CN119403122A 半导体结构的制作方法 （长鑫科技集团股份有限公司）

槽内通入第一硅源气体以在凹槽的内壁形成第一半导体层直至剩余凹槽在第一方向的宽度为硅源气体的活性。可以提高半导体结构的可靠2进行第一次沉积处理，向所述凹槽内通入第一硅源气体以在所述凹槽的半导体层直至剩余所述凹槽在所述第一方向的宽度为进行第二次沉积处理，向所述凹槽内循环通入第二硅源气体以形成第述第二半导体层覆盖在所述第一半导体层的表面，且所述第二半导体层填充满所述凹槽，所述第二硅源气体的活性大于所述第一硅源2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一硅源气体包导体层前清扫所述凹槽的顶部的所述第二半气体及所述清洗气体中每次通入所述第二硅源气体的时间为20～40s，每次通入所述清洗5.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述预设宽度为3~7.根据权利要求1或6所述的半导体结构的8.根据权利要求1或6所述的半导体结构的制作的环境温度和/或所述第二次沉积处理的环境温度为400通入的所述第一硅源气体的气体流量为1500～253存取内存(RandomAccessMemory，RAM)可分为动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)与静态随机存取存储器(StaticRandom_AccessMemory，SRAM)两[0005]根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种向所述凹槽内通入第一硅源气体以在所述凹槽的内壁形成第一半导体层直至剩余所述凹述第二半导体层填充满所述凹槽，所述第二硅源气体的活性大于所述第一硅源气体的活洗气体用于在形成填充满所述凹槽的所述第二半导体层前清扫所述凹槽的顶部的所述第4[0016]在一些实施例中，所述第一次沉积处理的环境温度和/或所述第二次沉积处理的环境温度为400～550℃。[0018]在一些实施例中，所述第三次沉积处理通入的所述第一硅源气体的气体流量为[0022]图1至图4为本公开一实施例提供的半导体结构的制作方法各步骤对应的结构示5[0027]在一些实施例中，本公开实施例提供的半导体结构的制作方法包括：提供衬底槽110内通入第一硅源气体以在凹槽110的内壁形成第一半导体层120直至剩余凹槽110在槽110内循环通入第二硅源气体以形成第二半导体层130，第二半导体层130覆盖在第一半[0030]本公开实施例通过第一次沉积处理先在衬底100内的凹槽110内壁形成第一半导可以便于形成填充凹槽110底部的第二半导体层130，从而可以改善填充凹槽110时容易形导体层130难以控制，因此先通过第一次沉积处理将凹槽110在第一方向X上的宽度降为预然后再通过活性较强的第二硅源气体形成第二半导体层130，从而可以使得第二硅源气体6[0039]需要说明的是，上述中的气体的活性可以是指：气体的扩散能力和/或容易分解和/或容易反应的气体，也就是，第一硅源气体的扩散能力小于第二硅源气体的扩散能力和/或第二硅源气体比第一硅源气体更容易反循环。通过在每次通入第二硅源气体之后通入清洗气体可以避免在未形成填充满凹槽110[0043]需要说明的是，这里的凹槽110的顶部可以是指：凹槽110远离衬底100一侧的顶凹槽110的顶部在未形成填充满凹槽110的第二半导体层130之前就封口，从而可以保证乙7那么可能还未形成一定厚度的第二半导体层130就被清扫气体将第二硅源气体扫除，影响改变凹槽110已经被封口的情况，导致后续通入的第二硅源气体无法进入到凹槽110的底无法很好的起到清扫凹槽110顶部的目的，导致在循环通入第二硅源气体的过程中使凹槽第一硅源气体便于控制，可以通过增加第一硅源气体的气体流量以增加第一半导体层120成速率，从而可以避免在未形成填充满凹槽110的第二半导体层130之前将凹槽110顶部封小下一次通入的第二硅源气体的气体流量可以减小第二半导体层130的形成速率，从而进一步减小在未形成填充满凹槽110的第二半导体层130之前将凹槽110顶部封口的可能性，8[0057]在一些实施例中，通入的掺杂气体的气体流量可以为100～180sccm，例如为100～180sccm可以保证形成的第一半导体层120具有一定掺杂程度的同时避免通入的掺杂续通入的第一硅源气体在第一半导体层120的表面沉积，若通入的掺杂气体的气体流量大第一半导体层120内的掺杂离子会相应减少，导致形成的第一半导体层120内的掺杂不均9[0062]在一些实施例中，第一次沉积处理的环境温度和/或第二次沉积处理的环境温度环境温度和/或所述第二次沉积处理的环境温度为400～550℃可以为形成第一半导体层[0063]在一些实施例中，设置第一次沉积处理的环境温度和/或第二次沉积处理的环境温度为400～550℃还有利于对形成的第一半导体层120和/或第二半导体层130进行掺杂，过控制第一次沉积处理的气压在1～1.3torr可以保证在进行第一次沉积处理的过程中第第二次沉积处理的气压在0.5～0.75torr可以保证在进行第二次沉积处理过程中第二半导避免在未形成填充满凹槽110的第二半导体层130之前将凹槽110[0067]可以理解的是，控制第一次沉积处理或者第二次沉积处体层140的过程中并不存在高深宽比的凹槽，因此可以通过直接通入便于控制的第一硅源[0071]在一些实施例中，第三次沉积处理通入的第一硅源气体的气体流量为1500~高深宽比的凹槽，通过控制第三次沉积处理通入的第一硅源气体的气体流量为1500~2500sccm可以增加第三半导体层140的形成速率，从而可以进一步降低整个半导体结构的[0072]在一些实施例中，第三次沉积处理的环境温度为500～580℃,例如为530℃、550成第三半导体层140的过程中并不存在高深宽比的凹槽，通过控制第三次沉积处理的环境温度为500～580℃可以增加第三半导体层140的形成速率，从而可以进一步降低整个半导那么在形成完第三半导体层140之后还可以对第一半导体层120、第二半导体层130和第三[0077]本公开实施例通过第一次沉积处理先在衬底100内的