CN119403197A 镍硅化物的形成方法及半导体器件 （晶芯成(北京)科技有限公司）_第1页
CN119403197A 镍硅化物的形成方法及半导体器件 （晶芯成(北京)科技有限公司）_第2页
CN119403197A 镍硅化物的形成方法及半导体器件 （晶芯成(北京)科技有限公司）_第3页
CN119403197A 镍硅化物的形成方法及半导体器件 （晶芯成(北京)科技有限公司）_第4页
CN119403197A 镍硅化物的形成方法及半导体器件 （晶芯成(北京)科技有限公司）_第5页
已阅读5页，还剩19页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

开发区科创十三街29号院一区2号楼本申请公开了一种镍硅化物的形成方法及夹层结构包括镍硅薄膜和位于所述镍硅薄膜的极以及漏极上形成具有镍硅薄膜和合金层的镍部和底部的合金层来阻挡镍硅薄膜中的镍在高2在所述衬底的栅极、源极以及漏极的表面形成具有夹层结构层中金属的晶格常数小于所述镍硅薄膜中镍的采用快速热退火工艺对所述衬底以及所述衬底上的所述第一镍层、所述第一金属层、利用物理气相沉积工艺在所述衬底的栅极、源对所述衬底以及所述衬底上的所述第一镍层、所述铪层、所述钽层对所述衬底以及所述衬底上的所述第一镍层、所述铪层、所述钽层在氮气环境下采用500℃~600℃退火温度对所述衬底以及所述衬底上的所述第一镍3所述铪层中的铪与所述钽层中的钽的质量比求1~9中任一项所述的镍硅化物的形成方4[0002]自对准硅化物技术是一种通过在源/漏极和栅极表面形成金属硅化物层，以减小5层以及所述第二镍层进行第一次快速热退火处理包括：在氮气环境下采用500℃~600℃退层以及所述第二镍层进行第二次快速热退火处理包括：采用600℃~900℃退火温度对所述[0019]通过参考附图阅读下文的详细描述，本申请示例性实施方式的上述以及其他目6图3示出了本申请的一些实施例的半导体器件的镍硅化物的形成方法的示意流程图4示出了本申请的另一些实施例的半导体器件的镍硅化物的形成方法的示意流图5a和图5b示出了采用本申请一些实施例的镍硅化物形成过程中的相关器件的请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，7的顶部和底部的合金层2022。本实施例中的衬底201可以是集成电路或者半导体器件的制金层2022可以在高温下阻挡镍硅薄膜2021中的镍向半导体场效应晶体管（MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor，简称8可以通过位于镍硅薄膜顶部和底部的铪钽合金层来阻挡镍硅薄膜中的镍在高温下向外扩晶体管器件中的硅衬底或者其他含有硅材料的具体形成过程。具体地，在步骤S402处，可以利用物理气相沉积（PhysicalVapor9[0044]另外，需要说明的是，本申请的方案优选采用上述材料添加顺序得到第一镍层可能没有利用图5a所示出的材料添加顺序所制得的镍硅材料的相对比例。例如，可以控制铪层中的铪与钽层中的钽的质量比为3:5，以有效抑制退火处理的条件与第一次热退火处理的条件不同，第二次快速热退火处理时需要保证铪、后所得到的材料结构进行二次快速热退火处理。在第二温度（例如600℃~900℃)退[0050]本申请意料不到的有益的技术效果是：通过在表面含有硅的衬底的表面依次积[0054]前述的镍硅化物605具体可以采用图3~图5b所描述的形成方法来制备，其中镍硅化物605具体可以包括镍硅薄膜和位于镍硅薄膜的顶部和底部的铪钽合金层。在形成该镍

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 信息产业

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论