CN119404132A 使用表面mems技术制造用于平板显示器检查的基于液晶的电光调制器的方法 （奥宝科技有限公司）

2024.12.17PCT/IL2023/0509902023.09.13WO2024/057313EN2024.03.21使用表面MEMS技术制造用于平板显示器检所述基于液晶的电光调制器使用表面微机电系造在相当程度上薄化所述电光调制器且允许使23.根据权利要求1所述的电光调制器，其中所述液晶层不是向列曲线排列相或聚合物4.根据权利要求1所述的电光调制器，其中所述多个聚合物柱从所述聚合物层延伸穿7.根据权利要求1所述的电光调制器，其中所述多个聚合物柱从所述第二对准层延伸10.根据权利要求1所述的电光调制器，其中所述透明电极包括氧化铟锡(ITO)或银纳3封件将所述液晶层密封于所述第一对准层与所述多个聚合物柱；其中所述多个聚合物柱延伸穿过多个对准柱；其中所述多个对准柱从所述第多个电介质柱；其中所述多个电介质柱从所多个聚合物柱；其中所述多个聚合物柱从所述聚合物层延伸穿过所述电介质反射镜、20.根据权利要求19所述的电光调制器，其中所述液晶层包含2微米与5微米之间的厚21.根据权利要求19所述的电光调制器，其中所述液晶层不是向列曲线排列相或聚合45术制造用于检查平板显示器的基于液晶的电光调制器的方法(METHODFORFABRICATINGALIQUID_CRYSTAL_BASEDELECTRO_OPTICALLIGHTMODULATORUSINGSURFACEMEMS调制的电光调制器用于测试制造中的平板显示器(FPD)的薄膜晶体管及互连件的导电性。于所述透明电极上的第一对准层。所述电光调制器包括安置于所述第一对准层上的液晶6[0013]在一些实施例中，所述多个聚合物柱所述液晶层密封于所述第一对准层与所述第二于所述透明电极上的第一对准层。所述电光调制器包括安置于所述第一对准层上的液晶7[0030]图2A到2B描绘根据本公开的一或多个实施例的用于产生电光调制器的方法的流[0031]图2C到2N描绘根据本公开的一或多个实施例的方法期间的电光调制器的横截面[0033]图4A到4B描绘根据本公开的一或多个实施例的用于产生电光调制器的方法的流[0034]图4C到4M描绘根据本公开的一或多个实施例的方法期间的电光调制器的横截面方法(Methodoftestingact5,432,461号美国专利；2007年2月6日申请的题为“具有改进灵敏度及寿命的调制器2010年12月22日申请的题为“嚢封聚合物网络液晶材料、装置及应用(Encapsulatedpolymernetworkliquidcrystalmaterial,deviceandapplications)”的第8,801,964号美国专利；2005年4月7日申请的题为“用于调制器制造的聚合物分散液晶配方(Polymerdispersedliquidcrystalformulationsformodulatorfabrication)”的8第7,639,319号美国专利；题为“调制器传递过程及组装(Modulatortransferprocess板显示器(FPD)空间光调制器(SLM)。电光调制器100是具有由聚合物柱分离的两个电介质极106可包含1600A与1700A之间的厚度及透明电极106上的<1.8％变动。透明电极106可[0045]在一些实施例中，电光调制器100包含对准层108。对准层108经安置于透明电极包含任何材料，其是电介质且包含所要折射率。在一些实施例中，对准层108是氮氧化硅层108可包含230A与270A之间的厚度。对准层一般可指的是有助于使液晶层110对准的9来填充。在一些实施例中，液晶层110不连续。对准柱112及聚合物柱114延伸穿过液晶层过液晶层110的光的强度通过跨液晶层110的电场强度的变动来调制。透射穿过液晶层110的光可根据施加到液晶层110的电场的量值来改变。电场引起液晶层110沿电场的方向对[0053]聚合物柱114可包含宽度。聚合物柱114的宽度可基于支撑结构211的宽度减去对准柱112的厚度的两倍(例如针对聚合物柱114的两侧)。聚合物柱114包含小于1.4um的宽聚合物柱114之间的节距。节距界定柱114中的一者的中心到柱114中的相邻者的中心之间准层116可包含285A与315A之间的厚度。[0058]电介质反射镜是多层电介质反射镜。多层电介质反射镜包含第一材料及第二材[0059]在一些实施例中，电介质反射镜120包含护膜。护膜可经安置成相邻于聚合物层造电光调制器的过程。本文先前在电光调制器100的内文中所描述的实施例及启用技术应[0067]步骤可包含在安置于对准层108上的牺牲层209a中图案化一或多个沟槽(未描[0069]在步骤212，将对准柱112及对准层116沉积于安置于对准层108上的牺牲层209a积。对准柱112及对准层116可包含应力。例如，对准柱112及对准层116可包含50MPa与O2蚀刻预处理以在聚合物层118上形成羰基键用于提高电介质反射镜120到聚合物层118的介质反射镜120上旋涂及固化硬涂层122。硬涂层122可使用一低温(LT)固化来固化以防止过毛细作用透过腔添加液晶层110。通过毛细作用透过腔添加液晶层110不同于用于制造NCAP调制器或PDLC调制器的层压法。步骤可进一步包含用环氧树脂密封件115来密封一或硬涂层122的全部讨论在此以引用方式并入到电光调制器300中。电光调制器300与电光调制器100的不同点在于：电光调制器100包含对准柱112，而电光调制器300不包含对准柱合物层118延伸且与聚合物层118不分离，而电光调制器300的聚合物柱114通过对准层116116及聚合物柱114将聚合物层118的重量承受到对准层108来机械支撑聚合物层118。在此电介质反射镜120中的应力。在一些实施例层118可经旋涂有3.8um与4.2经沉积有285A与315A之间的厚度。250A的深度。在一些实施例中，沟槽在对准层116中界定棋盘图案。对准层116包含行距108沉积于透明电极106上。对准层108可能需要深紫外(DUV)偏振器掩模在所要时段内对[0088]将透明电极106沉积于玻璃衬底104上及沉积对准层108的步骤可在将氮化硅准层108经翻转及对准到聚合物柱114上。对准层108通过真空压制来接合到聚合物柱114℃之间的玻璃转变温度。122旋涂及固化于电介质反射镜120上。硬涂层122可使用低温(LT)固化来固化以防止电介过毛细作用透过腔添加液晶层110。通过毛细作用透过腔添加液晶层110不同于用于制造NCAP调制器或PDLC调制器的层压法且将防止未来在组装过程期间移除顶部聚酯薄膜时损及电光调制器300的全部讨论在此以引用方式并入到电光调[0096]对准柱112从对准层116延伸穿过液晶层110直到对准层108。对准柱112以形式用柱502从电介质反射镜120延伸穿过液晶层110的第一部分。电介质柱502从电介质反射镜从聚合物层118延伸穿过电介质反射镜120及对准层116。聚合物柱114从聚合物层118延伸穿过电介质反射镜120及对准层116穿过液晶层110的第二部分直到电介质柱502。液晶层[0099]电光调制器500可由类似于方法200的过程制造。尽管方法200经描述为包含旋涂及固化聚合物柱114及聚合物层118及接着沉积电介质反射镜120，但此不希望为本公开的合物层118可接着沉积于电介质反射镜120上且聚合物柱114可接着沉积于电介质柱502上[0100]图6是说明根据本公开的一或多个实施例的成像系统600[0101]成像系统600一般可包含适合于(例如(但不限于))电压成像的任何类型的成像工其中根据过程图案将材料(例如氧化铟锡(ITO)等)射、可见辐射或红外(IR)辐射。照明源606可进一步产生包含任何范围的选定波长的照明可包含一或多个透镜612或适合于修改及/或调节照明608的额外照明光学组件614。例如，径622(例如用于由检测器604捕获)。举另一实例，在其中未外加电压电位(例如无电容耦有源区域之间的像素元件。样本台618可包含适合于将样本611定位于成像系统600内的任[0107]在实施例中，检测器604经配置以透过收集路径622来捕获从样本611发出的辐射611反射或散射(例如经由镜面反射、漫反射及其类似者)或由样本611产生(例如与吸收照[0108]系统600可包含(但不限于)控制器603。控制器603可包含一或多个处理器及存储像到检测器604上的样本的空间范围的场光阑或用于控制用于产生检测器604上的图像的经定向使得电光调制器100可同时将照明608导引到样本611及收集从样本611发出的辐射[0112]控制器603的一或多个处理器可包含所属领域中已知的任何处理器或处理元件。器可包含经配置以执行算法及/或指令(例如存储于存储器中的程序指令)的任何装置。在平行处理器、网络计算机或经配置以执行经配置以操作或结合成像系统600操作的过程的[0113]存储器媒体可包含所属领域中已知适合于存储可由相关联的一或多个处理器执器及控制器的实体位置远程定位。例如，控制器603的一或多个处理器可存取可透过网络示的数据而经由用户接口610的用户输入设备来输入选500)包含平板显示器的制造期间缺陷度量所需的提高缺陷检何者执行。在一些实施例中，方法利用可用于硅晶圆[0121]关于在本文中使用基本上任何复数及/或单数术语，所属领域的技术人员可视内述各种单数/复数排列。本公开目标物或不牺牲所有其材料优点的情况下对组件的形式、构造及布置做出各种改