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法所述凹槽开设于所述底衬底远离所述生长衬底2至少部分贯穿所述底衬底，多个所述凹槽中存在至少两个所述凹槽的深度或开口宽度不其中，所述凹槽的第一部分的开口宽度大于所述第二部分及所述第三部分的开口宽保护层，设于所述底衬底背向所述生长衬底的一侧，所3所述半导体结构为高电子迁移率晶体管器件、垂直功率在所述底衬底远离所述生长衬底的一侧形成多个凹域的所述凹槽的密度大于位于所述底衬底边缘区域所述凹槽包括位于所述底衬底内的第一部分、位于所述绝其中，所述凹槽的第一部分的开口宽度大于所述第二部分及所述第三部分的开口宽所述凹槽贯穿所述底衬底及所述绝缘层，所述凹槽的底在所述生长衬底中形成超结结构，所述超结结构包括n型半导体结构与p型半导体结45常存在散热较差的问题，过量的热聚积可能会导致饱和区漏极电流(saturation_背侧偏压(backsidebias)效应(亦称为衬底偏压效应)的影响，因而改变金属_氧化物_半导体场效晶体管(metal_oxide_semiconductorfield_effecttransistor，MOSFET)的击678[0065]在本公开使用的术语是仅仅出于描述特定实施方式的目的，而非旨在限制本公开。除非另作定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而且可以包括电性的连接，不管是直接的还是也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语[0067]本公开实施例一提供一种衬底结构及衬底结构的制备方法。图1是本公开实施例[0070]本实施例制备的衬底结构，由于衬底结构设置至少部分贯穿底衬底101的凹槽9凹槽104的第一部分104a的开口宽度大于第二部分104b及第三部分104c的开口宽度。可选区100a的尺寸是指：一个子单元区100a凹槽104的总体积与该子单元区100a衬底块材料体构1032，n型半导体结构1031与p型半导体结构1032沿着平行于生长衬底103的方向交替分及衬底结构的制备方法与本公开实施例一或实施例二中任一实施例的衬底结构及衬底结及衬底结构的制备方法与本公开实施例一至实施例三中任一实施例的衬底结构及衬底结热层8，以进一步提高衬底结构的散热性能。该散热层8的材料可以为AlN、GaN、AlGaN、一电极10以及第二电极11位于异质结结构2上，且第一电极10与异质结结构2肖特基接触，[0088]以上所述仅是本公开的较佳实施方式而已，并非对本公开做任

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