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文档简介

上次课主要内容回顾1.双极集成电路的基本制造工艺什么是极？怎么做隔离？

6次光刻和光刻目的2.MOS集成电路的基本制造工艺根据阱的导电类型进行的分类

P（N）阱硅栅CMOS工艺和元件的形成过程（5次离子注入、10次光刻）第二章集成电路中的晶体管及其寄生效应2.1理想本征集成双极晶体管的EM模型2.2集成双极型晶体管的有源寄生效应2.3集成双极型晶体管的无源寄生效应本次课主要内容回顾2.1理想本征集成双极晶体管的EM模型图2.1集成电路中的双极晶体管结构(a)剖面(b)符号表示(c)极性规定(a)(C)工作晶体管寄生晶体管图2.2双极晶体管的四种工作状态双极晶体管的四种工作状态的判断2.2集成双极晶体管的有源寄生效应2.2.1NPN管工作于正向工作区和截止区寄生PNP管截止。只增加IB，IC的反向漏电流，和衬底漏电流IS’。2.2.2NPN管工作于反向工作区

寄生PNP管工作区于正向工作区。定性分析：相当大的反向NPN管“发射极电流作为无用电流流向IS。解决寄生管影响的方法思路：IS’

减小

αSF减小：减小PNP管的集电极电流

掺金工艺：少子的寿命减少；埋层工艺：少子基区渡越时间增加。

2.2.3NPN管工作于饱和区

PNP管工作在正向工作区。

解决方法：减小αSF掺金工艺、埋层工艺。

增大△VSBC(△V=VBE-VBC)2.3集成双极晶体管的无源寄生效应图2.3-1标有无源电阻寄生元件的集成NPN晶体管结构图CBEN+-BLN+N+PN-epiP+P+P-SUBrc3rc2rc1rbres发射极串联电阻res集电极串联电阻rcs基区电阻rb2.3.1集成NPN晶体管中的寄生电阻寄生电阻的计算方法发射极串联电阻res：见黑板集电极串联电阻rcs基区电阻rb1.截锥体模型

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