CN119403161A 一种低导通电阻沟槽栅碳化硅vdmos及其制备方法 （泰科天润半导体科技（北京）有限公司）_第1页
CN119403161A 一种低导通电阻沟槽栅碳化硅vdmos及其制备方法 （泰科天润半导体科技（北京）有限公司）_第2页
CN119403161A 一种低导通电阻沟槽栅碳化硅vdmos及其制备方法 （泰科天润半导体科技（北京）有限公司）_第3页
CN119403161A 一种低导通电阻沟槽栅碳化硅vdmos及其制备方法 （泰科天润半导体科技（北京）有限公司）_第4页
CN119403161A 一种低导通电阻沟槽栅碳化硅vdmos及其制备方法 （泰科天润半导体科技（北京）有限公司）_第5页
已阅读5页，还剩24页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

司一种低导通电阻沟槽栅碳化硅VDMOS及其制本发明提供了一种低导通电阻沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法，在碳化硅衬底下侧面淀通孔，并刻蚀漂移层至P型阱区上侧面，淀积金22.如权利要求1所述的一种低导通电阻沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：所述P+阱区的掺杂浓度大于所述P型阱区的掺3.如权利要求1所述的一种低导通电阻沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：4.如权利要求1所述的一种低导通电阻沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：所述栅极金属层下侧面与所述P型阱区下侧面位于5.如权利要求1所述的一种低导通电阻沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：所述悬浮栅与栅极金属层下侧面之间的距离为200_6.如权利要求1所述的一种低导通电阻沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：所述低阻区的掺杂浓度大于所述漂移层的掺7.一种低导通电阻沟槽栅碳化硅VDMOS，其3[0003]本发明要解决的技术问题，在于提供一种低导通电阻沟槽栅碳化硅VDMOS及其制4采用第一方面所述的一种低导通电阻沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法制备得层左右两侧的低阻区可以有效降低器件导通时从N型源区经P型阱区反型区到绝缘介质下56[0033]本实施例地，优选地，所述悬浮栅61与栅极金属层7下侧面之间的距离为200_浓度为2_8e18cm_3，n型漂移层2的掺杂浓度为1_5e16cm_3，n型低阻区3的掺杂浓度为1_7厚度为1500nm，P+阱区4的厚度为1500nm，P型阱区5的厚度为500nm，N型源区的厚度为在器件的悬浮栅61的左右两侧和底部构建了n型低阻区3，该低阻区3在器件绝缘极绝缘介质层6左右两侧的低阻区3可以有效降低器件导通时从N型源区51经P型阱区5反型89

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 信息产业

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论