CN119403198A 一种半导体结构及其制作方法 （长鑫科技集团股份有限公司）

2半导体层的材料的禁带宽度小于所述半导体衬底的材料的源漏掺杂区，所述源漏掺杂区位于所述栅极结构的相对两金属半导体化合物层，所述金属半导体化合物层位于所述源漏掺杂区的金属半导体化合物层的顶面与所述半导体层的底面之间的间距为接触插塞，贯穿所述介质层且部分位于所述凹槽中，并与所述金隔离层，所述隔离层的一部分位于所述接触插塞和在垂直于所述基底的方向上，所述轻掺杂区与所述栅极叠层所述半导体层的材料的禁带宽度小于所述半导体衬底的材料的禁形成金属半导体化合物层，所述金属半导体化合物层位于所述凹槽3在所述接触孔中形成接触插塞，所述接触插塞与所述金属形成扩散阻挡层，所述扩散阻挡层随形覆盖所述接触孔的侧壁和所在所述接触孔的侧壁上形成隔离层，所述隔离层的至少一部分形成金属层，所述金属层位于所述凹槽内，且所述金属层的顶面采用退火工艺使得所述金属层的材料与所述半导体衬底的材料反应4存取内存(RandomAccessMemory，RAM)可分为动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)与静态随机存取存储器(StaticRandom_AccessMemory，5述扩散阻挡层随形覆盖所述接触孔的侧壁和所述金属半导体化合物层；形成金属导电层，所述金属导电层覆盖所述扩散阻挡层并填充所6[0025]图4至图10为本公开一实施例提供的一种半导体结构的制作方法各步骤对应的结与半导体层接触，从而可以避免金属半导体化合物层的材料与半导体层的材料发生反应，7[0034]通过设置半导体层102，并设置半导体层102材料的禁带宽度小于半导体衬底101性能，通过设置栅极结构110及源漏掺杂区120以构成晶体管，设置金属半导体化合物层层130的顶面低于半导体层102的底面，通过金属半导体化合物层130可以降低半导体结构金属半导体化合物层130与半导体层102接触，从而可以避免金属半导体化合物层130的材[0037]以半导体衬底101的材料为硅为例，半导体层102的材料可以是锗或者锗化硅等[0043]功函数层11是用于调节栅极结构110中的功函数，从而可以调节晶体管的阈值电第二阻挡层。在一些实施例中，栅极结构110作为NMOS(N_typeMetal_Oxide_8[0044]在栅极结构110作为PMOS管的栅极结构的情况下，功函数层11中的第一功函数调节层的材料可以包括氧化铝，但不限于此。在栅极结构110作为NMOS管的栅极结构的情况第二栅介质层1122的相对介电常数高，以适配晶体管尺寸缩小，栅极介质层112的厚度缩栅介质层1122可以降低栅漏电楼及源漏间层1131的一侧。通过设置间隔结构113由第一保护层1131、第二保护层1132及第三保护层9体化合物层130之间反应的能力也就越差，金属半导体化合物层130的顶面与半导体层102间的间距为4～8nm可以保证金属半导体化合物层130与半导体层102之间具有一定间距的[0056]若金属半导体化合物层130的顶面与半导体层102的底面之间的间距小于4nm，那电阻的能力较差，若金属半导体化合物层130的宽度大于25nm，减小金属半导体化合物层[0059]需要说明的是，这里的宽度是指栅极叠层1101朝向间隔结构113方向上的金属半从而便于通过接触插塞150向金属半导体化合物层130传输信号，进而向源漏掺杂区120传输信号的部分，扩散阻挡层151也就是用于避免金属导电层152中的金属离子扩散至基底160的另一部分至少覆盖半导体层102的侧壁。通过设置隔离层160可以进一步将半导体层102与金属半导体化合物层130隔离，从而进一步避免半导体层102与金属半导体化合物层[0067]需要说明的是，这里的隔离层160的厚度为沿介质层140指向接触插塞150的方向导体化合物层130的顶面低于半导体层102的底面，通过金属半导体化合物层130可以降低[0076]形成金属半导体化合物层130，金属半导体化合物层130位于源漏掺杂区120的凹成接触孔170，接触孔170包括凹槽121。通过形成介质层140，介质层140覆盖源漏掺杂区被接触孔170暴露的侧壁。通过形成隔离层160可以进一步将半导体层102与金属半导体化将初始金属半导体化合物层转化为金属半导体化合高阻态的初始金属半导体化合物层转化为低阻态的金属半导体化合物层130，例如是二硅散阻挡层151随形覆盖接触孔170的侧壁和金属半导体化合物层130；形成金属导电层152，金属导电层152覆盖扩散阻挡层151并填充接触孔170。通过形成金属导电层152以传输信号，通过形成扩散阻挡层151以避免金属导电层152中的金属离子扩散至基底100或者相邻[0086]本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实