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司本发明提供了一种异构沟槽栅碳化硅VDMOS形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生22.如权利要求1所述的一种异构沟槽栅碳化硅VDMO3.如权利要求1所述的一种异构沟槽栅碳化硅VDM4.如权利要求1所述的一种异构沟槽栅碳化硅VDMOS的制备5.如权利要求1所述的一种异构沟槽栅碳化硅VDM6.如权利要求1所述的一种异构沟槽栅碳化硅VDMO3[0004]第一方面，本发明提供了一种异构沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，包括如下步一方面所述的一种异构沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法45[0029]如图1至16所示，本申请实施例通过提供一种异构沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方6以及N型源区41内侧面，所述绝缘介质层5内设有悬浮栅51，所述绝缘介质层5上设有沟槽发明的栅极金属层6通过在不影响器件栅极对P型阱区4特性的基础上，增加了器件栅极中7栅极金属层6降低了器件的栅漏电容，但是会影响器件绝缘介质底部的载流子浓在增加其底部载流子浓度的同时通过左右两侧的绝缘介质可以增加器件从N型源区41到掩89
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