CN119404137A 量测方法和相关联的量测装置 （Asml荷兰有限公司）

2024.12.19PCT/EP2023/0700482023.07.19WO2024/033036EN2024.02.15于使用两个或更多个不同的照射轮廓对至少一数据确定所述两个或更多个不同的照射轮廓中的每个照射轮廓的所关注的参数的相应的所关数据确定所述两个或更多个不同的照射轮廓中测量参数偏差值描述测量参数相对于归因于所述目标或其子目标的所关注的区的测量参数值系确定经校正的所关注的参数值和优选照射轮2获得关于使用两个或更多个不同的照射轮廓对至少一个目标进行的测根据所述测量数据确定所述两个或更多个不同的照射轮廓中的每个照射轮廓的所关根据所述测量数据确定所述两个或更多个不同的照射轮廓中的每个照射轮廓的相应2.根据权利要求1所述的方法，包括将所述优选照射轮廓确定为与所述目标的最低测3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，确5.根据任一前述权利要求所述的方法，其中于归因于所述目标或其子目标的所关注的区的测量参6.根据任一前述权利要求所述的方法，包括根据所7.根据任一前述权利要求所述的方法，其8.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，9.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述目3和13.5nm。相比于使用例如具有193nm的波长的辐射的光刻设备，使用具有在4nm至20由电路设计者规划的形状和尺寸以便实现特定电功能性和性能的图案。为克服这些困难，可以将复杂的微调步骤应用在光刻投影设备和/或设计布局。这些步骤包括例如但不限于NA的优化、定制照射方案、使用相移图案形成装置、例如设计布局中的光学邻近效应校正改善在低k1下的图案的再现。4所述测量数据确定所述两个或更多个不同的照射轮廓中的每个照射轮廓的相应的测量参的关系；以及根据所述关系确定经校正的所关注的参数值和优选照射轮廓中的一个或两[0014]本发明又进一步提供一种包括所述第二方面的计算机程序的处理布置和量测装[0015]将根据对示例性实施例的以下描述和附图的考虑而了解本文中所披露的设备和[0019]图3描绘整体光刻的示意性图示，其表示用以优化半导体制造的三种关键技术之5据某些参数准确地定位所述图案形成装置MA的第一定位器PM；衬底支撑件（例如晶片台）射和/或适于诸如浸没液体的使用或真空的使用之类的其它因素的各种类型的投影系统，在以引用方式并入本文中的US6952253中给出关于浸没WT上的另一衬底W用于在另一衬底W上曝光图案。持传感器和/或清洁装置。传感器可以被布置成测量投影系统PS的性质或辐射束B的性质。6将衬底W传递至光刻设备LA的进料台LB。光刻单元中通常也统称为轨道或涂覆显影系统的装置通常处于轨道或涂覆显影系统控制单元TCU的控制下，所述轨道或涂覆显影系统控制单元自身可以由管理控制系统SCS控制，所述管理控制系统也可以例如经由光刻控制单元[0033]为了正确且一致地曝光由光刻设备LA曝光的衬底W，期望检测衬底以测量经图案剂层中的图像或半潜像（在曝光后焙烤步骤PEB之后在抗蚀剂层中的图像或经显影的[0035]通常光刻设备LA中的图案化过程为处理中最重要的步骤之一，其需要在衬底W上对结构进行高准确度的尺寸标定和放置。为确保这种高准确度，三个系统可合并于所谓的样的“整体”环境的关键在于优化这三个系统之间的协作以增强总体过程窗口且提供严格控制回路，从而确保由光刻设备LA执行的图案化保持在过程窗口内。过程窗口限定一系列如功能性半导体器件）通常在所述所限定的结果内，允许光刻过程或图案化过程中的过程参数变化。强技术且执行计算光刻模拟和计算以确定哪种掩模布局和光刻设备设置实现图案化过程[0037]量测工具MET可以将输入提供至计算机系统CL以实现准确模拟和预测，并且可以7将反馈提供至光刻设备LA以识别例如光刻设备LA的校准状态中的可能漂移（在图3中由第证。用于进行这样的测量的各种工具是众所周知的，包括扫描电子显微镜或各种形式的量的目标（呈简单光栅或不同层中的叠置光栅的形式的目标，其足够大使得测量束产生小于可以通过模拟散射辐射与目标结构的数学模型的相互作用且比较模拟结果与测量的结果来计算光栅的性质。调整所述模型的参数直到所模拟的相互作用产生类似于从真实目测的衍射图案的衍射图案为止。基于图像或场的测量。以全文引用的方式并入本文中的专利申请US20100328655、描述这样的散射仪和相关联测量技术。前述散射仪可以在一个图像中使用来自软x射线和可见光至近IR波范围的光来测量来自多个光栅所检测的光谱的结构或轮廓8可以由处理单元PU重构，例如通过严格耦合波分析和非线性模拟的相互作用产生类似于从真实目标观测到的衍射图案的衍射图源也可以提供偏振辐射。以全文引用的方式并入本文中的美国专利申请11/451,599、11/8533,110和13/891,410中描述现有[0044]在散射仪MT的一个实施例中，散射仪MT适用于通过测量反射光谱和/或检测配置为处于晶片上大致相同的位置。散射仪可以具有如例如在共同拥有的专利申请EP1,628,栅中的未对准的直接方式。可以在全文以引用方式并入本文中的PCT专利申请公开号WO2011/012624或美国专利申请号US20160161863中找到关于包括作为目标的周期性结构的的参数可以是焦距和剂量。可以通过如全文以引用方式并入本文中的美国专利申请[0046]使用特定目标进行的光刻参数的总体测量品质至少部分通过用于测量这种光刻用于选择测量选配方案的准则中的一个可以例如为测量参数中的一个对于处理变化的敏的美国专利申请US2016/0370717标T和用于照射所述目标的测量辐射的衍射射线。所图示的量测设备属于被称为暗场量测将衬底图像提供至检测器上，并且同时地允许接入中间光瞳平面以用于空间频率滤光。因强度分布来选择辐射入射到衬底上的角度范围。具体地，可以通过在为物镜光瞳平面的背向投影图像的平面中在透镜12与14之间插入适合的形式的孔板13来进行这种选择。在所图9况下，这些射线仅仅是覆盖包括测量目标T和其它特征的衬底区的许多平行射线中的一条[0049]由衬底W上的目标T衍射的至少0和+1阶由物镜16收集，并且经由分束器15引导返述阶。由传感器19捕获的光瞳平面图像可以用于聚焦量测设备和/或归一化一阶束的强度描述这些孔板的使用以及设备的许多其它变化和应一衍射阶与第二衍射阶之间的强度或衍射效率不对称性或强度或衍射效率差异而确定结部分以用于监测目的所述零阶并未被用于μDBO量测中。用于所关注的参数推断的主要[0056]可以通过找到所述目标位置且对在所捕获的μDBO相机图像内的某一所关注的区经成像的目标的一个或更多个子目标的一个或更多个边缘处，存在有与所关注的区内的平述边缘效应变得更显著且更难以利用已知方法处理。另外，来自环境的边缘效应也可能产生问题。[0058]所述方法可以包括将所述优选照射轮廓确定为使所述目标的所述测量参数偏差[0059]确定关系的步骤可以包括拟合使所关注的参数值与所述测量参数偏差值相关的[0061]所述方法可以包括根据所述关系将经校正的所关注的参数值确定为对应于零测[0062]所述目标可以包括针对一个或更多个测量方向中的每个测量方向的一对子目标（其中所述对中的至少一个具有有意的即故意的偏置，使得在子目标对相等量值和相反方向的偏置。在所述目标包括每个测量方向上的子目标的情况下，可以在的照射轮廓照射每个目标以获得测量数据，并且针对每个目标确定校正和/或优选照射轮方法的多个仅示例性照射轮廓600至630或照射孔。所使用的不同的照射轮廓的数目和/或600至630执行确定测量参数偏差值PD的[0068]所述方法还可以包括分别针对与所述照射轮廓600至630中的每个照射轮廓相关[0071]替代地或另外，所述模型655可以被用于针对所关注的参数偏差识别优选照射轮换，例如使用可编程照射，诸如使用诸如由例如如在US6947613B中所描述的由Silicon[0076]获得关于使用两个或更多个不同的照射轮廓对至少一个目标进行的测量的测量[0077]根据所述测量数据确定所述两个或更多个不同的照射轮廓中的每个照射轮廓的[0078]根据所述测量数据确定所述两个或更多个不同的照射轮廓中的每个照射轮廓的[0081]2.根据方面1所述的方法，包括将所述于归因于所述目标或其子目标的所关注的区的测量参及所述目标的不同子目标和/或由所述目标散射的不同衍射阶具有最大量值的测量参数偏[0095]16.根据任一前述方面所述的方[0107]26.根据方面22至25中的任一项所[0109]28.根据方面27所述的光刻单元，所[0111]虽然在本文中可以对在检查或量测设备的情境下的本发明的实施例进