑值可以反转或以相反的方式解释，以适应操作存储器单元205的其[0095]逻辑0或1可以通过在铁电电容器240上施加净电压差来控制铁电材料的电极化并电容器240去除电压325(例如，在铁电电容器240的端子上施加零净电压)后，铁电电容器240的电荷状态可遵循在跨电容器的零电压下在电荷状态310_b和电荷状态310_a之间示出[0097]为了读取或感测铁电电容器240的所存储状态，还可在铁电电容器240上施加电生的电荷状态或存取线电压可取决于电荷状态305_a或电荷状态310_a或某一其它电荷状[0098]迟滞曲线300_b示出用于读取所存储电荷状态305_a和310_a的存取操作的实例。经由参考图2所描述的字线210启动开关组件245)。在向铁电电容器240施加读取电压335215的与例如电荷传递感测放大器的放大器相反的信[0101]如由电荷状态305_a和电荷状态305_c之间的转变所示，由于针对电荷的给定变器240上具有正读取电压的情况下以电荷状态305_a执行读取操作可以被视为非破坏性读plate_Vbottom)的差的数字线电压可以是相对较高的电压。[0104]从电荷状态310_a转变到电荷状态310_d可以说明与存储器单元205的铁电电容器果去除了读取电压335(例如，通过在铁电电容器240上施加零净电压，通过使铁电电容器压335的电荷状态310_a的读取操作之后在铁电电容器240上施加零净电压时，电荷状态可于初始电荷状态310_a更小正极化的电荷状态，由电荷状态310_a和电荷状态310_d之间的器240可在读取电压被去除的情况下返回到电荷状态310_a，并且在铁电电容器240上具有正读取电压的情况下以电荷状态310_a执行此类读取操作可以被描述为非破坏性读取过[0107]在发起读取操作之后电荷状态305_c和电荷状态310_c的容器240流动到数字线215的净电容而选择存储器单元205时数字线215的电压可上升。因[0108]在发起读取操作后电荷状态305_c和电荷状态310_c在迟滞曲线300_b上的位置可的铁电电容器240时的电压355)可以是不同的，并且可取决于铁电电容器240的初始状态。元205的铁电电容器240的更大极化变化的感测操作可与相对较大的稳固性(例如，更宽的产生的数字线215或信号线(若适用)的电压与参压350)，在读取具有所存储电荷状态310_a的铁电电容器240时为(读取电压335_电压当读取具有所存储电荷状态305_a的铁电电容器240时为电压350，或者在读取具有所存储电荷状态310_a的铁电电容器240时为电压3中在发起读取操作之后铁电电容器240的电荷状态可以是相同的，不管其初始电荷状态是操作中，针对铁电电容器初始已存储电荷状态305_a的情况和铁电电容器初始已存储电荷器240的初始电荷状态或逻辑状态可以至少部分地基于与读取操作相关联的电荷差来确传递量)而检测到逻辑0，并且可以基于电荷状态310_a和电荷状态370之间的电荷Q差(例栅布置配置的晶体管)或在数字线215和与感测放大器耦合的信号线之间的另一信号产生电路系统支持，其中信号线的电压可以至少部分地基于在发起读取操作之后电容器240的[0112]在数字线215保持处于固定读取电压335的一些实例中，电容器240可以在读取操以在感测组件250或相关感测放大器中不同于耦合数字线215或信号线的部分的部分处进250或感测放大器的比较部分处的所得电压。在感测组件250或感测放大器处进行比较期[0114]在感测操作期间，从读取各个存储器单元205产生的信号可以是随各个存储器单它原因，读取逻辑0可与不同存储器单元205的数字线215或信号线的不同电压电平相关联单元205的不同电压电平相关联(例如，所得电压355针对不同存储器单元205可以是不同取存储器装置的多个存储器单元205的统计值)和相关联的默认参考电压电平之间的最小可与可靠地感测给定存储器装置110或存储器裸片200中的存储器单元205的逻辑状态的难[0116]迟滞曲线300_a和300_b的实例可以说明包含铁电电容器240的存储器单元205在状态不同的逻辑状态)或这两种情况均存在的各种状况。例如，相比于迟滞曲线300_a和经压印铁电电容器240的存储器阵列可与读取错误、写入错误或可损害存储器装置或包含[0117]图4A和4B示出根据本文所公开的各种实例的具有迟滞曲线400_a和400_b的经压线440示出的迟滞曲线400_a和400_b的经偏移特征可能是因为其中铁电电容器240已维持某一电荷状态相对较长时间或处于相对高温条440_a可与增加的对在写入操作期间改变极化的抵抗性相关联，例如共同增加的对域改变衡化或归一化铁电电容器240的饱和条件的电荷状态305_b，电荷状态405_a可能不对应于饱和条件，而是可以示出响应于写入电压315进行局部极化反转的实例。在从铁电电容器荷状态可遵循在跨电容器的零电压下在电荷状态405_a和电荷状态405_b之间示出的路径电压315可能会成功地也可能会失败地向逻辑0写入被逻辑1压印的铁电电容器，也可能不经压印迟滞曲线440_a可与铁电电容器中的一些域在写入操作期间无法使它们的极化反转状态405_c和电荷状态405_d之间示出的路径420_b。曲线430_b到经压印迟滞曲线440_b的偏移，向经压印存储器单元施加电压315可能会成功cap[0124]尽管迟滞曲线400_a和400_b示出了可与铁电电容器240中的压印相关的机制的简写时可能会改变或减少电荷状态310_a的饱和极化区域上)不同极化状态之间的Q的更浅斜率相较于V相关联，这可能伴有也可能不伴有矫cap而解决或减轻这些影响(例如，将存储器单元205的电荷移动性返回到归一化或均衡化状[0127]关于偏置时间，移动带电荷缺陷可以与所施加的偏置一致地改变存储器单元205号的损耗，所以从疲劳恢复可依赖于所施加偏置的变辑状态)而经历材料分离或固定，其中此类影响可与存储或读取一个特定逻辑状态而不是用中，被压印的存储器单元205可与增加的对从一个可配置材料特性或特征变成另一可配一阈值电压的抵抗性、相对较大的对从一个电阻变成另一电阻的抵抗性和其它特征的现种技术来选择性地施加调味步骤(seasoningst[0132]图5示出根据本文所公开的实例的支持存储器系统的印迹管理的系统500的实种实例中可包含具有与存储器装置540相同或类似的功能性的存储器装置，也可以是具有自身可退化或破坏存储在存储器单元处的逻辑状态，但是这类影响可能不会直接使系统装置540、主机装置510或整个系统500在存在与存储器单元压印相关联的条件的情况下可起或修改以加快可相对于不同逻辑状态展现不对称特性的经压印存储器单元的均衡化或操作的各个分布。在一些实例中，存储器装置540可包含配置成支持各种印迹管理技术的级或晶体管级电路系统。另外或替代地，存储器装置540可包含机载处理器或集成处理器自存储器装置540或任何辅助存储器装置590的各者对一个逻辑状态是否比对另一逻辑状态更敏感，压印是不是不对称)并执行根据所表征操作条件例如是操作模式或环境条件，这在一些实例中可至少部分地基于存储器装置540和主机装置510之间的信令或操作协商。另外或替代地，印迹恢复操作可基于各种操作模[0137]主机装置510可以是主机装置或参考图1所描述的外部存储器控制器105的实例，组件中的一或多个或其部分可共同地或总体上被描述为配置成执行本文中所描述的各种[0138]主机装置接口515可以是参考图1所描述的一或多个信道115的实例，也可以其它命令而从存储器装置540接收数据，或者主机装置控制器520可向存储器装置540发出伴有提供给存储器装置540的写入数据或以其它方式与该写入数据相关联的写入命令。主机装[0140]印迹管理器525可配置成执行与本文中所描述的印迹检测或印迹恢复相关的各种件)。响应于此类检测，印迹管理器525可向存储器装置540发出执行印迹检测程序的命令置540用于识别或选择印迹恢复程序的条件的指示，或应该如何积极地执行印迹恢复的指许此类操作(例如，当主机装置510正在根据需要来自存[0143]在一些实例中，印迹管理器525可从存储器装置540接收存储器阵列555被压印或推断出的存储器阵列的印迹的指示，印迹管理器525可发出与逻辑状态的模式相关联的读一或多个或其部分可共同地或总体上被描述为配置成执行本文中所描述的各种技术的组[0145]存储器接口545可以是参考图1所描述的一或多个信道115的实例或以其它方式与令而向主机装置510传输响应性数据，或者存储器控制器550可从主机装置510接收伴有从的各种操作模式或配置，可控制各种信息或控制存储器装置540和主机装置510之间的传[0148]存储器阵列555可以是参考图1和2所描述的存储器阵列170的实例。在一些实例中，存储器阵列555可包含包括铁电电容器作为相应存储器存储元件的存储器单元阵列可变和可配置材料特性存储逻辑状态的材料存储器元件的存储器管理器525交换的信令来操作，这可支持主机装置510和存储器装置之间的印迹管理协调。[0150]印迹检测组件560可支持各种检测，这些检测支持印迹恢复技术的选择性或已调印迹检测组件560执行)一或多个印迹检测程序，以确定存储器阵列555和/或存储器阵列555的存储器单元是否正在一或多个规范内运行(例如，是否执行恢复操作)。在一些情况检测组件560可确定存储器阵列555没有或可能没有在一或多个规范内操作(例如，印迹已制器550)指示要执行印迹检测程序的存储器阵列555的[0154]在一些实例中，印迹检测组件560可向主机装置510传信存储器阵列555中印迹的存在或预测，这可指示或以其它方式解译为主机装置510发起恢复操作的请求、主机装置510的显式命令)确定执行印迹检测程序，这可与存储器装置540主动地或抢先地执行检测组件560可响应于从主机装置510(例如，从印迹管理器525)接收的命令而确定执行印迹检[0157]印迹检测组件560可支持用于确定存储器阵列555中印迹的存在或可能性的各种作(例如，由存储器控制器550执行)，并且[0159]存储器装置540可配置(例如，经由印迹检测组件的操作)成读取所述存储器单元子集，以获得第二组逻辑状态并确定与第二组逻辑状态相关联的不匹配或错误的第一数组逻辑状态，读取或检测到的逻辑状态)与已写入到每个相应存储器单元的逻辑状态(例[0160]印迹检测组件560可采用各种技术来确定和评估此类操作中的不匹配或错误数下确定存储器单元的逻辑状态的默认或操作参考电压，例如在从存储器阵列555读取应用子集时观察到的所测量错误数量和与偏移参考电压相关联的预期错误数量。在一些情况述存储器单元子集相关联的不匹配或错误的第一数量和与在第二偏移参考电压下读取所读取而产生的错误的第一预期数目和由于使用第二偏移参考电压读取而产生的错误的第[0163]这些实例是出于说明性目的，并且印迹检测组件560可基于不匹配或错误数量而定的另一不匹配或错误数量来比较或以其它方式分析不匹配或错误数量)，以确定是否执[0164]存储器装置540还可包含配置成支持存储器装置540处的一或多个ECC操作的ECC逻辑状态之间的不匹配或错误的数目未能满足阈值时，印迹检测组件560可确定执行印迹[0165]在一些实例中，印迹检测组件560可配置成将用于发起恢复操作的阈值设置为低速率可以计算或以其它方式被视为近似导数(例如，溢出后的计数器右移)以并入组合逻525或其各种组合可考虑错误或不匹配方向性以确定与印迹管理相关565可执行或控制配置成将存储器单元从经压印迟滞曲线440偏移到或朝向去除印迹的迟恢复技术，这些技术得益于对芯片级条件的更深理解或对操作条件的其它相对直接理解件565可执行根据压印的所表征严重性或方向、存储器装置540、主机装置510或整个系统[0173]在一些实例中，印迹恢复组件565可基于存储器装置540针对主机装置510的启动组件565可以其它方式提供存储器装置540或存储器装置540的一或多个存储器阵列555不[0178]在第一组实例中，印迹管理可包含用于在整个存储器阵列555上执行离散印迹恢电时设置标志作为印迹可能已发生或应该触发本文中所描述的印迹管理技术的指示。因[0179]在一些实例中，用于执行离散印迹恢复的技术可在整个存储器阵列555或存储器测试操作可包含发起额外印迹恢复偏置或存取、状态从存储器装置540到主机装置510(例[0184]在一些实例中，所描述的用于整个存储器阵列555上的离散印迹恢复的技术可由器阵列555处使用多个参考电压的检测、执行斜率或梯度计算或分析或提供更大的对存储造成印迹或其它单元级退化或故障的无意或恶意存取操作的检测)，使得恢复操作可在操置540的操作期间的印迹恢复可用于在需要低到中等的恢复量但要求装置正常操作且存储器装置540或主机装置510的降低的性能可期间的印迹恢复可被视为在印迹导致此类存取错误之前均衡化或归一化存储器阵列555的[0187]在一些实例中，与在操作期间的印迹恢复相关的阈值可基于在读取存储器阵列参考电压下执行印迹检测时，如果存储器阵列555处的条件在一或多个参考电压下未通过类技术可以基于主机装置510和存储器装置540之间的数据负载或基于主机装置510的处理可以向刷新的每个页施加相对少量的恢复另一实例中，耗损均衡的各方面可包含与数据偏移到新页相关联的物理到逻辑指针的偏[0192]此类技术可以应用于包含旋转数据或任何其它刷新的其它存储器管理方法。例印迹恢复可在存储器阵列555的子集上执行以恢复特定储器装置540或主机装置的相对较高的操作温度下触发或调整，因为此类技术在高温下可作来进行印迹恢复的各种技术。通过修改操作进行印迹恢复可以指存储器装置540或存储器阵列555的正常操作中以意在促进恢复的方式进行的各种改变，并且可与在允许规范内[0196]在一些实例中，通过修改操作进行印迹恢复可以利用存储器装置540处脉宽或振各种考虑对打开页时间期间的偏置进行调节。在此时段内施加偏置可能有助于减轻印记，的检测到的年龄或耗损低于或以其它方式满足减少可能与此类技术相关联的耗损或疲劳修改存储器装置540或存储器阵列555中的一或多个的操作进行印迹恢复的选择可能是优尝试恢复之后无法恢复存储器阵列555的一部分(例如，指示存储器阵列555的一部分处于倾向可以其它方式获知或预测(例如，基于已相关的印迹现象)。与特定逻辑状态相关的印迹的优势可因此用于选择恢复方法或将恢复器阵列555上的离散恢复事件当中的预配置技术或选择、在操作期间的恢复或通过修改操包含相对于是否尝试保留施加印迹恢复的存储器单元所存储的数据的静态配置或选择性[0214]在一个实例中，印迹恢复方法可尝试通过从将接收恢复处理的存储器阵列555的可包含将数据复制到存储器阵列555的不同子集并重新映射逻辑到物理地址扰码，其中可在进入空闲状态后立刻执行恢复处理或在进入空闲状态时执行恢复处理。在另一实例中，当用户没有预期进行数据保留时(例如，当存储器性模式或以其它方式未被预期存储所需信息时在启动操作期间)，响应于高严重性印迹监[0217]在一些实例中，在预期存储器装置540支持一定程度的非当存储器装置540配置成用作非易失性RAM时)，可以特别地考虑在印迹恢复期间数据保留这些和其它技术，系统500可配置成确定是从存储器阵列555拉取数据还是从另一存储器[0219]在存储器层次结构中施加所描述技术的另一实例中，系统500可配置成在印迹检所述信息原本在将信息写回到存储器装置540的经压印存储器单元时会丢失。此类技术可[0220]在一些实例中，系统500可配置成基于各种考虑因素而选择性地启用或配置数据可配置成基于系统或产品约束执行各种操作，例如存储器装置540的易失性或非易失性的置识别存储器装置540或其操作为非易失性的标志或模式寄存器，并相应地执行印记管理持故障的可能性，以及可能导致这种故障的机制例如本文中所描述的那些的印迹检测技术可以一种使得此类攻击统500的电源来设计保持故障，或者用辐射轰击配置用于非易失性操作的存储器装置540，行推测性分支的存取模式。在一些实例中，存储器装置540可识别印迹攻击或识别强制印中，存储器装置540可确定数据错误超过在存储器装置540处(例如，ECC程序的)的校正能[0227]另外或替代地，存储器装置540可配置成通过隐式信令或其缺失或通过显式信令机装置510。在一些实例中，存储器装置540的响应可配置成有意造成主机装置510处的故尝试用存储器装置540执行存取操作，并且基于检测到存储器装置540的不可恢复错误(例正存储器装置540处的数据错误，这可包含执行比存储器装置540处所执行或支持的方案退化的另一固有抵抗性的系统500或存储器装[0233]图6示出根据本文所公开的实例的支持存储器系统的印迹管理的过程流600的实裸片160、存储器裸片200或存储器装置540)实施或执行或存储器装置的一或多个组件(例些情况下，存储器装置可在其中先前存储的数据印迹检测程序之前将存储到存储器单元作为潜在经压印数据或潜在经压印逻辑状态的任支持用于615处的印迹检测程序的贯穿存储器阵列的经评估存储器单元或其部分的逻辑状例如将应用程序数据从在存储器阵列内或跨存储器阵列或在存储器阵列之间的一个物理的此类空间或应用程序数据的此类偏移可以是耗损均衡功能性的一部分。在一些实例中，此类备用存储器单元可以称为空白(gap)存这些数据可用于后续印迹检测程序。当应用程序数据的物理位置根据耗损均衡程序偏移与目前不用于应用程序数据的存储器单元耦合的字线可以称为副本字线或偏移字线。因的一或多个副本字线耦合的存储器单元。在启动存储器装置或存储器装置的另一触发后，存储器控制器可使用写入到通过耗损均衡程序可用副本字线耦合的存储器单元)的逻辑状态的已知或强制模式来执行印迹器装置可将强制数据写入到存储器阵列的经置可基于610处的撤销启动和启动或如本文中所描述的另一基础而执行印迹检测程序。在然后将相反的状态写入到相应存储器单元来将相反的逻辑状态写入到子集中的每一存储器装置进入待机状态之前)已被写入到存储器阵列的情况下，第一组逻辑状态可基于强制置有默认或操作参考电压以供在读取存储器阵列的逻辑状态时(例如，在正常操作下)使用。默认或操作参考电压可以设置成减少或最小化在读多个目标逻辑状态)和经读取逻辑状态(例如，第元子集的一或多个部分的错误数目计数以确识别错误或不匹配数量时)，是否应该执行恢复操作的此类确定可基于所识别的错误或不读取存储器单元获得了第二组逻辑状态，那么阈值高于或低于默认参考电压的参考电压)读取存储器单元获得了第二组逻辑状态，那么阈值而产生的)错误的第一数量和(例如，由于等待从主机装置接收指令(例如，执行恢方式评估修复操作是否成功(例如，在向主机装迹检测技术，或者可以基于关于存储器单元印迹的预测或推断进行关于恢复操作的决策相关或以其它方式伴有存储器单元压印或故障的另一存储器单元不对称性的条件(例如，[0257]图7示出根据本文所公开的实例的可支持存储器系统的印迹管理的印迹检测条件期逻辑状态)和检测到的逻辑状态(例如，经读取电压下读取一群代表性存储器单元205时(例如，当这一群代表性存储器单元205均衡化或性存储器单元205时不匹配的数目，此时这一群代表性存储器单元已经被一或多个逻辑状压印特征750可具有与未经压印特征740相同或类似的斜率，但是经压印特征750可沿着参于检测或识别相对于默认参考电压702的不对称性，基于检测到的不匹配比默认参考电压[0261]在一些实例中，印迹检测程序可包含在一或多个参考电压(例如，默认参考电压如本文中所描述。曲线700示出用于读取逻辑状态的不同参考电压702和705之间的实例关[0262]默认参考电压702可以是存储器装置的默认或操作参考电压。可预期使用默认参上数目极小的错误或数目不到当存储器阵列的在一些情况下，默认参考电压702可以是存储器装置在正常操作程序期间在执行存取操作[0263]作为印迹检测程序的部分，存储器装置可使用一或多个偏移参考电压705读取存[0264]在一些情况下，存储器装置可使用高于或低于默认参考电压702的偏移参考电压在偏移参考电压705下的不匹配720的所测量数量与在偏移参考电压下的不匹配715的预期读取正常操作的存储器单元时的不匹配715_e的预期数目读取存储器单元子集。存储器装置可确定使用偏移参考电压705_b读取存储器单元子集产的所测量数目可大于或等于不匹配715_b的预期数目。在一些情况下，使用偏移参考电压但是被压印在逻辑1状态中，那么不匹配720_b的所测量数目可大于不匹配715_b的预期数读取存储器单元子集。存储器装置可确定使用偏移参考电压705_c读取存储器单元子集产的所测量数目可小于或等于不匹配715_c的预期数目。在一些情况下，使用偏移参考电压态同样也被压印在逻辑0状态中，那么不匹配720_c的所测量数目可小于不匹配715_c的预器装置可确定使用偏移参考电压705_d读取存储器单元子集产生的不匹配720_d的所测量指示或判断已写入到逻辑1状态(例如，目标逻辑状态)的单元是否被压印在逻辑0状态中。例如，如果印迹检测程序判断存储器单元意在存储逻辑1状态但是被压印在逻辑0状态中，那么不匹配720_d的所测量数目可大于不匹读取存储器单元子集。存储器装置可确定使用偏移参考电压705_e读取存储器单元子集产的所测量数目可小于或等于不匹配715_e的预期数目。在一些情况下，使用偏移参考电压态同样也被压印在逻辑1状态中，那么不匹配720_e的所测量数目可小于不匹配715_e的预态中的存储器单元而检测存储器阵列中的印迹的能力可取决于经压印存储器单元的初始各种组合读取存储器单元，其中此类条件可由存储器装置或主机装置预配置或选择或指[0270]图8A示出根据本文所公开的实例的支持存储器系统的印迹管理的印迹评估过程储器阵列的一或多个存储器单元是否已从去除印迹的迟滞曲线430偏移到经压印迟滞曲线[0271]印迹评估过程800_a示出可以不同方式组合以支持印迹检测程序的多个可能实施[0272]在805处，存储器装置或主机装置可识别用于执行印迹检测程序的一或多个存储[0278]在一些情况下，一或多个存储器阵列的不同部分可用于执行印迹评估过程800_a置可通过使用低于默认参考电压702的第一偏移参考电压705(例如，偏移参考电压705_b)参考电压705_b、相比于第一偏移参考电压705与默认参考电压702相差更大的偏移参考电置或主机装置可通过使用第一偏移参考电压705进行读取来获得第二组逻辑状态。在这些为由于在第二偏移参考电压705下读取产生的不匹配715的预期数量可大于由于在第一偏一偏移参考电压705下的读取和第二偏移参考电压705下的读取之间可以执行也可以不执第一偏移参考电压与默认参考电压702相差更大的偏移参考电压705)下读取，然后在第一第一偏移参考电压705读取之前，存储器装置可以将第一组逻辑状态重写到存储器单元子集也可以不重写(例如，依据存储器单元使用第二偏移参考电压705的读取与存储器单元的电荷状态或极化状态的变化相关联(例如，当在第二偏移参考电压705下的读取与存储器单元中的一或多个的极化的减小相关联同偏移参考电压705下的读取(例如，第一存储器单元子集用于第一偏移参考电压705下的移参考电压705_d、相比于第一偏移参考电压705与默认参考电压702相差更大的偏移参考第二偏移参考电压705下读取产生的不匹配715的预期数量可大于由于在第一偏移参考电考电压705下的读取和第二偏移参考电压705下读取之间可以执行也可以第一偏移参考电压与默认参考电压702相差更大的偏移参考电压705)下读取，然后在第一第一偏移参考电压705读取之前，存储器装置可以将第一组逻辑状态重写到存储器单元子集也可以不重写(例如，依据存储器单元子使用第二偏移参考电压705的读取与存储器单元的电荷状态或极化状态的变化相关联(例如，当在第二偏移参考电压705下的读取与存储器单元中的一或多个的极化的减小相关联同偏移参考电压705下的读取(例如，第一存储器单元子集用于第一偏移参考电压705下的[0287]存储器装置或主机装置可通过比较第二组逻辑状态与第一组逻辑状态来确定不如，在810处写入或在确定第二组逻辑状态之后重写不匹配或错误之间的差(例如，不匹配720关联的不匹配或错误之间的预期差(例如，不匹配一偏移参考电压705下的读取相关联的不匹配或错误的第一预期数目(例如，不匹配715_b的预期数目或不匹配715_d的预期数目)和与第二偏移参考电压705下的读取相关联的不匹二预期数目来确定预期差(例如，不匹配715_c的[0289]存储器装置或主机装置可基于比较所述两个偏移参考电压705的所测量条件的差小于不匹配715_c的预期数目和不匹配715_b的预期数目之间的差或低于不匹配715_c的预比较这个所确定或所测量的梯度和与第一和第二偏移参考电压705下的读取相关联的不匹配或错误之间的预期梯度(例如，不匹配715的对应[0291]例如，存储器装置或主机装置可存储或以其它方式识别在两个偏移参考电压705别在偏移参考电压705_c和705_b下)，并且存储器装置或主机装置可基于比较所述两个偏数目之间的斜率，分别在偏移参考电压705_c和705_b下)与预期梯度来确定是否执行恢复斜率低于不匹配715_c的预期数目和不匹配715_b的预期数目之间的斜率或低于不匹配器单元子集可通过ECC操作校正的错误的数使用一或多个偏移参考电压705读取存储器单元子集。存储器装置或主机装置可比较使用或主机装置可通过使用第一参考电压(例如，偏移参不匹配720的所测量数目)。存储器装置或主机装置可比较不匹配720的所测量数目与不匹[0297]在一些情况下，存储器装置或主机装置可以只确定单个偏移参考电压705下的不于确定不匹配720的第一所测量数目不同的存储器单元子集，或同一存储器单元子集(例且通过使用第二偏移参考电压705读取第三组逻辑状态来获得第四组逻辑状态。这可包含使用小于默认参考电压702的一个偏移参考电压705和大于默认参考电压702的一个偏移参以通过使用第二偏移参考电压705读取第二存储器单[0299]存储器装置或主机装置可基于比较不匹配720的第一所测量数目与不匹配715的所测量数目大于或小于不匹配715的对应预期数目达限定倍数，那么存储器装置或主机装[0300]图8B示出根据本文所公开的实例的支持存储器系统的印迹管理的印迹评估过程800_b的实例。印迹评估过程800_b可实施或执行参考图8A的印迹评估过程800_a描述的一储器阵列的一或多个存储器单元是否已从去除印迹的迟滞曲线430偏移到经压印迟滞曲线[0301]印迹评估过程800_b示出可以不同方式组合以支持印迹检测程序的多个可能实施[0302]在850处，存储器装置或主机装置可识别用于执行印迹检测程序的一或多个存储器单元子集可在发起印迹检测程序之前已经存储由存储器装置强制执行的逻辑状态。例此，可以在理解空白行或页已使用棋盘模式写入的情况下选择空白行或页进行印记评估。中评估，所以使用此方法可与在识别出比预期更少的不匹配后发起或触发恢复操作相关器装置或主机装置可写入每个单元以表示逻辑1。存储器装置或主机装置可写入一组实心[0310]在一些情况下，一或多个存储器阵列的不同部分可用于执行印迹评估过程800_b考步骤820_b所描述的一或多种技术，且步骤865_c可包含参考步骤820_c所描述的一或多述为与任何其它方法相关联的任何其它功能[0317]表1示出通过组合参考印迹评估过程800_a和800_b描述的经压印数据条件、经压辑状态可具有相对一致的可能性的条件下或当印迹检测方法依赖于默认参考电压的两侧心和混合经压印数据分布两者支持相对更大或更深的能观性，这取决于所使用的评估方法可通过相对复杂的曲线拟合或所测量斜率和预期斜率或至少部分地基于不匹配的所测发起印迹恢复操作之前准许一定非零水平或速率的不匹配或ECC校正。尽管此类技术可具[0324]在一些实例中，评估方法3可与将参考电压电平加裕量到预期不匹配的非零数量[0326]在一些实例中，执行评估方法3或利用混合经压印数据分布配置系统以执行评估[0328]图9示出根据本文所公开的实例的支持存储器系统的印迹管理的单元偏置900的去除印迹的迟滞曲线430。但是，所描述的技术可以施加到经受压印或另一退化的其它单晶度编程、以不同原子分布编程或以与不同逻辑状态相关联的某一其它特征编程的能力。在各种实例中单元偏置900的一或多个循环可以包含在修复操作或程序的恢复中，如本文[0329]脉冲905中的每一个可与读取操作(例如，其中脉冲905表示读取偏置或响应于印迹评估而触发或发起的读取操作的偏置)或写入操作(响应于印迹评估而触发或发起的写入操作的偏置)或刷新操新偏置或响应于印迹评估而触发或发起的刷新操作的偏置)或某一其它存取操作相关联。的能力时，修复或恢复操作可包含施加具有与逻辑0相关联的极性的至少一电压或电压脉这可支持恢复操作通过存储器阵列更快速地起作用。[0331]单元偏置900_a到900_d示出根据本文所描述的实例的单极单元偏置900的实例。单极单元偏置900可以指在特定持续时间内向存储器单元施加具有单个极性的一或多个脉900_a到900_d中的任一个但是具有负极性的单元偏置900可以施加到具有不同压印方向的个脉冲。在单极单元偏置900的第三实例中，单元偏置900_c可包含多个脉冲(例如，脉冲根据本公开的单极单元偏置900可包含具有依次变大的振幅或随其它模式改变的振幅的脉元偏置900可与相对较低的功耗相关联，因为电压可能不会摆动到像零或接地电压那么远[0334]单元偏置900_e和900_f示出根据本文所描述的实例的对称双极单元偏置900的实例。双极单元偏置900可以指在特定持续时间内向存储器单元施加处于不同极性中的每一905的总数或脉冲905之间的持续时间可以是可配置的或可选的。在对称双极单元偏置900元偏置900的其它实例可包含超过一对脉冲905，它们之间可以具有也可以不具有空白时[0337]单元偏置900_g到900_j示出根据本文所描述的实例的不对称双极单元偏置的实例。不对称双极单元偏置900可以指向存储器单元施加处于不同极性中的每一个的一或多双极单元偏置900_g示出具有更长持续时间或不同占空比的脉冲905的实例，其中脉冲905持恢复逻辑1的印迹)，但是根据本公开的不对称单元偏置900可包含具有更大振幅的脉冲单元偏置900_j示出更大数量的具有正极性(例如，以支持恢复逻辑1的印迹)的脉冲905的对较短的持续时间和中到高的振幅施加相对较大数目的循环可有利于尽可能快地恢复单[0350]图10示出根据本文所公开的实例的支持存储器系统的印迹管理的信令1000的实储器装置或主机装置中的一个发送的触发信号)以供主机装置或存储器装置读取的寄存器[0360]图11示出根据本文所公开的实例的支持存储器系统的印迹管理的状态图1100的流1110可示出根据各种存储器系统标准(例如，一或多个电子装置工程设计联合协会[0361]空闲状态1115可示出其中存储器装置未主动与主机装置交换数据或未以其它方变可与主机装置和存储器装置之间的启动(ACT)命令或信[0364]预充电状态1130可对应于其中存储器装置的所有组都预充电或以其它方式偏置(PRE)命令或信号相关联。从预充电状态1130转变到空闲状态1115可以在不具有显式命令[0365]参考状态流1150，检测状态1160可以指期间可执行印迹检测的各种实例的状列上的离散恢复事件或在操作期间或通过修改操作进态流1150并行操作时)。在一些实例中，在执行恢复操作之后，状态流1150可从恢复状态志状态1155之间的转变可以根据此类信令来发起(例如，当系统在状态流1110或状态流[0370]图12示出根据本文所公开的实例的支持存储器系统的印迹管理的过程流1200的入存储器阵列的存储器单元子集或执行一或多个印迹评估方[0378]图13示出根据本文所公开的实例的支持存储器系统的印迹管理的过程流1300的入存储器阵列的存储器单元子集或执行一或多个印迹评估方[0386]图14示出根据本文所公开的实例的支持存储器系统的印迹管理的过程流1400的入存储器阵列的存储器单元子集或执行一或多个印迹评估方[0394]图15示出根据本文所公开的实例的支持存储器系统的印迹管理的过程流1500的入存储器阵列的存储器单元子集或执行一或多个印迹评估方[0401]图16示出根据本文所公开的实例的支持存储器系统的印迹管理的过程流1600的如果1615处的确定指示数据错误超出ECC算法或程序的能力，那么过程流1600可前进到[0409]图17示出根据本文所公开的实例的支持存储器系统的印迹管理的存储器装置1705的框图1700。存储器装置1705可以是参考图1到16所描述的存储器装置的各方面的实存储所述一组逻辑状态中的不同逻辑状态之间切所述一组逻辑状态中的第一逻辑状态和存储所述一组逻辑状态中的第二逻辑状态之间切不同逻辑状态，均衡化或归一化存储器单元对读取操作或写入操作的响应)。在一些实例态中，并且确定提高一组存储器单元在存储不同逻辑状态之间切换的能力可基于所述确元已经在满足阈值时间量的持续时间内基于操作参述一组逻辑状态中的不同逻辑状态之间切换的能力组逻辑状态中的第一逻辑状态和存储所述一组逻辑状态中的第二逻辑状态之间切换的能例如通过减小或减轻相对于不同逻辑状态的存取储器单元的存储器装置的年龄或其任何组合来选[0432]印迹检测写入管理器1720可管理执行与存储器单元印迹的检测有关的写入操作[0434]印迹检测读取管理器1725可管理执行与存储器单元印迹的检测有关的读取操作[0437]存取操作管理器1745可管理执行或修改与印迹管理有关状态并向所述一组存储器单元写入相应第二逻辑状态来执行一定修改操作参数的值包含增加所述一组存储器单元的错误操作参数的值包含增加所述一组存储器单元的态管理器1750可限制对所述一组存储器单元元的存储器装置，并且确定执行印迹恢复操作可基于确定在维护模式中操作存储器装置，且在维护模式中操作存